• 제목/요약/키워드: Electron-beam resist

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Control of Nanospacing in TiO2 Nanowire Array Using Electron Beam Lithography

  • Yun, Young-Shik;Yeo, Jong-Souk
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.430.1-430.1
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    • 2014
  • According to advanced nanotechnology in the field of biomedical engineering, many studies of the interaction between topography of surfaces and cellular responses have been focused on nanostructure. In order to investigate this interaction, it is essential to make well-controlled nanostructures. Electron beam lithography (EBL) have been considered the most typical processes to fabricate and control nano-scale patterns. In this work, $TiO_2$ nanowire array was fabricated with hybrid process (top-down and bottom-up processes). Nanodot arrays were patterned on the substrate by EBL process (top-down). In order to control the spacing between nanodots, we optimized the EBL process using Poly(methyl methacrylate) (PMMA) as an electron beam resist. Metal lift-off was used to transfer the spacing-controlled nanodots as a seed pattern of $TiO_2$ nanowire array. Au or Sn nanodots which play an important role for catalyst using Vapor-Liquid-Solid (VLS) method were patterned on the substrate through the lift-off process. Then, the sample was placed in the tube furnace and heated at the synthesis temperature. After heat treatment, $TiO_2$ nanowire array was fabricated from the nanodots through VLS method (bottom-up). These results of spacing-controlled nanowire arrays will be used to study the interaction between nanostructures and cellular responses in our next steps.

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생산성 향상을 위한 멀티빔 리소그라피 (Multiple Electron Beam Lithography for High Throughput)

  • 최상국;이천희
    • 한국광학회지
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    • 제16권3호
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    • pp.235-238
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    • 2005
  • 생산성 향상을 위하여 정렬된 마이크로칼럼을 이용하여 멀티-전자빔 리소그라피 장치를 개발하였다. 마이크로칼럼은 매우 작은 크기를 가지고 있어 병렬구조로 정렬하여 작동시킬 수 있다. Single Column Module(SCM) 구조의 멀티 전자빔 리소그라피 시스템과 전자칼럼을 제작하여 250 eV에서 300 eV 에너지 범위에서의 저에너지 마이크로칼럼 리소그라피를 성공적으로 수행하였다. 전자방출원에서 방출되는 전자빔의 총 전류가 $0.5\;{\mu}A$일 때, 샘플에서의 전류는 >1 nA으로 측정되었으며 리소그라피 패텅닝에서 사용된 working distance은 $\~1\;mm$였다.

전자빔을 이용한 단일 나노선상 선택적 패터닝 방법 (Method of selective electron beam pattering on a single nanowire.)

  • 김강현;임찬영;원부운;김규태
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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    • pp.44-47
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    • 2004
  • 단일 나노선 연구에 있어서 나노선에 원하는 패턴을 선택적으로 구현하는 새로운 방법을 소개한다. 기존에 많이 쓰였던 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진을 통한 나노선의 위치를 찾는 방법은 전자빔에 의해 유도되는 비결정성 탄소입자 등으로 인해 측정하고자하는 나노선의 전기적 특성을 왜곡시킬 수 있다. 이러한 점을 예방하고 작업의 편리성을 위하여 ER(E-beam Resist)이 코팅된 상태에서 바로 SEM을 이용해 패터닝하는 방법을 고안하였다. 또 다른 방법으로 기존의 AFM(Atomic Force Microscope) 사진으로 위치를 찾는 방식의 단점인 긴 작업시간을 개선하기 위해 광학현미경 사진을 이용해 패터닝하는 방법을 고안하였다. 이러한 방법들은 작업의 편리성이나 패턴의 정확도면에서 서로 보완적인 성격을 가지고 있어 필요에 따라 방법을 선택할 수 있다.

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Single-step 전자빔 묘화 장치를 이용한 Focusing Grating Coupler 제작 연구 (Fabrication technology of the focusing grating coupler using single-step electron beam lithography)

  • 김태엽;김약연;손영준;한기평;백문철;김해성;신동훈;이진구
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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    • pp.976-979
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    • 2002
  • A focusing grating coupler (FGC) was not fabricated by the 'Continuous Path Control' writing strategy but by an electron-beam lithography system of more general exposure mode, which matches not only the address grid with the grating period but also an integer multiple of the address grid resolution (5 nm), To more simplify the fabrication, we are able to reduce a process step without large decrease of pattern quality by excluding a conducting material or layer such as metal (Al, Cr, Au), which are deposited on top or bottom of an e-beam resist to prevent charge build-up during e-beam exposure. A grating pitch period and an aperture feature size of the FGC designed and fabricated by e-beam lithography and reactive ion etching were ranged over 384.3 nm to 448.2 nm, and $0.5{\times}0.5mm^2$ area, respectively, This fabrication method presented will reduce processing time and improve the grating quality by means of a consideration of the address grid resolpution, grating direction, pitch size and shapes when exposing. Here our investigations concentrate on the design and efficient fabrication results of the FGC for coupling from slab waveguide to a spot in free space.

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Fabrication Technology of the Focusing Grating Coupler using Single-step Electron Beam Lithography

  • Kim, Tae-Youb;Kim, Yark-Yeon;Han, Gee-Pyeong;Paek, Mun-Cheol;Kim, Hae-Sung;Lim, Byeong-Ok;Kim, Sung-Chan;Shin, Dong-Hoon;Rhee, Jin-Koo
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제3권1호
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    • pp.30-37
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    • 2002
  • A focusing grating coupler (FGC) was not fabricated by the 'Continuous Path Control'writing strategy but by an electron-beam lithography system of more general exposure mode, which matches not only the address grid with the grating period but also an integer multiple of the address grid resolution (5 nm). To more simplify the fabrication, we are able to reduce a process step without large decrease of pattern quality by excluding a conducting material or layer such as metal (Al, Cr, Au), which are deposited on top or bottom of an e-beam resist to prevent charge build-up during e-beam exposure. A grating pitch period and an aperture feature size of the FGC designed and fabricated by e-beam lithography and reactive ion etching were ranged over 384.3 nm to 448.2 nm, and 0.5 $\times$ 0.5 mm$^2$area, respectively. This fabrication method presented will reduce processing time and improve the grating quality by means of a consideration of the address grid resolution, grating direction, pitch size and shapes when exposing. Here our investigations concentrate on the design and efficient fabrication results of the FGC for coupling from slab waveguide to a spot in free space.

새로운 반응장치를 이용한 기능성 플라즈마 중합막의 제작 (Formation of the functional plasma ploymerized thin films by a new type reactor)

  • 김종택;이상희;박종관;박구범;이덕출
    • 한국진공학회지
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    • 제7권1호
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    • pp.72-76
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    • 1998
  • 본 연구에서는 방전내에서 활성화된 라디칼의 반응을 촉진시키는 플라즈마중합을 통하여 기능성 유기박막을 합성하기 위해 새로운 형태의 유동가스형 반응장치를 개발하였 다. 중합을 위해서 스티렌 모노머를 사용하였으며 분자구조와 분자량 분포에 대한 분석을 행하였다. 제작된 플라즈마중합막은 우수한 성능의 전자빔 레지스트로서 평가되었다. 새로운 플라즈마 반응장치를 이용하여 제작된 박막의 감도는 습식공정에 의해 제작된 레지스트의 감도에 비해서 향상되었으며 깨끗한 패턴이 성공적으로 제작되었다.

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Resist 표면 거칠기 예측을 위한 전자빔 리소그라피 시뮬레이션에 관한 연구 (A Study on Electron-beam Lithography Simulation for Resist Surface Roughness Prediction)

  • 김학;한창호;이기용;이우진;전국진
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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    • pp.45-48
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    • 2002
  • This paper discusses the surface roughness of negative chemically amplified resists, SAL601 exposed by I-beam direct writing. system. Surface roughness, as measured by atomic force microscopy, have been simulated and compared to experimental results. Molecular-scale simulator predicts the roughness dependence on material properties and process conditions. A chemical amplification is made to occur in the resists during PEB process. Monte-Carlo and exposure simulations are used as the same program as before. However, molecular-scale PEB simulation has been remodeled using a two-dimensional molecular lattice representation of the polymer matrix. Changes in surface roughness are shown to correlate with the dose of exposure and tile baking time of PEB process. The result of simulation has a similar tendency with that of experiment.

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저 에너지 초소형 전자칼럼 리소그래피를 이용한 SiO2 박막의 Pattern 제작에 관한 연구 (Study of SiO2 Thin Film Patterning by Low Energy Electron Beam Lithography Using Microcolumns)

  • 요시모토 다카토시;김호섭;김대욱;안승준
    • 한국자기학회지
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    • 제17권4호
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    • pp.178-181
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    • 2007
  • 반도체의 고 집적회로를 형성하기 위하여 주로 이용하고 있는 광 리소그래피 기술을 대신하여 사용할 수 있는 차세대 리소그래피 기술로 전자빔 리소그래피 기술에 대한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 초소형 전자칼럼을 이용하여 전자빔 에너지와 조사농도에 따른 pattern 두께의 의존성을 조사하였으며 두께가 100nm인 $SiO_2$ 박막의 patterning을 통하여 $SiO_2$ 박막에 대한 저 에너지 전자빔 리소그래피 공정의 가능성을 입증하였다.

나도 Imprinting 을 위한 몰드 제작에 관한 연구 (Nano-mold fabrication for imprinting lithography)

  • 이진형;임현우;김태곤;이승섭;박진구;이은규;김양선;한창수
    • 대한기계학회:학술대회논문집
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    • 대한기계학회 2003년도 춘계학술대회
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    • pp.1073-1077
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    • 2003
  • This study aims to investigate the fabrication process of nano silicon mold using electron beam lithography (EBL) to generate the nanometer level patterns by nano-imprinting technology. the nano-patterned mold including 100mm pattern size has been fabricated by EBL with different doses ranged from 22 to 38 ${\mu}C/cm^2$ on silicon using the conventional polymethylmetharcylate(PMMA) resist. The silicon mold is fabricated with various patterns such as circles, rectangles, crosses, oblique lines and mixed forms, The effect of dosage on pattern density in EBL is discussed based on SEM (Scannning Electron Microscopy) analysis of fabricated molds. The mold surface is modified by hydrophobic fluorocarbon (FC) thin films to avoid the stiction during nano-imprinting process.

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PMMA/P(MMA/MAA) 구조에서 0.1$\mu\textrm{M}$ T-gate 형성을 위한 전자빔 리소그래피 공정에 관한 연구 (A study on electron beam lithography for 0.1$\mu\textrm{M}$ T-gate formation at P(MMA/MAA)/PMMA structure)

  • 최상수;이진희;유형준;이상윤
    • 한국재료학회지
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    • 제5권1호
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    • pp.96-103
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    • 1995
  • 30KV 전자빔리소그래피 장치를 사용하여 PMMA 3000$\AA$/P(MMA/MAA) 6000$\AA$의 이중구조에서 foot width 0.1$\mu$m이하, head width 0.4$\mu$m의 T-gate를 형성하였다. PMMA/P(MMA/MAA)/GaAS 구조에 대한 Monte Carlo 시뮬레이션 결과, 산란반경 0.1$\mu$m에서 전방산란전자와 후방산란전자의 에너지 비는 19.5:1로 나타났다. 전자빔리소그래피 공정에 필요한 PMMA 및 P(MMA/MMA)의 열처리 조건, 설게 선폭에 대한 패턴감도를 구하였다. MIBK : IPA = 1 : 1 현상액에 대한 PMMA 및 P(MMA/MAA)의 감마값(gamma value)은 2.3이었다. 광 및 전자빔리소그래피 장치의 혼합사용(mix-and-match) 결과 층간정렬도 (alignment accuracy)는 0.1$\mu$m(3$\sigma$) 이하를 얻었다.

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