• 한국진공학회지
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• 제12권2호
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• pp.105-111
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• 2003

Gas cluster 실험에서 reflectron을 mass selector로서 사용 가능한지를 알아보기 위하여 ‘SIMION’ program을 이용하여 computer simulation하였다. Reflectron 내에서 입자의 비행경로는 질량과는 무관하고 에너지에 따라 변한다. 그러나 $(CO_2)n $ gas cluster의 경우, reflecron을 통과한 직후 cluster의 위치는 cluster의 질량에 따라 공간적으로 분포한다는 것을 알았다. 이것은 cluster의 E/m이 일정하기 때문에 나타난 것으로, 이러한 질량의 공간 분해능이 있기 때문에 reflectron을 mass selector로서 이용할 수 있다는 것을 확인하였다 질량 분해능은 cluster size와 입사각에는 무관하고, 입사위치에 비례한다는 것을 알았다. 이것은 reflectron의 크기를 조정함으로서 질량 분해능을 향상시킬 수 있다는 것을 의미한다. 그러므로 gas cluster 실험에서 reflectron은 질량 분해능이 대단히 우수한 mass selector로서 응용할 수 있다는 것을 확인하였다.

• Journal of the Korean Physical Society
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• 제80권
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• pp.1076-1080
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• 2022

For preventing a sneak current in the 3D cross-point array, the selection device is essentially necessary and an n-MOSFET has been used for the selection device. However, the three-terminal electrodes of n-MOSFET make to achieve a high density of a cross-point array difficult. As a solution, using a selector having two terminal electrodes has been intensively researched. We presented that the CuGeS₂/GeS₂-based super-linear-threshold-switching (SLTS) selector device with the insertion of optimal TiN liner thickness exhibited outstanding electrical characteristics and reliability. The dependency of electrical characteristics and reliability on various TiN liner thicknesses were investigated. In addition, the principles of reliability and electrical characteristics improvement were understood through the energy dispersive spectroscopy elemental mapping and line profile of Cu. The adequate amount of Cu distributed in GeS₂ resistive switching layer is a key factor to achieve excellent electrical characteristics and reliability for an ultra-high-density 3D cross-point array cell.

• 정보처리학회논문지:컴퓨터 및 통신 시스템
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• 제1권1호
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• pp.1-10
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• 2012

본 논문은 레벨1 캐시에서 가장 우수한 수준의 에너지 효율을 제공하는 웨이룩업캐시와 레벨2 캐시에서 가장 높은 에너지 효율을 제공하는 웨이추적캐시의 장점을 결합하여, 모든 레벨의 캐시에서 가장 높은 수준의 에너지 효율을 제공하는 이중웨이선택캐시를 제안한다. Alpha 21264 프로세서의 예를 이용한 시뮬레이션 결과에 따르면, 이중웨이선택캐시는 레벨1 명령어캐시에서 일반적인 연관사상캐시에 비해 27.57%의 에너지를 소비하여, 웨이룩업캐시와 같은 수준의 에너지 효율을 제공한다. 그리고 이중웨이선택캐시는 레벨1 데이터 캐시에서 일반적인 연관사상캐시에 비해 28.42%의 에너지를 소비하며, 이는 웨이룩업캐시에 비해 에너지 소비가 15.54% 감소한 것이다. 또한 이중웨이선택캐시는 레벨2 캐시에서 일반적인 연관사상캐시에 비해 15.41%의 에너지를 소비하며, 이는 웨이추적캐시에 비해 에너지 소비가 16.16% 감소한 것이다.

• 대한전자공학회논문지TE
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• 제39권2호
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• pp.44-50
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• 2002

ES(Exponentially weighted Stepsize) 알고리즘을 이용한 기존의 음향 반향 제거기는 동작 구조가 간단하고, NLMS 알고리즘에 비해 빠른 수렴 속도를 갖지만, 외부 잡음에 약하다. 그 이유는 ES 알고리즘은 특정 음향학적 조건에서 결정된 공간 임펄스 응답의 평균 에너지 감쇄율을 이용해 필터의 탭을 업데이트하기 때문이다. 본 논문에서는 Stepsize 생성기와 선택기를 추가한 새로운 구조의 음향 반향 제거기를 제안하였다. 제안된 Stepsize 생성기와 선택기는 외부 노이즈에 대한 기존의 음향 반향 제거기의 단점을 개선하여, 음향 반향 제거 시스템의 강건함을 향상시켜준다. Stepsize 생성기는 이동 평균기를 이용하여 별도의 Stepsize 값을 생성한다. 이 때 생성된 Stepsize 값은 잔여 에러양의 에너지 값에 상수 ${\gamma}$를 곱해준 결과이다. Stepsize 선택기는 계수 선택 요소${\Delta}_{differ}$를 이용해 음향 반향 제거기가 좀 더 향상된 성능을 갖을 수 있는 Stepsize 값을 선택한다. 본 논문의 시뮬레이션 결과는 외부 노이즈의 SNR에 관계없이 제안된 알고리즘은 잔여 에러양을 5[dB]에서 10[dB]정도 저하시켰고, 조절 오차의 양도 크게 개선되었음을 보여준다.

• 한국태양에너지학회 논문집
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• 제32권2호
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• pp.113-119
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• 2012

This study aims to examine the effect of the combined application of green roof and PV system on the PV efficiency by measuring the temperature and performance of PV module in order to reduce the temperature on the roof using roof planting system and determine the potential of efficient increase in solar-light power generation. In the experimental methodology, either monocrystalline or polycrystalline PV module was installed in green roof or non-green roof, and then the surface temperature of PV was measured by TR-71U thermometer and again the performance, module body temperature, and conversion efficiency were measured by MP-160, TC selector MI-540, and PV selector MI-520, respectively. As a result, the average body temperature of monocrystalline module was lower by $6.5^{\circ}C$ in green roof than in non-green roof; that of polycrystalline module was lower by $8.8^{\circ}C$ in green roof than in non-green roof. In the difference of generation, the electricity generation of monocrystalline module in green roof was 46.13W, but that of polycrystalline module was 68.82 W, which indicated that the latter produced 22.69W more than the former.

• 한국진공학회지
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• 제17권4호
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• pp.311-316
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• 2008

저에너지(수 eV) 양전자 빔을 이용하여 도체나 반도체의 표면/계면의 물리화학적 특성 분석에 독특한 유용성이 보고 되고 있다. 기존의 표면 분석법에 비해 표면의 선택도가 향상되어 반도체 소자의 박막 두께가 얇아지는 최신기술에 적합한 분석법으로 주목을 받고 있다. 물질표면에 조사된 저에너지 양전자는 표면 근처의 image potential에 포획이 되어 표면에 있는 전자들과 쌍소멸하며 Auger 전자를 방출한다. 표면으로부터 방출된 Auger 전자의 에너지를 측정함으로 원자의 화학적 구별이 가능하므로 검출기의 에너지 분해도가 중요하다. 기존의 ExB 형태의 에너지 측정기는 분해도가 $6{\sim}10\;eV$ 정도이고 특정한 에너지 영역만을 일정시간 스캔하여 스펙트럼을 측정하므로 측정시간이 길어진다는 단점이 있다. 반면에 Time-Of-Flight(TOF) 시스템은 방출되는 전자들의 에너지를 동시에 검출하므로 측정시간이 단축되어 측정 효율이 향상된다. 에너지 분해도를 높이기 위해서는 측정하고자 하는 전자의 진행거리를 길게 할수록 좋으나, 공간적 제약을 고려한 reflected TOF 시스템과 retarding tube을 이용한 linear TOF 시스템의 에너지 분해도를 이론적으로 시뮬레이션하였다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제20권4호
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• pp.10-15
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• 2021

Cache bypassing schemes have been studied to remove unnecessary updating the data in cache blocks. Among them, a statistics-based cache bypassing method for asymmetric-access caches is one of the most efficient approach for non-voliatile memories and shows the lowest cache access latency. However, it is proposed under the condition of the normal cache system, so further study is required for the hybrid cache architecture. This paper proposes a novel cache bypassing scheme, called hybrid bypassing block selector. In the proposal, the new model is established considering the SRAM region and the non-volatile memory region separately. Based on the model, hybrid bypassing decision block is implemented. Experiments show that the hybrid bypassing decision block saves overall energy consumption by 21.5%.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권7호
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• pp.537-542
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• 2011

Recently, n-InZnO/p-CuO oxide diode has attracted great attention due to possible application for selector device of 3-dimensional cross-point resistive memory structures. To investigate the detailed properties of InZnO (IZO), we have deposited IZO films on the fused quartz substrate using PLD (pulsed laser deposition) method at oxygen pressure of 1~100 mTorr and substrate temperature of RT$\sim600^{\circ}C$. The influence of oxygen pressure and substrate temperature on structural, optical and electrical of IZO films is analyzed using XRD (x-ray diffraction), SEM (scanning electron microscopy), UV-Vis spectrophotometry, spectroscopic ellipsometry (SE) and hall measurements. The XRD results shows that the deposited thin films are polycrystalline over $300^{\circ}C$ of substrate temperature independent of oxygen pressure. The resistivity of films was increased as oxygen pressure and substrate temperature decrease. The thickness and optical constants of the deposited films measured with UV-Vis spectrophotometer were also compared with those of broken SEM and SE results.

• 한국방사선학회논문지
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• 제4권2호
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• pp.21-25
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• 2010

최근 진단 X선 검출기 적용을 위한 방사선 검출물질로 반도체 화합물에 대한 많은 연구가 되고 있다. 본 연구에서는 반도체 화합물 중 광민감도가 우수하고 X선 흡수율이 높은 CdS 반도체를 이용하여 검출센서를 제작하였으며, 진단 X선 발생장치에서의 에너지 영역에 대한 검출 특성을 조사함으로써 적용 가능성을 평가하였다. 센서 제작은 CdS 센서로부터의 신호 획득 및 정량화를 위한 Line voltage selector(LCV)를 제작하였으며, 전압감지회로 및 정류회로부를 설계 제작하였다. 또한 X선 노출조건에 따른 상호연과 알고리즘을 이용하였으면, DAC 컨트롤러와의 Interface board를 설계 제작하였다. 성능평가는 X선 발생장치의 조사조건인 관전압, 관전류 및 조사시간별 저항변화에 따른 전압파형 특성을 오실로스코프로 획득하여 ANOVA 프로그램을 이용하여 데이터를 통계 처리 및 분석하였다. 측정결과, 관전압과 관전류이 증가할수록 오차의 비가 감소하였으며, 90kVp에서 6%, 320 mA에서 0.4% 이하의 좋은 특성을 보였으며, 결정계수는 약 0.98로 1:1의 상관관계를 보였다. X선 조사시간에 따른 오차율은 CdS 물질의 늦은 반응속도에 기인하여 조사시간이 길어질수록 지수적으로 감소하는 것을 알 수 있었으며, 320 msec에서 2.3%의 오차율을 보였다. 끝으로 X선 선량에 따른 오차율은 약 10% 이하였으며, 0.9898의 결정계수로 매우 높은 상관관계를 보였다.

• 한국재료학회지
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• 제27권1호
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• pp.32-38
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• 2017

Insulating $TaN_x$ films were grown by plasma enhanced atomic layer deposition using butylimido tris dimethylamido tantalum and $N_2+H_2$ mixed gas as metalorganic source and reactance gas, respectively. Crossbar devices having a $Pt/TaN_x/Pt$ stack were fabricated and their electrical properties were examined. The crossbar devices exhibited temperature-dependent nonlinear I (current) - V (voltage) characteristics in the temperature range of 90-300 K. Various electrical conduction mechanisms were adopted to understand the governing electrical conduction mechanism in the device. Among them, the PooleFrenkel emission model, which uses a bulk-limited conduction mechanism, may successfully fit with the I - V characteristics of the devices with 5- and 18-nm-thick $TaN_x$ films. Values of ~0.4 eV of trap energy and ~20 of dielectric constant were extracted from the fitting. These results can be well explained by the amorphous micro-structure and point defects, such as oxygen substitution ($O_N$) and interstitial nitrogen ($N_i$) in the $TaN_x$ films, which were revealed by transmission electron microscopy and UV-Visible spectroscopy. The nonlinear conduction characteristics of $TaN_x$ film can make this film useful as a selector device for a crossbar array of a resistive switching random access memory or a synaptic device.