Stoichiometric and nonstoichiometric $Y_{3-x}Fe_{5+x}O_{12})$ polycrystalline samples (x=0.00, 0.05, 0.10, 0.30, -0.05, -0.10, -0.30) were prepared by solid state reaction method. The magnetic properties of the sample were investigated by FMR (ferromagnetic resonance) technique at microwave frequency 5.11 GHz (G-band) and 23.39 GHz (K-band) respectively. The spectroscopic splitting factor g were estimated to be 2.04~2.35 from the derivative absorption lines. As the samples became yttrium $(Y^{3+})$ excess and iron $(Fe^{3+})$ excess, Magnetizations were decreased. But resonance linewidth were increased. To investigate the anisotropy, the angular dependence of resonance magnetic fields were measured. Angular dependence of effective magnetizations were measured by FMR from 77 K to 300 K at K-band microwave frequency (23.39 GHz) and the saturation magnetizations were measured by VSM. The Bloch coefficients B and C were determined by fitting. $M_{eff}(0)$ was obtained by the extrapolation from 80 K. From this result, the spin wave stiffness constant D $(about\; 162~206 \;eV{\AA}^2)$and average square range of exchange interaction $$$(about \;5.84~12.13\;{\AA}^2)$ were determined.
Seo, Se-Young;Kim, In-Yong;Hong, Seung-Hui;Kim, Kyung-Joong
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.141-141
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2010
The effect of thermal anneal on the characteristics of structural properties and the enhancement of luminescence and photovoltaic (PV) characteristics of silicon-rich silicon-nitride films were investigated. By using an ultra high vacuum ion beam sputtering deposition, B-doped silicon-rich silicon-nitride (SRSN) thin films, with excess silicon content of 15 at. %, on P-doped (n-type) Si substrate was fabricated, sputtering a highly B doped Si wafer with a BN chip by N plasma. In order to examine the influence of thermal anneal, films were then annealed at different temperature up to $1100^{\circ}C$ under $N_2$ environment. Raman, X-ray diffraction, and X-ray photoemission spectroscopy did not show any reliable evidence of amorphous or crystalline Si clusters allowing us concluding that nearly no Si nano-cluster could be formed through the precipitation of excess Si from SRSN matrix during thermal anneal. Instead, results of Fourier transform infrared and X-ray photoemission spectroscopy clearly indicated that defective, amorphous Si-N matrix of films was changed to be well-ordered thanks to high temperature anneal. The measurement of spectral ellipsometry in UV-visible range was carried out and we found that the optical absorption edge of film was shifted to higher energy as the anneal temperature increased as the results of thermal anneal induced formation of $Si_3N_4$-like matrix. These are consistent with the observation that higher visible photoluminescence, which is likely due to the presence of Si-N bonds, from anneals at higher temperature. Based on these films, PV cells were fabricated by the formation of front/back metal electrodes. For all cells, typical I-V characteristic of p-n diode junction was observed. We also tried to measure PV properties using a solar-simulator and confirmed successful operation of PV devices. Carrier transport mechanism depending on anneal temperature and the implication of PV cells based on SRSN films were also discussed.
Oh, S.H.;Shin, R.H.;Lee, J.H.;Jo, W.;Lefevre, C.;Roulland, F.;Thomasson, A.;Meny, C.;Viart, N.
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2012.05a
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pp.121-122
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2012
Iron-excess gallium ferrite, $Ga_{0.6}Fe_{1.4}O_3$ (GFO), is known to have room-temperature ferromagnetic phases and potentially exhibit ferroelectricity as well [1]. But, leaky polarization-electric field (PE) hysteresis curves of the GFO thin film are hurdle to prove its spontaneous polarization, in other words, ferroelecticity. One of the reasons that the GFO films have leaky PE hysteresis loop is carrier hopping between $Fe^{2+}$ and $Fe^{3+}$ sites due to oxygen deficiency. We focus on reducing conducting current by substituting divalent cations at $Fe^{2+}$ sites. GFO thin films were grown epitaxially along b-axis normal to $SrRuO_3/SrTiO_3$ (111) substrates by pulsed laser deposition. Current density of the ion-substituted GFO thin films was reduced by $10^3$ or more. Ferroelectric properties of the ion-substituted GFO thin films were measured using macroscopic and microscopic schemes. In particular, local ferroelectric properties of the GFO thin films were exhibited and their remnant polarization and piezoelectric d33 coefficient were obtained.
The monitoring of chemical dynamic changes in controlled horticultural lands is very important for agricultural sustainability. Field monitoring was performed to evaluate the soil chemical properties of 200 controlled horticultural soil samples in Gyeongnam province every 4 years from 2000 to 2012. Soil chemical properties such as pH, amount of organic matter, available phosphate, nitrate nitrogen, and exchangeable potassium, calcium, magnesium, and sodium were analyzed. The amount of exchangeable calcium and soil pH were significantly higher in 2012 than in 2000. In 2012, the frequency distribution for values of pH, organic matter, available phosphate, and exchangeable potassium, calcium, and magnesium that were within the optimum range was 16.0%, 22.5%, 11.5%, 3.5%, 2.5%, and 5.0%, respectively. Especially, available phosphate and exchangeable calcium were excess level with portions of 76.0% and 96.5%, respectively. These results indicated that a balanced management of soil chemical properties can reduce the amount of fertilizer applied for sustainable agriculture in controlled horticultural lands.
Biodegradable epoxy (B-epoxy) was prepared from diglycidyl ether of bisphenol A and epoxidized linseed oil. The mechanical properties of B-epoxy composites reinforced with multi-walled carbon nanotubes (MWCNTs/B-epoxy) were examined by employing dynamic mechanical analysis, critical stress intensity factor ($K_{IC}$) tests, and impact strength tests. The electromagnetic interference shielding effectiveness (EMI-SE) of the composites was evaluated using reflection and absorption methods. Mechanical properties of MWCNTs/B-epoxy were enhanced with an increase in the MWCNT content, whereas they deteriorated when the MWCNT content was >5 parts per hundred resin (phr). This can likely be attributed to the entanglement of MWCNTs with each other in the B-epoxy due to the presence of an excess amount of MWCNTs. The highest EMI-SE obtained was ~16 dB for the MWCNTs/B-epoxy composites with a MWCNT content of 13 phr at 1.4 GHz. The composites (13 phr) exhibited the minimum EMI-SE (90%) when used as shielding materials at 1.4 GHz. The EMI-SE of the MWCNTs/B-epoxy also increased with an increase in the MWCNT content, which is a key factor affecting the EMI-SE.
The effects of binary solvent mixtures with various ratios of toluene and ethanol on the properties of slurries and green sheets were investigated. Viscosity of slurry was changed by varying the ratio of solvent mixture which affected the solubility of binder. The relative solvency behavior of a solvent mixture could be predicted with the Hildebrand solubility parameter(${\delta}$) and hydrogen bonding index( ${\gamma}$). The minimum viscosity, the best dispersion of binder, was reached at the composition of toluene:ethanol=4:6, which corresponded to our forecast. The mechanical properties of green sheets related to evaporation of solvents were influenced by the composition of the solvent mixture. At the azeotrope the skin was formed on a drying cast during the drying process because of fast evaporation. At a range of concentrations over 50wt% toluene, green sheets could not be fully dried at low temperature due to excessive toluene. The mechanical properties of green sheets were excellent at the azeotrope-like composition of toluene:ethanol=4:6 which has a little excess of toluene over the azeotrope.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.13
no.4
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pp.286-293
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2000
In this paper we investigated the structural dielectric and piezoelectric properties of 0.03Pb(Sb$\_$1/2//Nb$\_$1/2/)-0.97Pb(Zr$\_$0.495//Ti$\_$0.505/)O$_3$+0.5 wt% excess PbO + wt% MnO(X=0, 0.1, 0.3, 0.5, 0.7) ceramics to develop the high-power piezoelectric transformer. The piezoelectric transformers with dimension of 27.5$\times$27.5$\times$2.5[mm$^3$]were fabricated and their electrical properties were measured. Maxima of piezoelectric properties such as electro-mechanical coupling factor of 0.534 and mechanical quality factor of 1487 were obtained for the PSN-PZT with 0.3wt% MnO. voltage step-up ratios of piezoelectric transformers at 500[Ω]and no load were 0.78, 12.82, respectively. The maximum efficiency of piezoelectric transformer was 98.6% at 800[Ω]. While the 14W fluorescent lamp were driven by the piezoelectric transformer for more than 20[min], increment of temperature in the piezoelectric transformer was 7[$\^{C}$].
95Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-5PbTiO3 (hereinafter designated as 95PMN-5PT) system was prepared by the columbite-precursor method with 2 mol% excess PbO to compensate the PbO loss during thermal process. The amount of CuO was 1~10 mol%, and the effects of CuO addition on the dielectric properties of this system have been investigated. From the microstructures, XRD analysis and dielectric measurements, the solubility limit of CuO in 95PMN-5PT was found to be around 3 mol%. Lattice parameter and Curie temperature were found to be decreased as the amount of CuO increased up to the solubility limit. This result confirmed that the Cu2+-ions substituted the Pb2+-ions. It was revealed that the addition of CuO on 95PMN-5PT promoted the sinterability and properties. The room temperature dielectric constant, the loss factor and the specific resistivity of the specimens processed with optimum conditions were 23000, 1%, and 8$\times$1011Ω.cm, respectively.
Kim, S.K.;Lee, J.C.;Kang, K.H.;Yoon, K.H.;Park, L.J.;Song, J.;Han, S.O.
Proceedings of the KIEE Conference
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1999.07d
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pp.1729-1731
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1999
The effect of Na on the structural and electrical properties of CIGS films were studied and their effects on the CIGS/Mo thin film solar cells were investigated. Soda-lime glass and Corning glass were used as substrates to compare the effect of Na diffusion into CIGS film. The resistivity of CIGS films was not changed in the Cu-poor region due to diffusion of Na from soda-lime glass but was mainly determined by the surface resitivity controlled by excess Na.
Cds is possible to add excess donors and to compensate partially using other group metals as acceptors. The impurities can ble incorporated either during crysta growth or by diffusion into a bulkcrystal. The addition of rimpurities leads also to the production of vacancies in a manner depending on the atmosphere surrounding the crystal during growth, during the diffusion process or using bulk. Cds of the mentioned above affects spectral sensitivity, speed of response, the variation on photocurrent, electron life time, and decay of photoconductivity with temperature and with intensity of illumination. In the work to be deseribed, these properties have been studied between liquid nitrogen and room temperature. In addition, the electron trap distribution has been correlated with speed of response, variation of photocurrent with temperature in various atmosphere. Four major trapping levels have been observed, and their identification with impurity and vacancy levels is discussed. And also the effects of lattice imperfections on the photoconductive properties CdS were investigated in detail.
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