References
- K. E. Gonsalves, M. Thiyagarajan, J. H. Choi, P. Zimmerman, F. Cerrina, P. Nealey, V. Golovkina, J. Wallace, and N. Batina, Microelectronic Eng., 77, 27 (2005) https://doi.org/10.1016/j.mee.2004.08.003
- K. Vutova, G. Mladenov, I. Raptis, and A. Olziersky, J. Materials Processing Technol., 184, 305 (2007) https://doi.org/10.1016/j.jmatprotec.2006.11.050
- W. Zhang, A. Potts, D. M. Bagnall, and B. R. Davidson, Thin Solid Films, 515, 3714 (2007) https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.09.011
- H. S. Kim, M. L. Yu, M. G. R. Thomson, E. Kratschmer, and T. H. P. Chang, J. Appl. Phys., 81, 461 (1997) https://doi.org/10.1063/1.364081
- E. Kratschmer, H. S. Kim, M. G. R. Thomson, K. Y. Lee, S. A. Rishton, M. L. Yu, S. Zolgharnain, B. W. Hussey, and T. H. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 3792 (1996) https://doi.org/10.1116/1.588669
- H. Kim, C. Han, and K. J. Chun, Jpn. J. Appl. Phys., 42, 4084 (2003) https://doi.org/10.1143/JJAP.42.4084
- J. W. Jeong, D. J. Kim, H. S. Kim, S. K. Choi, D. Y. Kim, and H. R. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 44, 5565 (2005) https://doi.org/10.1143/JJAP.44.5565
- H. S. Kim, Y. C. Kim, D. W. Kim, S. J. Ahn, Y. Jang, H. W. Kim, D. J. Seong, K. W. Park, S. S. Park, and B. J. Kim, Microelectronic Eng., 83, 962 (2006) https://doi.org/10.1016/j.mee.2006.01.099
- S. J. Ahn, D. W. Kim, H. S. Kim, K. H. Cho, and S. S. Choi, Appl. Phys. A, 69, s527 (1999) https://doi.org/10.1007/s003390051461
- J. Y. Park, J. D. Lera, M. A. Yakshin, S. S. Choi, Y. Lee, K. J. Chun, J. D. Lee, D. Jeo, and Y. Kuk, J. Vac. Sci, Technol. B, 15, 2749 (1997) https://doi.org/10.1116/1.589720