The ramp waveform has recently been introduced to erase wall charges of the previously selected cells for plasma display. However. the ramp waveform can't completely remove wall charges. In this paper. we suggested new erase waveform having a complex with close width pulse and ramp pulse for complete erasing. The erasing margin of suggested waveform is wider than the conventional waveform. Moreover. suggested wave form can reduce the erasing time compared.
The effects of the substrate bias on the performance of programming erasing in p-channel flash memory cell have been investigated. It is found that applying positive substrate bias can improve the programming and erasing speed. This improvements can be explained by Substrate Current Induced Hot Electron Injection. From the results, we can confirm that BTB programming method is better in programming and erasing speed than CHE programming method.
$0.8{\mu}m$ 표준 CMOS 공정을 이용하여 단층 다결정 실리콘 EEPROM을 설계$0{\cdot}$제작하였다. 프로그램 및 소거특성을 분석한 결과 프로그램 시간은 약 10 ms이하였으나 소거시간이 약 100 ms로 큰 것을 알 수 있었다. 소거시간을 개선하기 위하여 여러 가지의 소거방식을 사용하였다. 그리고 프로그램과 소거시 산호막에 포획된 전자로 인하여 endurance 특성이 나빠지는 것을 개선하기 위하여 소스/드레인 두단자를 통한 소거방법을 이용하였다. 그 결과 단층 다결정 실리콘 EEPROM의 endurance 특성이 기존보다 훨씬 개선된 것을 알 수 있다.
Data augmentation has been helpful in improving the performance in deep learning, when we have a limited data and random erasing is one of the augmentations that have shown impressive performance in deep learning in multiple domains. But the main issue is that sometime it loses good features when randomly selected region is erased by some random values, that does not improve performance as it should. We target that problem in way that good features should not be lost and also want random erasing at the same time. For that purpose, we introduce new augmentation technique named Intra-Class Random Erasing (ICRE) that focuses on data to learn robust features of the same class samples by randomly exchanging randomly selected region. We perform multiple experiments by using different models including resnet18, VGG16 over variety of the datasets including ESC10, UrbanSound8K. Our approach has shown effectiveness over others methods including random erasing.
Many research group started study to develope x-ray detector using thin film transistor from 1970. But realization of TFT based x-ray detector development was caused by progress of thin film transistor liquid crystal display(TFTLCD) device technology in 1990. The main current of TFT technology is display device. Research results expend TFT technology field from display device to sensor manufacture technology. These days many research group in the world realize various digital x-ray detector. In this study, We compare discharge erasing method to visible light erasing method in a-Se based digital x-ray detector. Visible light erasing method is known reset process in direct conversion x-ray detector. Digital x-ray detector using visible light erasing method is not adaptive for conventional x-ray device, because of its thickness. And it is not avaliable for real-time imaging for digital fluoroscopy, because of its long reset time. In this study we overcome these limitations and show new idea for real-time imaging method.
In this work, single-poly EEPROM has been designed and fabricated by using standard 0.8.mu.m CMOS process. The initial threshold voltage was aobut 0.8V but it increased ot about 6.5V after programming at Vds=11.5V and Vcg=6.5V. After erasing devices at Vs=14.2V, the threshold voltage decreased to about 1.5V. The programming time and erasing trime wree about 6ms. and 100ms. respectively. The erasing time can be reduced by applying a series of shorter erase pulse s instead of a long single erase pulse.
In this paper, we used the V-Q Lissajous‘ figure for studying on the plasma discharge characteristics of the 42 inches AC-PDP. From the V-Q Lissajous‘ figure, we could observe exactly the driving conditions that the self-erasing discharge takes place. At the time, the total wall charges lessened by self-erasing discharge was calculated quantitatively. Beside of the just observation of self-erasing discharge and calculation of the charges lessened, we could find out the optimum driving conditions for inducing the maximum wall charges accumulated on the dielectric layer with measuring the Wall voltage from the V-Q Lissajous' figure.
The electro-thermal erasing (ETE) configuration utilizes Joule heating intentionally generated at word-line (WL). The elevated temperature by heat physically removes stored electrons permanently within a very short time. Though the ETE configuration is a promising next generation NAND flash memory candidate, a consideration of power efficiency and erasing speed with respect to device structure and its scaling has not yet been demonstrated. In this context, based on 3-dimensional (3-D) thermal simulations, this paper discusses the impact of device structure and scaling on ETE efficiency. The results are used to produce guidelines for ETEs that will have lower power consumption and faster speed.
본 연구에서는 현대 사회의 주요 흐름인 '발전과 진화'의 방향성에서 한발 물러나, '지우는' 경험과 그 감성에 대한 연구 가능성을 탐색하고자 하였다. 이를 위해, 지금까지 많은 주목을 받지 못한 키워드인 지우는 경험에 대한 통합적 문헌조사를 우선적으로 수행하였으며, 이를 토대로 실제 사용자들을 대상으로 하는 맥락 질문법을 진행하였다. 맥락 질문법의 경우, 아날로그적인 연필-지우개 사용맥락, 디지털의 대표적인 맥락인 컴퓨터-키보드 사용맥락, 마지막으로 최근 활발한 활용을 보이는 Tablet PC 사용맥락에 따른 사용자들을 모집한 후, 각각의 사용맥락에 대한 In-depth한 정성적 인터뷰 및 정량적 자료 수집을 진행하였다. 결과적으로, 지우는 맥락에서는 특정 내용을 잘 지워내는 상황적 효용뿐만 아니라 이를 수행하는 사용자에게도 정서적으로 만족스러운 경험을 제공해야함을 확인할 수 있었다. 해당 연구에서 진행된 탐험적 시도 및 실증적 결과들은 향후 연구들에 대한 학술적 접근과 함께 실용적 관점에서의 디자인 함의를 제공할 수 있을 것으로 기대된다.
플라즈마 디스플레이 패널의 발광효율을 개선하기 위하여 sustain 구간의 파형을 변화시킨 새로운 구동파 형을 제안하였다. 제안된 sustain 파형은 기존의 구형파에 기울기를 가진 ramp 형태의 파형을 덧붙여 줌으로써 Self-Erasing을 유도하는 파형이다. 기존에 제안된 Self-Erasing을 이용한 구동방식은 높은 구동주파수(>150kHz)에서만 발광효율이 개선되는 반면, 본 논문에서 제안하는 파형은 낮은 구동주파수(25kHz)에서도 30%정도의 발광효율이 개선되었다. 본 논문의 결과로부터 주파수, 듀티, 기울기 등의 다양한 구동조건에서의 연구가 진행된다면 더 큰 발광효율개선이 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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