• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.470-470
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• 2013

Recently, active materials such as amorphous silicon (a-Si), poly crystalline silicon (poly-Si), transition metal oxide semiconductors (TMO), and organic semiconductors have been demonstrated for flexible electronics. In order to apply flexible devices on the polymer substrates, all layers should require the characteristic of flexibility as well as the low temperature process. Especially, pentacene thin film transistors (TFTs) have been investigated for probable use in low-cost, large-area, flexible electronic applications such as radio frequency identification (RFID) tags, smart cards, display backplane driver circuits, and sensors. Since pentacene TFTs were studied, their electrical characteristics with varying single variable such as strain, humidity, and temperature have been reported by various groups, which must preferentially be performed in the flexible electronics. For example, the channel mobility of pentacene organic TFTs mainly led to change in device performance under mechanical deformation. While some electrical characteristics like carrier mobility and concentration of organic TFTs were significantly changed at the different temperature. However, there is no study concerning multivariable. Devices actually worked in many different kinds of the environment such as thermal, light, mechanical bending, humidity and various gases. For commercialization, not fewer than two variables of mechanism analysis have to be investigated. Analyzing the phenomenon of shifted characteristics under the change of multivariable may be able to be the importance with developing improved dielectric and encapsulation layer materials. In this study, we have fabricated flexible pentacene TFTs on polymer substrates and observed electrical characteristics of pentacene TFTs exposed to tensile and compressive strains at the different values of temperature like room temperature (RT), 40, 50, $60^{\circ}C$. Effects of bending and heating on the device performance of pentacene TFT will be discussed in detail.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제20권4호
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• pp.683-690
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• 2016

현대사회는 재난의 빈도가 많아지고 그에 따른 피해는 날로 더해지고 있다. 또한 불가측한 미래는 사회안전에 대한 불안한 심리를 가중시키고 있다. 이에 따라 사회안전에 대한 국가적 위기 상황을 대비하기 위해서 ICT 강국으로서 정부의 역할과 빅데이터 활용 서비스 메커니즘 태세의 재난관리체계로의 전환이 필요하다. 따라서 재난을 사전에 예측하고 발생한 재난을 효율적으로 관리하기 위해 전자정부는 재난대응 시스템을 갖추어야 한다. 재난은 다양성, 복잡성, 불가측성 등으로 현대사회의 특성과 유기적 관계가 있기 때문에 그 관리의 효율성을 위해 다양한 접근과 복합적인 처방으로 대국민에게 재난의 불안을 해소해 주어야 한다. 이에 따라 본 고에서 사회안전을 위해 전자정부는 공적으로 효율적인 빅데이터를 잘 활용하여 재난에 대한 대국민 불안 심리를 줄이는 방안으로서 전염병 조기경보 알고리즘 모델을 도식적으로 제시하였다. 또한 전자정부 역할의 중요성을 인식하고 우리의 총체적 부실시스템 원인의 문제점 분석을 통해 그 해결방안으로서 재난대응을 위한 정책적 함의를 제언하였다.

• 한국재료학회지
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• 제11권8호
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• pp.655-660
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• 2001

Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)으로 성장한 $In_{0.5}$ ($Gal_{1-x}$ $Al_{x}$ )0.5P/GaAS 이중 이종접합 구조의 특성을 표면 광전압 (surface Photovoltage ; SPV) 측정으로 연구하였다. $In_{0.5}$($Gal_{1-x}$ $Al_{x}$ )0.5P/GaAS 이중 이종접합 구조의 SPV 측정값을 Lorentzian 피팅한 띠 간격에너지 ($E_{0}$ ) 값과 조성비 (x)로 구한 이론 값이 잘 일치하였다. 그리고 변조 주파수 의존성을 측정한 결과 SPV 신호의 형태는 변하지 않고, 신호의 크기만이 변하는 것은 광 조사에 따른 전기적 상태의 과도 현상에 따른 것이고, GaAs와 InGaAlP의 특성시간의 차이는 광 캐리어의 수명의 차이로 분석된다. 그리고 온도 의존성 측정으로 $In_{0.5}$ /($Gal_{1-x}$ $Al_{x}$ )0.5P/GaAS 이중 이종 접합 시료의 균일한 변형분포와 계면상태가 양호함을 알 수 있었다.

• 대한간호학회지
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• 제48권3호
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• pp.255-265
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• 2018

Purpose: The purpose of this study was to analyze the effect of emergency contraceptive pill on adolescent sexuality and contraceptive behaviors through a meta - analysis of intervention studies on advance provision of emergency contraceptives. This study aimed to provide objective data on the transition of general medicines to be discussed in relation to the reclassification of emergency contraceptive pills. Methods: Using electronic database, 1,820 studies written in Korean or English without limitation of the year were reviewed and for analysis, 5 studies were selected, in which emergency contraceptives were provided to adolescents. Results: The advance provision of emergency contraceptives has increased their use and shortened the time it takes to take contraceptive pills after unprotected sex. There was no change in the frequency of engaging in sexual intercourse and unprotected sex or in existing contraceptive behavior, pregnancy rates decreased, but there was no increase in sexually transmitted infection. Conclusion: The results of this study provide objective grounds for the reclassification of emergency contraceptive pills and propose effective interventional programs on contraceptive education, such as on efficacy and side effects of the contraceptive drug and its proper use among the youth who engage in sexual activity, to improve their reproductive health.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권9호
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• pp.79-84
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• 2008

기술의 발달과 함께 회로의 동작 주파수와 신호의 스위칭 속도가 증가하였다. 신호의 스위칭 밀도에 대하여 정확히 에측 할 수 있다면 보다 안정된 파워 플래인을 설계할 수 있다. 칩에서 예기치 못한 신호의 지연이 발생했을 때 문제를 해결하는데 많은 어려움이 있다. 파라서 회로를 수정하거나 칩의 특성을 정하는 단계에서 스위칭 밀도의 증가를 파악하는 것은 중요하다. 본 논문에서는 보간법을 이용하여 회로 설계단계에서 스위칭 밀도를 계산하는 방법을 제안했다. 여기서는 링 오실레이터의 스위칭 빈도와 신호의 지연 사이의 관계를 이용하여 보간법을 통해 신호의 스위칭 밀도를 계산하였다. 링 오실레이터는 스위칭이 많이 일어나서 신호의 지연이 축적된 후에 그라운드 바운스의 영향을 측정하기 위해 사용되었다. 실험은 동부 하이텍의 0.18um CMOS 공정 파리미터를 통해 진행하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.12-21
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• 2004

오류제어는 많은 전자 시스템의 주요한 관심사이다. 시스템 동작에 영향을 미치는 대부분의 고장은 회로에서 발생하는 타이밍 위반의 결과로 나타나는 비정상적인 신호지연으로 인한 것이며, 이는 주로 과도고장에 의해 발생한다. 본 논문에서는 CMOS 회로의 동작 중에 타이밍 오류를 검출하는 회로를 설계하였다. 타이밍 오류 검출기는 클럭에 의해 제어되는 시스템의 준비시간 및 대기시간의 위반에 대한 오류를 검출할 수 있다. 설계한 회로는 데이터의 입력이 클럭 천이지점에서 변화할 때 과도전류를 측정하여 오류 검출기의 전류 감지회로에서 발생시킨 기준전류와 비교함으로써 오류의 발생 여부를 확인 할 수 있다. 이러한 방법은 클럭에 의해 동작하는 시스템의 준비시간 및 대기시간의 위반에 따른 오류를 효과적으로 검출할 수 있음을 보여준다. 이 회로는 2.5V 공급전압의 $0.25{\mu}m$ CMOS 기술을 이용하여 구현하였으며, HSPICE로 시뮬레이션하여 정당성 및 효율성을 검증하였다.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권12호
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• pp.89-100
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• 1997

This paper investigated a new type of low voltage threshold switch (LVTS). As distinguished from the many other types of electronic threshold switches, the LvTS is ; voltage controlled, occurs at low voltages ($V_{2}$ $O_{5}$lV devices. The average low threshold voltage < $V_{LVT}$>=218 mV (standard deviation =24mV~kT/q, where T=300K), and was independent of the device area (x100) and amorphous oxide occurred in an ~22.angs. thick interphase of the V/amorphous- $V_{2}$ $O_{5}$ contacts. At $V_{LVT}$ there was a transition from an initially low conductance (OFF) state into a succession of quantized states of higher conductance (ON). The OFF state was spatically homogeneous and dominated by tunneling into the interphase. The ON state conductances were consistent with the quantized conductances of ballistic transport through a one dimensional, quantum point contact. The temeprature dependence of $V_{LVT}$, and fit of the material parameters (dielectric function, barrier energy, conductivity) to the data, showed that transport in the OFF and ON states occurred in an interphase with the characteristics of, respectively, semiconducting and metallic V $O_{2}$. The experimental results suggest that the LVTS is likely to be observed in interphases produced by a critical event associated with an inelastic transfer of energy.rgy.y.rgy.

• 한국자기학회지
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• 제26권3호
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• pp.71-75
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• 2016

단층 $MoS_2$는 1H 상을 가질 때 에너지적으로 가장 안정하다고 알려져 있지만, 전자선 등을 이용하여 에너지를 가하면 1T 상으로 상전이를 일으킬 수 있다. 1T 상도 1H 상과 마찬가지로 상자성 상태가 에너지적으로 안정하지만 1H $MoS_2$에 국소적인 1T 상이 존재하는 구조는 자성을 가질 수 있음을 알았다. 본 연구에서 도입한 ($2{\times}2$) 초격자에 2H와 1T가 3 : 1의 비율로 존재하는 국소 1T 구조 일 때 계산된 자기모멘트는 약 $0.049{\mu}_B/MoS_2$이었으며, 초격자 내의 1T 환경의 Mo 원자가 대부분의 자기모멘트를 기여하는 것으로 나타났다. 따라서 단층 $MoS_2$ 내에 자연스러운 자성/비자성 경계가 생성되므로 단층 $MoS_2$가 스핀트로닉스 소자로 응용 가능할 것으로 기대한다.

• 기술경영경제학회:학술대회논문집
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• 기술경영경제학회 1999년도 제16회 동계학술발표회 논문집
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• pp.281-295
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• 1999

This paper analyses the effects of the increase of logistics outsourcing on the economy which are largely classified into three parts. The firm level and industry level are two among them which will be summarized below. The another is consumers level. On the fm level, the logistics outsourcing of a manufacturing firm not only helps to increase the efficiency of itself and but also confront the competitive environments by weakening the entry barriers, i.e., the emergence of contestable market. The reasons why the efficiency of the firm enhances are also largely divided into two parts. One is due to the reduction of inventory cost by replacing it by the information cost resulting from internet use. The other is owing to reducing the life cycle of production process by the emergence of virtual enterprises which are located in one point in De process of supply chain management. The weakening of entry barriers is directly affected by the drastic increase of internet users in twofold reasons: one is based on the restricted competitive characteristics due to the long-term transaction relationship between logistics providers and the companies who offer logistics services and the other, due to the weakening of the restriction of space and time. The effect of industry level is due to the transition of traditional to virtual vertical integration system The firms corresponding to a connection point in the process of supply chain management would try to realize both the scale of economy and the scope of economy for strengthening the competitiveness. We indicated above the emergence of contestable market however, it is a short-term phenomenon and result in the oligopoly market due to the entry barriers in the long-run sense.

• 전자공학회논문지C
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• 제35C권11호
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• pp.1-10
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• 1998

휴대용 전자 시스템에 대한 deep submicron VLSI의 출현에 따라 기존의 면적과 성능(지연시간)외에 전력량 감축을 위한 새로운 방식의 CAD 알고리즘이 필요하게 되었다. 본 논문은 논리합성시 기술매핑 단계에서의 전력량 감소를 목적으로 한 논리 게이트 분할(gate decomposition)을 통한 재합성 알고리즘을 소개한다. 기존의 저전력을 위한 논리분할 방식은 Huffman 부호화 방식을 이용하였으나 Huffman code는 variable length를 가지고 있으며 logic depth (회로지연시간)와 글리치에 영향을 미치게 된다. 제안된 알고리즘은 임계경로상에 있지 않은 부회로에 대한 스위칭 동작량을 줄임으로써 logic depth (즉 속도)를 유지하면서 다양한 재구성된 트리를 제공하여 스위칭 동작량을 줄임으로써 전력량을 감축시키는 새로운 게이트분할 알고리즘을 제안한다. 제안된 알고리즘은 zero 게이트 지연시간을 갖는 AND 트리에 대하여 스위칭 동작량이 최소화된 2진 분할 트리를 제공한다. SIS (논리합성기)와 Level-Map (lower power LUT-based FPGA technology mapper)과 비교하여 각각 58%와 8%의 전력 감축효과를 보였다.