Various Cu films were fabricated using sputtering and electroplating with and without additive, and their surface damages after annealing were investigated. After annealing at 43SoC, the difference between damage morphologies of the films was observed. In some films stress-induced grooves along the grain boundaries were observed, while in the others voids at the grain boundary triple junctions were observed. It was also observed that the stress-induced groove was formed along the high energy grain boundaries. It was found out that the difference of the morphologies of surface damages in Cu films depends on not process type but grain boundary characteristics. To explain the morphological difference of surface damages, a simple parameter considering the contributions of grain structures and grain boundary characteristics to surface and grain boundary diffusions is suggested. The effective grain boundary area, which is a function of grain size, film thickness and the fraction of high energy grain boundaries, played a key role in the morphological difference.
최근에 전자 산업 분야에서 장치의 고용량을 구현 하기 위해 구동 drive IC의 선폭은 좁아지고 집적도는 증가하고 있다. 이러한 반도체, 전자 산업 분야의 초소형화, 고밀도화에 따라 FCCL(Flexible Copper Clad Laminate)의 표면 품질이 더욱 중요해 지고 있다. FCCL의 표면 결함으로는 돌기, 스크레치, 덴트 등이 있다. 특히 돌기가 표면에 존재할 경우 후속 공정에서 쇼트와 같은 불량을 유발할 수 있으며, 제품의 품질 저하를 야기 시킬 수 있다. 하지만 표면에 돌기가 존재한다 하더라도, 전해액의 레벨링 특성이 우수하다면 돌기의 성장을 막을 수 있다.평탄하고, 결함이 없는 도금표면을 얻기 위해서는 첨가제의 역할이 필수적이다. 평탄한 구리 표면을 형성하기 위해서 stock solution에 가속제, 억제제, 레벨러를 첨가하였다. 레벨러를 첨가하는 이유는 평탄한 표면을 얻고, 돌기의 형성을 억제하기 위함이다. 구리도금 표면 형상을 향상시키기 위한 레벨러로는 SO(Safranin O), MV(Methylene Violet), AB(Alcian Blue), JGB(Janus Green B), DB(Diazine Black) and PVP(Polyvinyl Pyrrolidone)가 사용되었다. 도금 첨가제와 도금 조건의 변화를 통해 도금시레벨링 특성을 향상시키고, 레벨링 특성 측정을 위해 니켈 인공돌기를 제작 한 후 레벨링 특성을 측정하였다.
A fluxgate magnetic sensor consists of a solenoid excitation coil, pick-up coil, and magnetic core. We presents the effect of magnetic core shape in a micromachined fluxgate sensor. To observe the performance of fluxgate sensor with magnetic core side width and gap, side width of 125 ${\mu}{\textrm}{m}$, 250 ${\mu}{\textrm}{m}$, and 500 ${\mu}{\textrm}{m}$ were designed in a rectangular-ring shaped core and the gaps of 0 ${\mu}{\textrm}{m}$, 50 ${\mu}{\textrm}{m}$, and 100 ${\mu}{\textrm}{m}$ were also fabricated in a racetrack shaped core. The solenoid coils and magnetic core were separated by benzocyclobutane(BCB) which had high insulation and good planarization characters. Copper coil patterns of 10 ${\mu}{\textrm}{m}$ width and 6${\mu}{\textrm}{m}$ thickness were electroplated on Ti(300 $\AA$) / Cu(1500 $\AA$) seed layers. 3 ${\mu}{\textrm}{m}$ thick N $i_{0.8}$F $e_{0.2.}$(permalloy) film for the magnetic core was also electroplated under 2000 gauss to induce the magnetic anisotropy. The magnetic core had the high DC effective permeability of ∼1,300 and coercive field of ∼0.1 Oe. Because the magnetic cores of 500 ${\mu}{\textrm}{m}$ side width and 0 gap had a low magnetic flux leakage, high sensitivity of ∼350 V/T were measured at excitation condition of 3 $V_{P-P}$ and 2 MHz square wave. The power consumption of ∼14 ㎽ was measured. The fabricated fluxgate sensor had the very small actual size of 3.0${\times}$1.7 $\textrm{mm}^2$. When two fluxgates were perpendicularly aligned in terrestrial field, their two-axis output signals were very useful to commercialize an electronic azimuth compass for the portable navigation system.m.m.m.
The aim of this work was to investigate the effects of electrodeposition conditions on the microstructural characteristics of copper thin films. The microstructure of electroplated Cu films was found to be highly dependent on electrodeposition conditions such as system current and current density, as well as the bath solution itself. The current density significantly changed the preferred orientation of electroplated Cu films in a DC system, while the solution itself had very significant effects on microstructural characteristics in a pulse-reverse pulse current system. In the DC system, polarization at high current above 30 mA, changed the preferred orientation of Cu films from (220) to (111). However, Cu films showed (220) preferred orientation for all ranges of current density in the pulse-reverse pulse current system. The grain size decreased with increasing current density in the DC system while it remained relatively constant in the pulse-reverse pulse current system. The sheet resistance increased with increasing current density in the DC system due to the decreased grain size.
An evaporated Ti/Pd/Ag contact system is most widely used to make high-efficiency silicon solar cells, however, the system is not cost effective due to expensive materials and vacuum techniques. Commercial solar cells with screen-printed contacts formed by using Ag paste suffer from a low fill factor and a high shading loss because of high contact resistance and low aspect ratio. Low-cost Ni and Cu metal contacts have been formed by using electroless plating and electroplating techniques to replace the Ti/Pd/Ag and screen-printed Ag contacts. Ni/Cu alloy is plated on a silicon substrate by electro-deposition of the alloy from an acetate electrolyte solution, and nickel-silicide formation at the interface between the silicon and the nickel enhances stability and reduces the contact resistance. It was, therefore, found that nickel-silicide was suitable for high-efficiency solar cell applications. The Ni contact was formed on the front grid pattern by electroless plating followed by anneal ing at $380{\sim}400^{\circ}C$ for $15{\sim}30$ min at $N_{2}$ gas to allow formation of a nickel-silicide in a tube furnace or a rapid thermal processing(RTP) chamber because nickel is transformed to NiSi at $380{\sim}400^{\circ}C$. The Ni plating solution is composed of a mixture of $NiCl_{2}$ as a main nickel source. Cu was electroplated on the Ni layer by using a light induced plating method. The Cu electroplating solution was made up of a commercially available acid sulfate bath and additives to reduce the stress of the copper layer. The Ni/Cu contact was found to be well suited for high-efficiency solar cells and was successfully formed by using electroless plating and electroplating, which are more cost effective than vacuum evaporation. In this paper, we investigated low-cost Ni/Cu contact formation by electroless and electroplating for crystalline silicon solar cells.
An evaporated Ti/Pd/Ag contact system is most widely used to make high-efficiency silicon solar cells, however, the system is not cost effective due to expensive materials and vacuum techniques. Commercial solar cells with screen-printed contacts formed by using Ag paste suffer from a low fill factor and a high shading loss because of high contact resistance and low aspect ratio. Low-cost Ni and Cu metal contacts have been formed by using electro less plating and electroplating techniques to replace the Ti/Pd/Ag and screen-printed Ag contacts. Ni/Cu alloy is plated on a silicon substrate by electro-deposition of the alloy from an acetate electrolyte solution, and nickel-silicide formation at the interface between the silicon and the nickel enhances stability and reduces the contact resistance. It was, therefore, found that nickel-silicide was suitable for high-efficiency solar cell applications. Cu was electroplated on the Ni layer by using a light induced plating method. The Cu electroplating solution was made up of a commercially available acid sulfate bath and additives to reduce the stress of the copper layer. In this paper, we investigated low-cost Ni/Cu contact formation by electro less and electroplating for crystalline silicon solar cells.
탄소나노튜브로 강화된 구리기지 적층 나노 복합재료를 제작하였고, 마이크로 인장 시험기를 이용하여 기계적 물성을 평가하였다. 탄소나노튜브 층이 강화제로 사용된 샌드위치 형태의 적층 구조는 탄소나노튜브의 선택적인 딥코팅 방법과 전해도금 방법을 이용하여 제작되었다. 본 연구에서 정립한 공정을 사용하여 제작된 나노 복합재료는 구리 기지만을 사용한 재료에 비해 기계적 물성이 향상되었다. 이는 평면내 방향으로 균일하게 분산된 탄소나노튜브에 의해 하중 분산 용량이 증가되었기 때문이며, 두께 방향으로 적층된 구리 기지를 탄소나노튜브 층이 상호 지지하여 인장물성이 강화됨을 확인하였다. 기능적 재료의 제작에 있어 적층 구조는 다양한 분야에 적용될 수 있으며, 본 연구에서는 입자강화복합재료 강화제의 적용 가능성을 확인하였다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제1권3호
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pp.182-188
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2001
A solenoid-type MEMS inductor with a quality factor over 10 at 2 GHz has been developed using an electroplating technique. The integrated spiral inductor has a low Q factor due to substrate loss and skin effects. It also occupies a large area compared to the solenoid-type inductor. The direction of flux of the solenoid-type inductor is parallel to the substrate, which can lower the substrate loss and other interference with integrated passive components. To estimate the characteristics of the proposed inductor over a high frequency range, the 3D FEM (Finite Element Method) simulation is used by using the HFSS at the Ansoft corporation. The electroplated solenoid-type inductor is fabricated on a glass substrate step by step by using photolithography and copper electroplating. The fabrication process to improve the quality factor of the inductor is also developed. The achieved inductance varies within a range from 0.5 nH to 2.8 nH, and the maximum Q factor is over 10.
A set of Quartz Crystal Microbalances (QCM's) was used to observe the film removal characteristics of three different $CO_2-nitric$ acid microemulsions. QCM's electroplated with nickel or copper were used as specimens. F-AOT, NP-4 and the newly synthesized Proline Surfactant-1 were used as surfactants to create microemulsions. While the F-AOT microemulsion yielded a relatively low removal rate, that of the Proline Surfactant-1 completely removed the Cu metal film within a short period of time. The NP-4 microemulsion removed the metal surface. However, removal rate measurements per QCM were not possible due to the instability of the microemulsion when Cu ions were present in the nitric solution. The reaction kinetics and metal removal capabilities of microemulsions formed by the different surfactants are explained along with the characteristics of reverse micelles.
In order to get more higher integration density of devices, it is getting to be used more and more micro via interconnection lines for interconnecting layers or devices. However, it is very important to enhance the electrical characteristic by reducing the electrical resistivity of micro via interconnection line because it affects the reliability of packaging. In this paper, Micro vias were patterned with a diameter from 10 to 100 um by increasing the step of 10 um and 100 um height and were fabricated by micromachining technology to investigate the electrical characteristic of micro via interconnection lines. These micro vias were filled with copper by electroplating process with appling pulse current mode. And the electrical characteristics of micro via interconnection lines were measured. The measured value of electrical resistivity shows with a range from 20 to $26\;m{\Omega}$. This value from micro via interconnection lines fabricated by pulse current mode electroplating process shows better result than the resistivity from than micro via interconnection lines fabricated by DC mode ($31\;m{\Omega}$).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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