A Study on the Silicon Damages and Ultra-Low Energy Boron Ion Implantation using Classical Molecular Dynamics Simulation (고전 분자 동 역학 시뮬레이션을 이용한 실리콘 격자 손상과 극 저 에너지 붕소 이온 주입에 관한 연구)
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- Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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- v.35D no.12
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- pp.30-40
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- 1998