• 한국항행학회논문지
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• 제23권6호
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• pp.554-560
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• 2019

원전에서 각종 전자카드는 시간에 경과함에 따라 열화가 되므로 이에 대한 대책이 필요하다. 이 열화 카드들 중에서 노외중성자감시시스템의 카드들은 방사선원의 레벨에서 발생되는 중성자속을 총 원자로출력의 200%까지 연속적으로 감시하게 되는데, 원자로출력이 낮을 때의 경우와 높을 때의 경우의 출력감시신호처리 방법이 달라야 한다. 원자로 출력이 낮을 때는 대수적으로 발생되는 펄스신호를 선형적으로 계수하여 신호처처리를 해야 되지만, 원자로 출력이 커지게 되면 통계이론에 의한 방법으로 처리해야 정확한 값을 얻을 수 있기 때문이다. 이때 전자카드가 열화되는 것이 문제가 된다. 따라서, 본 연구에서는 저출력일 때와 고출력일 때의 신호처리 방법을 달리하여 일정한 기준에 의한 원자로의 출력레벨에서 이를 저출력에서 고출력으로 전환하기 위한 열화 입력선택회로를 개발하였다. 개발된 선택회로의 신뢰성을 확인하기 위하여 원전에서 사용되는 실제의 데이터값을 적용하여 테스트하였으며, 그 결과를 분석하여 선택회로의 정당성을 입증하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권3호
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• pp.719-726
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• 2020

능동형 유기 발광 다이오드의 픽셀 노화를 보상하기 위한 문턱 전압 감지 회로가 제안된다. 제안된 문턱 전압 감지 회로는 샘플-홀드 회로와 10비트의 해상도를 가지는 단일 입력 축차 근사형 아날로그-디지털 변환기로 구성된다. 각 샘플-홀드 회로의 스케일 다운 변환기와 단일-차동 변환기를 가지는 가변 이득 증폭기를 제거하기 위해 단일 입력 축차 근사형 아날로그-디지털 변환기를 위한 중간 기준 전압 보정과 입력 범위 보정이 수행된다. 제안된 문턱 전압 감지 회로는 1.8V 공급 전압의 180nm CMOS 공정을 사용하여 설계된다. 단일 입력 축차 근사형 아날로그-디지털 변환기로의 유효 비트와 전력 소모는 각각 9.425비트와 2.83mW이다.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권3호
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• pp.803-813
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• 2020

본 논문에서는 싱글칩 마이크로컨트롤러를 이용한 고효율 공진형 플라이백 전력변환기를 제안한다. 제안한 전력변환기의 1차측은 하프브리지의 전력구조에 비대칭펄스폭변조(APWM : Asymmetrical Pulse-Width Modulation)을 적용하여 공진형 스위칭을 수행한다. 그리고 2차측은 다이오드 플라이백정류기 전력구조를 이용하고 영전류스위칭(ZCS : Zero Current Switching)으로 동작한다. 그리하여 제안한 컨버터는 고효율을 달성한다. 제안한 컨버터는 제어와 구동을 위하여 싱글칩 마이크로컨트롤러와 부트스랩 회로를 각각 이용하므로 전체적 구조가 매우 간단하다. 본 논문에서는 먼저, 제안한 전력변환기의 전력회로의 동작을 동작모드 별로 설명하고 정상상태 해석을 보인다. 그리고 제안한 전력변환기를 동작시키는 소프트웨어 제어 알고리즘과 구동회로에 관하여 설명하며, 그 후 각 설명에 근거하여 제작된 프로토타입의 실험결과를 통하여 제안한 전력변환기의 동작 특성을 보인다.

• Journal of Power Electronics
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• 제13권4호
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• pp.626-635
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• 2013

An analysis of the junction capacitance in resonant rectifiers which has a significant impact on the operating point of resonance circuits is studied in this paper, where the junction capacitance of the rectifier diode is to decrease the resonant current and output voltage in the circuit when compared with that in an ideal rectifier diode. This can be represented by a simplified series resonant equivalent circuit and a voltage transfer function versus the normalized operating frequency at varied values of the resonant capacitor. A low voltage to high voltage push-pull DC/DC resonant converter was used as a design example. The design procedure is based on the principle of the half bridge class-DE resonant rectifier, which ensures more accurate results. The proposed scheme provides a more systematic and feasible solution than the conventional resonant push-pull DC/DC converter analysis methodology. To increase circuit efficiency, the main switches and the rectifier diodes can be operated under the zero-voltage and zero-current switching conditions, respectively. In order to achieve this objective, the parameters of the DC/DC converter need to be designed properly. The details of the analysis and design of this DC/DC converter's components are described. A prototype was constructed with a 62-88 kHz variable switching frequency, a 12 $V_{DC}$ input voltage, a 380 $V_{DC}$ output voltage, and a rated output power of 150 W. The validity of this approach was confirmed by simulation and experimental results.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2017년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.121-121
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• 2017

본 연구는 비전도성 폴리머 표면을 개질하여 감광성 금속을 유전체 표면에 흡착시키고, 감광성 금속의 광화학 반응을 이용하여 귀금속 촉매를 비전도성 폴리머 표면에 선택적으로 흡착시켜 무전해 Cu 도금을 수행하여 금속패턴을 형성하였다. 기능성 유연 필름은 일반적으로 투명한 플라스틱 고분자 기판을 기반으로 전기 전자, 에너지, 자동차, 포장, 의료 등 다양한 분야에서 폭넓게 활용 되고 있으며, 본 연구에서는 습식 도금 공정을 이용하여 폴리이미드 필름상에 $10{\mu}m$ 이하의 미세패턴을 형성하기 위한 공정을 개발하고자 하였다. 비전도성 폴리머 표면에 무전해 도금을 위해서 우선 폴리머 필름의 표면을 개질하는 공정이 필요하다. 이에 KOH 또는 NaOH 알카리 용액을 이용하여 표면을 개질하였으며 개질된 표면에 감광성 금속이온의 흡착시키기 위한 감광성 금속이온은 주석을 사용하였으며, 주석 용액의 안정성 및 퍼짐성 향상을 위해 감광성 금속 용액의 제조 및 특성을 관찰하였으며, 감광성 금속화합물이 흡착된 비전도성 유전체 표면을 포토마스크를 이용하여 특정 부위, 즉 표면에 금속패턴 층을 형성하고자 하는 곳은 포토마스크를 이용하여 광원을 차단하고 그 외 부분은 주 파장이 365nm와 405nm 광원을 조사하여 선택적으로 감광성 금속화합물의 산화반응을 유도하는 광조사 공정을 수행하였다. 광원이 조사되지 않은 부분에 귀금속 등의 촉매 입자를 치환 흡착시켜 금속 패턴이 형성될 수 있는 표면을 형성하였다. 위의 활성화 공정이후에 활성화 처리된 표면을 세척하는 수세 공정을 거친 후 무전해 도금공정에 바로 적용할 경우 미세한 귀금속 입자가 패턴이 아닌 부분 즉 자외선(UV) 조사된 부분에도 남아있어 도금시 번짐 현상이 발생한다. 이에 본 연구에서는 활성화 처리 후 약 알칼리 용액에 카르복실산을 혼합하여 잔존하는 귀금속 입자를 제거한 후 무전해 Cu 도금액을 이용하여 $10{\mu}m$ 이하의 Cu 금속 패턴을 형성하였다.

• 센서학회지
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• 제1권2호
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• pp.147-154
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• 1992

본 논문은 생체 신호를 얻기 위한 생체삽입형 8-채널 바이오텔레메트리 시스템을 설계하였다. 본 시스템의 내부회로는 가능한 한 소형이고 저소비 전력화하였을 뿐만아니라 synchronization gap을 주기로 생채신호의 연속측정을 가능하도록 설계하였다. 본 시스템의 주된 기능은 생체신호 연속측정과 외부회로의 적절한 명령에 의해 생체 삽입 전지를 On, off하여 소비전력을 줄일 수 있도록 하였다. 또한 체내 삽입시스템을 집적화하기 위해 람다룰을 기본으로 한 $2{\mu}m$ n-well 설계규칙에 의해 레이아웃을 수행하였다. 그러므로 국내에서 개발되고 있는 압력센서나 ISFET 등을 본 시스템과 함께 삽입하여 생체신호, 즉 심전도, 혈류량, 혈압 등을 측정해 외부로 전송하는 의용 텔레메트리 시스템이 기대된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.252-253
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• 2011

ZnO-based thin film transistors (TFTs) are of great interest for application in next generation flat panel displays. Most research has been based on amorphous indium-gallium-zinc-oxide (IGZO) TFTs, rather than single binary oxides, such as ZnO, due to the reproducibility, uniformity, and surface smoothness of the IGZO active channel layer. However, recently, intrinsic ZnO-TFTs have been investigated, and TFT- arrayss have been demonstrated as prototypes of flat-panel displays and electronic circuits. However, ZnO thin films have some significant problems for application as an active channel layer of TFTs; it was easy to change the electrical properties of the i-ZnO thin films under external conditions. The variable electrical properties lead to unstable TFTs device characteristics under bias stress and/or temperature. In order to obtain higher performance and more stable ZnO-based TFTs, HZO thin film was used as an active channel layer. It was expected that HZO-TFTs would have more stable electrical characteristics under gate bias stress conditions because the binding energy of Hf-O is greater than that of Zn-O. For deposition of HZO thin films, Hf would be substituted with Zn, and then Hf could be suppressed to generate oxygen vacancies. In this study, the fabrication of the oxide-based TFTs with HZO active channel layer was reported with excellent stability. Application of HZO thin films as an active channel layer improved the TFT device performance and bias stability, as compared to i-ZnO TFTs. The excellent negative bias temperature stress (NBTS) stability of the device was analyzed using the HZO and i-ZnO TFTs transfer curves acquired at a high temperature (473 K).

• 한국재료학회지
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• 제20권10호
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• pp.513-517
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• 2010

There have been many efforts to modify and improve the properties of functional thin films by hybridization with nano-sized materials. For the fabrication of electronic circuits, micro-patterning is a commonly used process. For photochemical metal-organic deposition, photoresist and dry etching are not necessary for microscale patterning. We obtained direct-patternable $SnO_2$ thin films using a photosensitive solution containing Ag nanoparticles and/or multi-wall carbon nanotubes (MWNTs). The optical transmittance of direct-patternable $SnO_2$ thin films decreased with introduction of nanomaterials due to optical absorption and optical scattering by Ag nanoparticles and MWNTs, respectively. The crystallinity of the $SnO_2$ thin films was not much affected by an incorporation of Ag nanoparticles and MWNTs. In the case of mixed incorporation with Ag nanoparticles and MWNTs, the sheet resistance of $SnO_2$ thin films decreased relative to incorporation of either single component. Valence band spectral analyses of the nano-hybridized $SnO_2$ thin films showed a relation between band structural change and electrical resistance. Direct-patterning of $SnO_2$ hybrid films with a line-width of 30 ${\mu}m$ was successfully performed without photoresist or dry etching. These results suggest that a micro-patterned system can be simply fabricated, and the electrical properties of $SnO_2$ films can be improved by incorporating Ag nanoparticles and MWNTs.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권12호
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• pp.70-78
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• 2000

새로운 램프-적분을 이용한 용량차-시간차 변환기를 제안했다. 제안된 회로는 상하대칭으로 두개의 전류 미러, 두 개의 슈미트 트리거, 그리고 제어 논리-회로로 구성된다. 전체 회로를 개별 소자들로 꾸며, 실험한 결과, 제안된 변환기의 센서 커패시터가 295㎊에서 375㎊까지의 커패시턴스 변화에서 1%보다 작은 시간간격(펄스 폭)의 선형 오차를 가진다는 것을 알았다. 제안된 변환기가 335㎊의 센서 커패시턴스를 가질 때, 측정된 용량차와 시간차는 각각 40㎊와 0.2ms이었다. 이 시간차를 빠르고 안정된 클럭으로 카운트함으로써 고 분해능을 제공한다는 것을 알았다. 새로운 램프-적분을 이용한 용량차-시간차변환기를 사용하여 디지털 습도 조절기를 설계하고 실험하였다. 제안된 회로는 전원 전압이나 온도 변화에도 불구하고 용량차에는 거의 영향을 받지 않는다. 또한, 제한된 회로는 적은 수의 MOS 소자로 실현되므로, 작은 칩 면적 위에 집적화 할 수 있는 특징을 갖는다. 따라서 이 회로는 온-칩(on-chip) 인터페이스 회로로 적합하다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.359-368
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• 1998

낙뢰뿐만 아니라 유도뢰에 의해서 발생되는 과도과전압에 대한 첨단전자장비의 보호대책이 중요 과제 중의 하나로 대두되었다. 본 논분에서는 낙뢰에 의해 발생된 수직전계와 수평자계를 측정하고 분석하였다. 낙뢰에 의해 발생한 전계와 자계 파형은 최초 피크 다음에 이어지는 수 개의 후속 피크틀을 가지며, 이들 피크값은 시간의 경과와 더불어 감소하는 형상으로 나타났다. 원거리 낙뢰에 의해 방사된 전계파형은 자계 파형과 거의 흡사하였다. 낙뢰에 의해서 발생한 전계 파형의 1O~90 % 상승시간은 정극성은 $4.65\mu\textrm{s}$, 부극성에서는 $3.29\mu\textrm{s}$이었으며, 또한 정.부극성의 낙뢰 모두 자계의 파미 (波尾)부분의 영점교차시간은 전계 파형에 비해서 훨씬 길게 나타났다.