• 제목/요약/키워드: Embedded memory

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내장된 이중 포트 메모리 테스트를 위한 CM2 테스트 알고리즘 (CM2 Test Algorithm for Embedded Dual Port Memory)

  • 양선웅;장훈
    • 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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    • 제28권6호
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    • pp.310-316
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    • 2001
  • 본 논문에서는 10N March 테스트 알고리즘에 기반한 내장된 이중 포트 메모리를 위한 효율적인 테스트 알고리즘을 제안하였다. 제안된 알고리즘은 각각의 포트에 대해 독립적으로 테스트 알고리즘을 적용함으로써 각각의 포트에 대해서 단일 포트 메모리 테스트 알고리즘을 적용하는 방법에 비해 시간 복잡도를 20N에서 8.5N으로 시간 복잡도를 줄였다. 그리고 제안된 알고리즘은 주소 디코더 고장, 고착 고장, 천이 고장, 반전 결합 고장, 동행 결합 고장을 모두 검출할 수 있다.

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IC Interposer Technology Trends

  • Min, Byoung-Youl
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 International Symposium
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    • pp.3-17
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    • 2003
  • .Package Trend -> Memory : Lighter, Thinner, Smaller & High Density => SiP, 3D Stack -> MPU : High Pin Counts & Multi-functional => FCBGA .Interposer Trend -> Via - Unfilled Via => Filled Via - Staggered Via => Stacked Via -> Emergence of All-layer Build-up Processes -> Interposer Material Requirement => Low CTE, Low $D_{k}$, Low $D_{f}$, Halogen-free .New Technology Concept -> Embedded Passives, Imprint, MLTS, BBUL etc.

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StrongARM을 이용한 원격 감시시스템 (Remote Monitoring Systems Using StrongARM)

  • 임홍식;남현도;강철구
    • 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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    • 한국조명전기설비학회 2003년도 학술대회논문집
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    • pp.259-264
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    • 2003
  • In this paper, web based monitoring systems are implemented using embedded Linux. The external equipment is controlled via HTTP protocol and web browser program. HTTP protocol is ported into Linux. A micro web server program and external equipment control program are installed on-board memory using CGI to be accessed by web browser. Experimental result of the proposed web based monitoring systems can be used in automation systems and remote distributed control via internet using web browser.

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내장 메모리 테스트 시스템 설계 (Design of Embedded Memory Test System)

  • 김지호;윤대한;송오영
    • 한국정보처리학회:학술대회논문집
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    • 한국정보처리학회 2002년도 춘계학술발표논문집 (하)
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    • pp.1631-1634
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    • 2002
  • 본 논문에서는 PC상에서 내장 메모리를 테스트 할 수 있는 테스트 시스템을 구현하였다. 테스트상으로는 Synchronous DRAM을 사용하였고 내장 자체 테스트 회로에 10N March C 알고리즘을 적용, DSRAM, SRAM을 제어하는 테스트 시스템 제어기를 설계하였다. 본 테스트 시스템은 메모리 테스트 검증을 고가의 테스트 장비 없이 용이하게 하도록 설계되었다.

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라이트 백 캐쉬를 위한 빠른 라이트 백 기법 (The Early Write Back Scheme For Write-Back Cache)

  • 정영진;이길환;이용석
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제46권11호
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    • pp.101-109
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    • 2009
  • 일반적으로 3차원 그래픽 깊이 캐쉬와 픽셀 캐쉬는 메모리 대역폭의 효율적인 사용을 위하여 라이트 백(write-back) 캐쉬로 설계된다. 또한 3차원 그래픽 특성상 캐쉬 읽기 접근을 시도한 주소에 대한 캐쉬 쓰기 접근 혹은 읽기 접근이 발생하지 않고 캐쉬 쓰기 접근만 발생하는 경우가 많다. 캐쉬 메모리의 모든 블록이 사용되고 있는 상태에서 캐쉬 접근 실패가 발생하면 캐쉬 메모리 한 블록이 교체 알고리즘(replacement algorithm)에 의하여 한 블록을 라이트 백 동작을 실행하고 그 블록에 다른 데이터를 저장한다. 이러한 캐쉬 접근 실패 발생은 방출되는 캐쉬 메모리 한 블록의 데이터를 저장하기 위한 외부 메모리 쓰기 접근과 캐쉬 접근 실패를 처리하기 위한 외부 메모리 접근을 동시에 발생시킨다. 따라서 연속적인 캐쉬 접근 실패가 발생하는 경우 다량의 메모리 읽기와 쓰기 접근이 동시에 발생되어 메모리 병목현상을 유발시키고 이는 결국 메모리 접근 소요 시간을 길어지게 한다. 이와 같이 연속적인 캐쉬 접근 실패는 캐쉬를 사용하는 프로세서나 IP의 성능 저하와 전력소비 증가를 유발한다. 본 논문에서는 캐쉬 사용 시 발생하는 메모리 병목현상을 최소화하기 위하여 빠른 라이트 백이라는 새로운 방법을 사용하였다. 이 방법은 캐쉬 메모리 블록에 들어있는 유효 데이터를 방출하는 시점을 조절하여 외부 메모리 접근이 다량으로 몰리는 것을 방지하는 것이다. 즉 같은 메모리 용량과 접근 성공율을 가지는 캐쉬의 성능을 증가시킬 수 있는 방법이다. 이를 통하여 메모리 병목 현상을 완화시킬 수 있고 또한 캐쉬 접근 실패 시 소요되는 평균 메모리 접근 소요시간을 줄일 수 있다. 이러한 새로운 캐쉬 구조를 위한 실험은 ARM11, 3차원 그래픽 가속기 및 다양한 IP들이 내장되어 있는 SoC 환경에서 3차원 그래픽 가속기의 깊이 캐쉬와 픽셀 캐쉬에 적용하여 진행하였으며 여러 가지 실험 벡터를 이용하여 결과를 측정하였을때 성능을 향상시킬 수 있다.

뉴메모리+DRAM 하이브리드 메모리 시스템에서의 고속부팅 기법 연구 (A Study of a Fast Booting Technique for a New memory+DRAM Hybrid Memory System)

  • 송현호;문영제;박재형;노삼혁
    • 정보과학회 논문지
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    • 제42권4호
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    • pp.434-441
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    • 2015
  • 뉴메모리는 차세대 메모리 기술로써 비휘발성과 바이트 단위의 임의 접근성을 가지고 있다. 뉴메모리의 이러한 특성들은 기존의 정형화된 컴퓨터 시스템 구조에 변화를 가져올 것으로 예상된다. 본 연구는 뉴메모리와 DRAM이 공존하는 하이브리드 메인 메모리 구조에서의 고속 부팅 기법을 제안한다. 고속부팅 기법은 본 연구에서 개발한 MMU 변환 테이블을 이용한 쓰기 추적 기술을 이용하였다. 쓰기 추적기술을 이용하여 부팅 이후의 업데이트를 감지할 수 있었고, 부팅 이후의 업데이트를 다른 곳에 저장함으로써 부팅 완료 이미지가 훼손되는 것을 막을 수 있었다. 실제 고속 부팅 시에는 보존된 부팅 완료 이미지를 이용하여 부팅된 상태로 돌아가기 때문에 빠른 부팅이 될 수 있다. 본 연구의 고속 부팅 기법의 성능을 측정하기 위하여 뉴메모리가 장착된 실제 임베디드 실험 보드에서 고속 부팅 시스템을 개발하였으며, 고속 부팅 시간은 0.5초 이내로 빠른 부팅이 가능하였다.

스토리지 클래스 램을 위한 통합 소프트웨어 구조 (A Unified Software Architecture for Storage Class Random Access Memory)

  • 백승재;최종무
    • 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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    • 제36권3호
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    • pp.171-180
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    • 2009
  • 바이트 단위 임의 접근이라는 램 특성과, 비휘발성이라는 디스크의 특성을 동시에 제공하는 FeRAM, MRAM, PRAM등의 스토리지 클래스 램(Storage Class Random Access Memory, SCRAM)이 소형 임베디드 시스템을 중심으로 점차 그 활용범위를 넓혀가고 있다. 본 논문에서는 SCRAM을 주기억 장치 및 보조 기억 장치로서 동시에 사용할 수 있는 차세대 통합 소프트웨어 구조를 제안한다. 제안된 구조는 크게 스토리지 클래스 램 드라이버(SCRAM Driver)와 스토리지 클래스 램 관리자(SCRAM Manager)로 구성된다. SCRAM Driver는 SCRAM을 직접 관리하며, FAT이나 Ext2와 같은 전통적인 파일 시스템이나 버디 할당자와 같은 전통적인 메모리 관리자, 혹은 SCRAM Manager 등의 상위 소프트웨어 계층에 저수준 인터페이스를 제공한다. SCRAM Manager는 파일 객체와 메모리 객체를 통합하여 관리함으로써 이들 간에 부가적인 비용이 없는 변환을 가능케 한다. 제안된 기법은 FeRAM이 장착된 실제 시스템에서 실험되었으며, 실험 결과를 통해 SCRAM Driver가 효율적으로 전통적인 파일시스템과 메모리 관리자가 요구하는 기능을 제공할 수 있음을 보였다. 또한 기존의 파일 시스템과 메모리 관리자를 통해 각각 SCRAM을 접하는 경우보다 SCRAM Manager가 수십 배 빠른 성능을 보임을 확인할 수 있었다.

확장 명령어 32비트 마이크로 프로세서에 관한 연구 (A Study on Extendable Instruction Set Computer 32 bit Microprocessor)

  • 조건영
    • 전자공학회논문지D
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    • 제36D권5호
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    • pp.11-20
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    • 1999
  • 마이크로 프로세서의 동작 속도가 빨라지면서 메모리의 데이터 전송 폭이 시스템 성능을 제한하는 중요 인자가 되고 있다. 또한 CPU와 메모리 및 입출력회로가 하나의 반도체에 집적되는 실장 제어용 마이크로 프로세서의 가격을 낮추기 위해서 메모리 크기를 줄이는 것이 중요하다. 본 논문에서는 코드 밀도가 높은 32 비트 마이크로 프로세서 구조로 가칭 확장 명령어 세트 컴퓨터(Extendable Instruction Set Computer: EISC)를 제안한다. 32 비트 EISC는 16개의 범용 레지스타를 가지며, 16 비트 고정 길이 명령어, 짧은 오프셋 인덱스 어드래싱과 짧은 상수 오퍼랜드 명령어를 가지며, 확장 레지스타와 확장 프래그를 사용하여 오프셋 및 상수 오퍼랜드를 확장할 수 있다. 32비트 EISC는 FPGA로 구현하여 1.8432MHz에서 모든 기능이 정상적으로 동작하는 것을 확이하였고, 크로스 어셈블러와 크로스 C/C++ 컴파일러 및 명령어 시뮬레이터를 설계하고 동작을 검증하였다. 제안한 EISC의 코드 밀도는 기존 RISC의 140-220%, 기존 CISC의 120-140%로 현격하게 높은 장점을 가진다. 따라서 데이터 전송 폭을 적게 요구하므로 차세대 컴퓨터 구조로 적합하고, 프로그램 메모리 크기가 작아지므로 실장 제어용 마이크로 프로세서에 적합하기 때문에 폭 넓은 활용이 기대된다.

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미세역학적 시험법을 이용한 단-섬유 형태 형상기억합금/에폭시 복합재료의 계면특성 및 응력-경화 감지능 (Interfacial Properties and Stress-Cure Sensing of Single-Shape Memory Alloy (SMA) Fiber/Epoxy Composites using Electro-Micromechanical Techniques)

  • 장정훈;김평기;왕작가;이상일;박종만
    • 접착 및 계면
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    • 제9권3호
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    • pp.20-26
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    • 2008
  • 형상기억합금(SMA)의 구조는 부가된 온도 혹은 응력에 의해 마텐자이트로부터 오스테나이트로의 변화가 가능하다는 것은 잘 알려져 있다. 형상기억합금섬유의 자체 형상회복력으로 인해 응력과 온도가 적용되는 동안에 응력이나 경화 모니터링 센서 또는 작동기로서 사용되었다. 초탄성 현상은 연속적인 기계적 하중 하에서나 온도변화 중에 응력-변형률 곡선에서 확인되었다. 반복하중 실험을 통해 응력-변형률 곡선에서 나타난 초탄성 현상 구간이 나타나는 응력 이력현상이 발생함을 확인하였다. 이것은 형상기억합금섬유 혹은 에폭시에 함침된 형상기억합금섬유 복합재료가 반복하중으로 계면물성 저하로 인한 형상기억 회복 성능의 저하를 의미한다. 강성도가 큰 에폭시 사용과 형상기억합금섬유의 표면처리 이후 형상기억합금섬유와 에폭시 사이의 계면결합력의 증대에도 불구하고 유사한 불완전한 초탄성을 보여 주었다. 단-형상기억합금섬유/에폭시 복합재료 내부에 남은 잔류 열과 이에 따른 잔류 응력으로 인해 에폭시에 함침된 단-형상기억합금섬유에서는 경화과정에서 불완전한 회복을 나타났다.

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