In this presentation, we investigated the abnormal subthreshold slope of the FD SOI MOSFETs upon the rapid thermal annealing. Based on subthreshold technique and C-V measurement, we deduced that the hump of the subthreshold slope comes from the abnormal D$_{it}$ distribution after RTA. The local kink in the interface trap density distribution by RTA drastically degrades the subthreshold characteristics and mini hump can be eliminated by S-PGA.A.
Journal of Korean Academy of Fundamentals of Nursing
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v.9
no.1
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pp.101-112
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2002
Purpose: This study evaluated the accuracy of electronic devices compared with mercury sphygmomanometer. Of 132 outpatients with electronic devices. 77 who possessed oscillometric cuff devices participated in this study. Method: When the blood pressure was measured, all electronic devices were connected by means of a Y-connector to a mercury sphygmomanometer. Using the simultaneous same arm approach, each comparison was carried out three times at 2-minute intervals. Results: Compared with the mercury sphygmomanometer, the electronic devices underestimated systolic and diastolic blood pressure, respectively by $4.0{\pm}5.8mmHg$ and $2.5{\pm}67mmHg$, which satisfies the standard error range of the American Association for the Advancement of Medical Instrumentation. According to the British Hypertension Society criteria, these differences achieved C grade for both systolic and diastolic pressure. For the graphical analysis, the differences had a tendency to fulfill the permitted error limits in both diastolic and systolic blood pressure. Moreover, the purchase duration was not correlated with the accuracy of electronic devices. Conclusion: These results indicate that difference in blood pressure between electronic devices and mercury sphygmomanometer is within the standard error. Therefore, electronic blood pressure measuring devices may be useful for therapeutic self-management of hypertension.
The significant reduction of the image quality caused by the magnetic field of samples is a major problem affecting the application of SEM (scanning electron microscopy) in the analysis of electronic devices. The main reason for this is that the electron trajectory is deflected by the Lorentz force. The usual solution to this problem is degaussing the sample at high temperatures. However, due to the poor heat resistance of some electronic components, it is imperative to find a method that can reduce the impact of magnetic field on the image quality and is straightforward and easy to operate without destroying the sample. In this paper, the influence of different magnetic field directions on the imaging quality was discussed by combining the experiment and software simulation. The principle of the method was studied, and the best observation direction was obtained.
Here the hydrogen passivation treatment has been adopted to enhance the performance of poly-Si crystallized by YAG laser annealing (LA poly-Si). We have investigated the effects of passivation time, passivation power and passivation temperature on the hall mobility of the LA poly-Si and analyzed the mechanism of the hydrogen passivation preliminary. It has been found that the quality of the poly-Si annealed by YAG laser could be improved after proper hydrogen plasma treatment.
Yu, Q.;Liu, Y.;Yu, X.P.;Lim, W.M.;Yang, F.;Zhang, X.L.;Peng, Y.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.11
no.4
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pp.329-335
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2011
In this paper, a dual-band integer-N frequency divider is proposed for 2.4/5.2 GHz multi-standard wireless local area networks. It consists of a multi-modulus imbalance phase switching prescaler and two all-stage programmable counters. It is able to provide dual-band operation with high resolution while maintaining a low power consumption. This frequency divider is integrated with a 5 GHz VCO for multi-standard applications. Measurement results show that the VCO with frequency divider can work at 5.2 GHz with a total power consumption of 22 mW.
The entertainment system of the aircraft has changed its paradigm in the form of using passenger electronic devices instead of using a fixed monitor. This has simplified the on-board equipment while the risk of safety has increased with the electric charging of portable electronic devices. Unlike personal portable electronic devices that do not have a transmission function, the use of Wi-Fi enabled electronic devices(T-PED) is allowed and the battery is required to be charged in the cabin. In this study, we used the NASA Aviation Safety Reporting System to investigate the effects of changes in wireless environment and entertainment service. Based on this, we analyzed the risks of personal electronic devices by sharing event occurrence cases caused by in-flight electronic equipment or passenger portable electronic devices(especially smart phones) from the viewpoint of aircraft safety management. This analysis includes identification of potential hazards and risk assessment, and finally the strategies for risk mitigation for safe use of portable electronic devices are suggested.
N-doped $TiO_2$ microcuboids were successfully prepared by a simple one-pot hydrothermal method. The samples were characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, diffuse reflectance spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy. It was found that the N-doped $TiO_2$ microcuboids enhanced absorption in the visible light region, and exhibited higher activity for photocatalytic degradation of model dyes. Based on the experimental results, a visible light induced photocatalytic mechanism was proposed for N-doped anatase $TiO_2$ microcuboids.
Objectives : The purpose of this study was to investigate accident cases involving electronic assistive devices, to determine how these accidents can be avoided and to devise preventative instructions for the handicapped who use these devices. Methods : This study was carried out from July 20 to October 3, 2015. A consent-based survey was conducted via mail and mobile phones targeting 700 electronic assistive device users, of which questionnaires from 290 users were collected and used in the analysis. Results : Accidents involving electronic assistive devices were investigated, especially the causes of the accidents and accident prevention education, as well as the status of the electronic assistive devices. The most common accident types were collision and falling, and it was found that the victims of the accidents usually suffered severe injury to their lower limbs. Most users used electronic assistive devices every day but rarely wore a safety belt because of discomfort. There were more incidents of collision and falling for older aged handicapped users, and the injury rate to the lower limbs was highest in handicapped elderly aged 50 years or older. Conclusions : In order to prevent accidents with electronic assistive devices in the future, a or management organizations must prepare specific safety guidelines and manage these accidents.
Meng, Z.;Liu, Z.;Zhao, S.;Wu, C.;Wong, M.;Kwok, H.;Xiong, S.
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2008.10a
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pp.985-988
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2008
Metal induced crystallization of a-Si with a source of Ni/Si oxide was studied. Its mechanism to induce crystallization was discussed. It was found that new source behaves an effect of self-released nickel and reducing nickel residua, so can provide a wider process tolerance; improve the uniformity and stability of TFTs.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.6
no.4
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pp.154-158
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2005
Organic molecules have many properties that make them attractive for electronic applications. We have been examining the progress of memory cell by using molecular-scale switch to give an example of the application using both nano scale components and Si-technology. In this study, molecular electronic devices were fabricated with amino style derivatives as redox-active component. This molecule is amphiphilic to allow monolayer formation by the Langmuir-Blodgett (LB) method and then this LB monolayer is inserted between two metal electrodes. According to the current-voltage (I-V) characteristics, it was found that the devices show remarkable hysteresis behavior and can be used as memory devices at ambient conditions, when aluminum oxide layer was existed on bottom electrode. The diode-like characteristics were measured only, when Pt layer was existed as bottom electrode. It was also found that this metal layer interacts with organic molecules and acts as a protecting layer, when thin Ti layer was inserted between the organic molecular layer and Al top electrode. These electrical properties of the devices may be applicable to active components for the memory and/or logic gates in the future.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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