• 제목/요약/키워드: Etch-pit

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PAALD 방법을 이용한 TaN 박막의 구리확산방지막 특성

  • 부성은;정우철;배남진;권용범;박세종;이정희
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2002년도 추계학술대회 발표 논문집
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    • pp.14-19
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    • 2002
  • In this study, as Cu diffusion barrier, tantalum nitrides were successfully deposited on Si(100) substrate and SiO2 by plasma assisted atomic layer deposition(PAALD) and thermal ALD, using pentakis (ethylmethlyamino) tantalum (PEMAT) and $NH_3$ as precursors. The TaN films were deposited on $250^{\circ}$C by both method. The growth rates of TaN films were $0.8{\AA}$/cycle for PAALD and $0.75{\AA}$/cycle for thermal ALD. TaN films by PAALD showed good surface morphology and excellent step coverage for the trench with an aspect ratio of h/w - $1.8 : 0.12 \mu\textrm{m}$ but TaN films by thermal ALD showed bad step coverage for the same trench. The density for PAALD TaN was $11g/\textrm{cm}^3$ and one for thermal ALD TaN was $8.3g/\textrm{cm}^3$. TaN films had 3 atomic % carbon impurity and 4 atomic % oxygen impurity for PAALD and 12 atomic % carbon impurity and 9 atomic % oxygen impurity for thermal ALD. The barrier failure for Cu(200nm)/TaN(l0nm)/$SiO_2(85nm)$/Si structure was shown at temperature above $700^{\circ}$C by XRD, Cu etch pit analysis.

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Czochralki법에 의한 신압전단결정의 성장 (Growth of new piezoelectric single crystals by the czochralski method)

  • 안진호;주경;정용선;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제10권6호
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    • pp.394-399
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    • 2000
  • Langasite (LGS) is a material hoped to meet needs required of new base materials for future communication devices (e.g.SAW filters). In this study, synthesis of new materials was pursued by developing new compounds with the host structure of Langasite in hopes to obtain materials with improved characteristics; compounds including $La_3$$Ta_{0.5}$$Ga_{5.5}$$O_{14}$(LTG)and $La_3$$Nb_{0.25}$$Ta_{0.25}$$Ga_{5.5}$$O_{14}$(LNTG) were synthesized by solid state reactions. Characteristics of the compound synthesized in question were determined. The single crystals of Langasite-type were grown using the Czochralski method. The growth conditions for LTG and LNTG were studied and were found to be similar to those of LGS. The growth characteristics of LNTG were observed by studying etch pit formation density along the crystal length.

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수직 Bridgman법에 의한 InSe 단결정의 성장 및 Sn이 첨가된 InSe에서 Zn의 확산에 잔한 연구 (A study on the growth of undoped-lnSe single crystal by vertical Bridgman method and Zn diffusion in Sn-doped InSe)

  • 정회준;문동찬;김선태
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.464-467
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    • 1999
  • The undoped-InSe and Sn-doped InSe single crystals were grown by vertical Bridgman method and their properties were invesigated. The orientations and the crystallinites of these crystals were identified by X-ray diffraction(XRD), double crystal rocking curve(DCRC) and etch-pit density(EPD) measurements. From the Raman spectrum at room temperature, TO, LO modes and together with their overtones and combinations were observed. Optical properties were inves ated by PL at 12K and direct band gap of these crystals obtained from optical absorption spectrum. Compared with undo&-InSe, electrical properties of Sn-doped InSe were increased and the electrical conductivity type were n-type. But electrical properties along growth direction of crystals and radial direction of wafer showed nearly uniform distribution. The Zn diffusion mechanism in InSe could be explained by interstitial-substitutional and vacancy complex models and the activation energy of 1.15-3.01eV were needed for diffusion.fusion.

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교합면 열구 법랑질의 미세구조 및 산부식 형태 (ULTRA-STRUCTURE AND ACID ETCHING CHARACTERISTICS OF OCCLUSAL FISSURE ENAMEL)

  • 조태식;윤정훈;김수관;이상호
    • 대한소아치과학회지
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    • 제32권2호
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    • pp.321-331
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    • 2005
  • 치면열구전색제의 접착력에 영향을 줄 수 있는 교합면 열구 법랑질의 미세구조 및 산부식 형태, 그리고 산부식 형태에 영향을 줄 수 있는 prismless enamel의 존재 여부 및 법랑질의 화학적 조성을 규명하고자 소구치를 대상으로 협설면과 근원심으로 각각 절단하여 열구내의 법랑질 표면과 산부식 형태를 주사전자현미경으로 관찰하고 EDX를 사용하여 법랑질의 화학적 조성을 분석한 결과 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 열구내 법랑질은 대부분이 prismless enamel이 존재하였다. 2. 미성숙 영구치와 성숙된 영구치간의 열구내 법랑질 표면 구조 및 산부식 형태는 차이가 없었다. 3. 열구 법랑질은 부위에 관계없이 60초 산부식이 15초, 30초, 45초에 비해 산부식 효과가 가장 컸으며 15초, 30초, 45초의 산부식 시간에서는 적절한 유지력을 얻을 수 있는 산부식 상이 관찰되지 않았다. 4. 열구 법랑질의 표면을 기계적으로 제거한 경우는 30초의 산부식 시간에서도 60초 산부식 시간에 못지않은 전형적인 산부식 상이 관찰되었다. 5. 산부식 형태는 주로 rod 주위가 소실된 제 2형의 산부식 상이 관찰되었다. 6. 열구 내 법랑질의 부위별 화학적 조성의 차이는 없었으나 미성숙 영구치와 성숙된 영구치 사이의 칼슘/인 비는 유의한 차이를 보였다. 이상의 연구결과를 종합하면 교합면 열구 내 법랑질은 대부분 산에 저항성이 큰 prismless enamel로 덮여 있어 기존에 제안된 15-30초의 산부식 시간으로는 적절한 유지력을 얻을 수 있는 산부식 상을 형성할 수 없다는 사실을 알 수 있다. 따라서 기존의 제안된 산부식 시간에 대한 재고가 필요하며 이와 함께 적절한 산부식 상을 얻기 위한 방안으로 산부식 전 bur를 사용하여 열구내 법랑질 표면을 제거해 주는 보조적인 술식에 대한 검토가 필요하리라 사료된다.

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토파즈의 人工着色 處理를 위한 硏究(I) : 世界 主要 産地別 토파즈의 鑛物學的 및 化學的 特性 (A Study of Coloration of Topaz(I): Mineralogical and Chemical Study on the Topaz Selected from Some Localities of the World)

  • 한이경;박맹언;장영남
    • 한국광물학회지
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    • 제5권2호
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    • pp.109-121
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    • 1992
  • 본 연구는 토파즈의 인공착색 처리 방법을 설정하기 위하여 브라질, 중국, 인도, 나이지리아, 스리랑카 등 5개국에서 산출된 토파즈를 대상으로, 전자현미분석(EPMA), 중성자활성분석(NAA), X선 회절분석, 라만 분광분석, 주사현미경(SEM), 부식시험, 굴절률측정, 비중측정, 유체 포유물 관찰 등의 실험을 실시하여 광물학적, 화학적 특성에 관한 연구를 수행하였다. 연구 결과 토파즈는 산지에 따라 화학적, 구조적 및 물리적 특성의 차이를 나타내었으며 특히, F와 OH 고용체 함량의 차이는 물리적, 구조적 특성과 밀접한 관련성이 있음이 확인되었다. F에 대한 OH로 치환정도가 가장 높은 인도산 토파즈는 굴절률, 단위포상수 b, 단위포 체적 및 ${\Delta}021$값이 가장 크고, 비중값은 가장 작으며 스리랑카산, 중국산, 브라질산, 나이지리아산순으로 F에 대한 OH로 치환 정도가 낮다. F에 대한 OH로 치환정도가 가장 낮은 나이지리아산 토파즈는 굴절률, 단위포상수 b, 단위포 체적 및 ${\Delta}021$값이 가장 작고, 비중값은 가장 크다. 토파즈내에 함유되는 미량원소종은 Na, Fe, Br, Co, Ce, La, Sm, Th, Au, Sc, Cr 등이며 이러한 미량원소의 정성정량적 특성은 물리적 특성에는 거의 영향을 미치지 않았다. 라만 분광분석 결과 토파즈의 피크는 산지에 따라 강도의 차이를 나타내었으며 브라질산과 인도산은 455∼458($cm^{-1}$)근처의 피크, 중국산은 282∼284($cm^{-1}$) 근처의 피크가 나타나지 않았다. 산지에 따른 결정구조결함 특성은 주로 point-bottom pit의 negative crystal defect(인도산, 나이지리아산)와 curl-bottom pit의 net work defect(브라질산, 중국산)로 구분되며, 결정내에 발달하는 미세한 균열을 따라 형성된 선결함 양상(linear defect)을 보여준다. 유체 포유물의 특징은 브라질산이 액상 $CO_2$를 가지는 III형이고, 중국산에는 유체 포유물이 거의 관찰되지 않으며 단지 $10{\mu}m$이하의 매우 작은 크기인 초생포유물의 극소량 존재한다. 인도산은 기체가 풍부한 II형이고, 나이지리아산은 암염, 실바이트 등의 고체 포유물을 함유하는 IV형이며 스리랑카산은 거의 대부분의 유체 포유물이 2차 생성의 I형이 주로 형성되어 있다. 본 연구의 결과는 광물학적 특성의 차이를 갖는 산지별 토파즈의 인공착색을 위한 처리 방법을 설정하는 유용한 기초 자료로 이용될 수 있을 것이다.

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S-PRG 필러를 포함하는 치면열구전색제의 전단결합강도 및 미세누출 (Shear Bond Strength and Microleakage of a New Self-etch Sealant Containing S-PRG filler)

  • 안진선;이주현;서현우;박호원
    • 대한소아치과학회지
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    • 제43권4호
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    • pp.347-353
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    • 2016
  • 본 연구의 목적은 S-PRG 필러를 포함하는 치면열구전색제(BeautiSealant)의 법랑질 전단결합강도 및 미세누출을 평가함에 있다. 45개의 소구치를 실험대상으로 사용하였으며, 자가부식 프라이머 도포 후 BeautiSealant를 적용한 군(SEPBS), 인산 부식 후 BeautiSealant를 적용한 군(AEBS), 인산 부식 후 $Clinpro^{TM}$ sealant를 적용한 군(AECP)으로 나누어 실험하였다. 전단결합강도 측정을 위해 치면열구전색제 블록을 법랑질 표면에 적용하였고, 미세누출을 평가하기 위해 소구치의 소와열구에 치면열구전색제를 도포하였다. 전단결합강도와 관련하여 SEPBS군은 AEBS, AECP군에 비해 유의하게 낮은 값을 보였으나(p < 0.05), AEBS군과 AECP군 사이에는 통계적으로 유의한 차이가 존재하지 않았다. 미세누출과 관련하여 3군 사이에 통계적으로 유의한 차이가 존재하지 않았다.

Floating Zone법에 의한 Mn-Zn Ferrite 단결정성장에 관한 연구 (The Study on the Crystal Growing of Mn-Zn Ferrite Single Crystals by Floating Zone Method)

  • 정재우;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제2권1호
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    • pp.10-19
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    • 1992
  • Soft Ferrites 가운데 대표적인 자성재료로써 최근에 개발된 Mn-Zn Ferrite는 높은 초기투자율과 포화자속밀도, 낮은 손실계수를 갖고 있으며 또한, 단결정으로써의 기계적 특성이 우수하며 VTR Head의 소재로 사용되는 중요한 전자부품이다. melt를 수용하는 도가니를 사용치 않아 결정으로의 불순물 침입이 없으며 halogen lamp로부터 방출된 적외선을 열원으로 하여 한 곳에 초점을 이루어 온도구배를 크게 유지하여 결정성장을 이루는 Floating Zone(FZ)법에 의해 Ar 및 $O_2$혼합가스 분위기 하에서 직경 8mm의 Mn-Zn Ferrite 단결정을 육성하였다. 성장 중 용융대에서의 최고온도는 $1650^{\circ}C$ 온도를 유지하였고 결정성장 속도는 10mm/hr, 회전속도는 20 rpm 이었으며 성장방위를 확인하기 위해 Laue 분석 및 XRD, TEM을 이용, 결정의 상등을 분석하였으며 화학적인 etching을 하여 광학현미경을 통해 etch pits 형상을 관찰하였다. 그리고 양질의 결정을 얻기 위해 원료봉 직경에 따른 결정화 속도와 적정한 melt직경과 길이에 대한 상관관계를 찾아내었고 또한 성장계면의 양상에 대해 고찰하였다.

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Czochralski법으로 성장된 RE : YAG(RE = Nd3+, Er3+) 단결정의 결함분석 (Defects analysis of RE : YAG (RE = Nd3+, Er3+) single crystal synthesized by Czochralski method)

  • 박청호;주영준;김혜영;심장보;김철진
    • 한국결정성장학회지
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    • 제26권1호
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    • pp.1-7
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    • 2016
  • RE : YAG 단결정은 레이저 발진 소재로 다양한 성장 변수를 제어하면서 Czochralski법으로 성장된다. 성장과정 동안 고액계면의 온도구배 및 회전속도에 의해 발생하는 결함들은 결정의 광학적 특성 저하로 작용하기 때문에 결함 분석을 통한 결정 품질의 향상을 필요로 한다. 격자결함 밀도 분석(EPD)을 통하여 성장된 RE : YAG 단결정의 표면 결함 존재를 확인하였고, 이를 통해 투과전자현미경(TEM) 분석영역을 선택하였다. 선택한 영역의 시편은 트라이포드 연마 방법으로 제작하였고, 200 kV 투과전자현미경과 300 kV 전계 방사형 투과전자현미경(FE-TEM)을 사용하여 buckling, rod shaped, 내부응력에 의한 bend contours, 편석 등의 결함들을 관찰하였다.

규소 결정 표면의 구조 결함의 형성에 미치는 기계적 손상의 영향 (The influence of mechanical damage on the formation of the structural defects on the silicon surface during oxidation)

  • 김대일;김종범;김영관
    • 한국결정성장학회지
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    • 제15권2호
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    • pp.45-50
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    • 2005
  • 규소 표면의 기계적 손상은 산화 공정 중에 규소 표면에 여러 가지 형태의 결함들을 발생 시킨다. 규소 표면에 손상을 주는 마모 입자가 커짐에 따라 OISF보다는 etch pit의 형상이 동굴형인 선 결함(line defects)들이 많이 발생된다. 이들 결함들은 실리콘 결정을 성장시키는 단계에서 형성되는 결함들과는 상호 관련이 없다. 방향성 응고법으로 성장된 규소 결정속에 존재하는 결함들은 주로 twin과 stacking fault들이며 응고과정에서 발생이 예상되는 응력에 의한 전위는 거의 발견되지 않았다. 따라서 Czochralski 법으로 성장된 단 결정 규소뿐 아니라 방향성 응고법으로 성장된 다 결정 규소 기판도 표면의 결함들을 이용하여 extrinsic gettering을 통한 규소 결정 내부의 불순물 제거의 가능성이 높다.

혼합기체 sputtering 법으로 증착된 Cu 확산방지막으로의 Ti-Si-N 박막의 특성 연구 (A Study of Reactively Sputtered Ti-Si-N Diffusion Barrier for Cu Metallization)

  • 박상기;이재갑
    • 한국재료학회지
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    • 제9권5호
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    • pp.503-508
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    • 1999
  • We have investigated the physical and diffusion barrier property of Ti-Si-N film for Cu metallization. The ternary compound was deposited by using reactive rf magnetron sputtering of a TiSi$_2$target in an Ar/$N_2$gas mixture. Resistivities of the films were in range of 358$\mu$$\Omega$-cm, to 307941$\mu$$\Omega$-cm, and tended to increase with increasing the $N_2$/Ar flow rate ratio. The crystallization of the Ti-Si-N compound started to occur at 100$0^{\circ}C$ with the phases of TiN and Si$_3$N$_4$identified by using XRD(X-ray Diffractometer). The degree of the crystallization was influenced by the $N_2$/Ar flow ratio. The diffusion barrier property of Ti-Si-N film for Cu metallization was determined by AES, XRD and etch pit by secco etching, revealing the failure temperature of 90$0^{\circ}C$ in 43~45at% of nitrogen content. In addition, the very thin compound (10nm) with 43~45at% nitrogen content remained stable up to $700^{\circ}C$. Furthermore, thermal treatment in vacuum at $600^{\circ}C$ improved the barrier property of the Ti-Si-N film deposited at the $N_2$(Ar+$N_2$) ratio of 0.05. The addition of Ti interlayer between Ti-Si-N films caused the drastic decrease of the resistivity with slight degradation of diffusion barrier properties of the compound.

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