Polycarbonate has a high transmittance to light, low specific gravity, flexibility and cost-effectiveness that extends the application field of the polymer to bio-engineering, optics, electronic parts, etc. Moreover, electro plating of metallic film on PC could endow the parts the electromagnetic interference shielding capability. However, poor adhesion of copper on PC limited the wide usage in the industry. In this work, a composite(PC/ABS) and MmSH(Momentary mold Surface Heating) injection process were used to improve the plating characteristics; plating thickness, gloss and adhesion. Also plasma treatment and chemical treatment were employed for improving adhesion. Plating characteristics on PC/ABS were better than those on PC due to the anchoring effect of butadiene. MmSH injection process could ameliorate the gloss and coating adhesion. Also plating thickness and adhesion of PC and PC/ABS were increased by plasma treatment.
Lee, Sang Hee;Rehman, Atteq ur;Shin, Eun Gu;Lee, Doo Won;Lee, Soo Hong
Journal of the Optical Society of Korea
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제19권3호
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pp.217-221
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2015
Developing a metallization that has low cost and high efficiency is essential in solar-cell industries, to replace expensive silver-based metallization. Ni/Cu two-step metallization is one way to reduce the cost of solar cells, because the price of copper is about 100 times less than that of silver. Alkaline electroless plating was used for depositing nickel seed layers on the front electrode area. Prior to the nickel deposition process, 2% HF solution was used to remove native oxide, which disturbs uniform nickel plating. In the subsequent step, a nickel sintering process was carried out in $N_2$ gas atmosphere; however, copper was plated by light-induced plating (LIP). Plated nickel has different properties under different bath conditions because nickel electroless plating is a completely chemical process. In this paper, plating bath conditions such as pH and temperature were varied, and the metal layer's structure was analyzed to investigate the adhesion of Ni/Cu metallization. Average adhesion values in the range of 0.2-0.49 N/mm were achieved for samples with no nickel sintering process.
In high-efficiency crystalline silicon solar cells, If high-efficiency solar cells are to be commercialized. It is need to develop superior contact formation method and material that can be inexpensive and simple without degradation of the solar cells ability. For reason of plated metallic contact is not only high metallic purity but also inexpensive manufacture. It is available to apply mass production. Especially, Nickel, Copper and Silver are applied widely in various electronic manufactures as easily formation is available by plating. The metallic contact system of silicon solar cell must have several properties, such as low contact resistance, easy application and good adhesion. Ni is shown to be a suitable barrier to Cu diffusion as well as desirable contact metal to silicon. Nickel monosilicide(NiSi) has been suggested as a suitable silicide due to its lower resistivity, lower sintering temperature and lower layer stress than $TiSi_2$. Copper and Silver can be plated by electro & light-induced plating method. Light-induced plating makes use the photovoltaic effect of solar cell to deposite the metal on the front contact. The cell is immersed into the electrolytic plating bath and irradiated at the front side by light source, which leads to a current density in the front side grid. Electroless plated Ni/ Electro&light-induced plated Cu/ Light-induced plated Ag contact solar cells result in an energy conversion efficiency of 14.68 % on $0.2{\sim}0.6{\Omega}{\cdot}cm,\;20{\times}20mm^2$, CZ(Czochralski) wafer.
Silver coated copper composite powders were prepared by electroless plating method by controlling the activation and deposition process variables such as feeding rate of silver ions solution, concentration of reductant and molar ratio of activation solution $(NH_4OH/(NH_4)_2SO_4)$ at room temperature. The characteristics of the product were verified by using a scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD) and atomic absorption (A.A.). It is noted that completely cleansing the copper oxide layers and protecting the copper particles surface from hydrolysis were important to obtain high quality Ag-Cu composite powders. The optimum conditions of Ag-Cu composite powder synthesis were $NH_4OH/(NH_4)_2SO_4$ molar ratio 4, concentration of reductant 15g/l and feeding rate of silver ions solution 2 ml/min.
하이드로퀴논 환원제를 사용하는 무전해 은도금 방법으로 은(Ag)코팅 구리(Cu) 플레이크를 제조하는 공정에서 전처리 용액, 반응온도, pH, Ag 도금액 조성 및 주입속도, 펄프농도 등 여러 변수를 변화시켜가며 우수한 품질의 Ag 코팅이 형성되는 공정조건들을 확보하였다. Cu 플레이크 표면의 산화층을 제거하기 위한 효과적인 전처리 용액이 제시되었고, 낮은 반응온도, 4.34 수준의 pH값, 느린 Ag 도금액 주입속도, Ag 도금액에서 증류수 제거, 높은 펄프농도 조건에서 분리형 미세 Ag 입자들의 생성이 억제되고, Cu 표면 커버리지가 우수한 Ag 코팅층이 형성됨을 확인할 수 있었다.
무전해 도금법에 의해 제조된 은 피복 Ni-Zn 페라이트 분말의 전파흡수특성을 조사하였다. 분무건조법 및 소결 고정에 의해 평균입경이 $50{\mu}m$ 정도인 페라이트 구형 분말을 제조하고, 이 분말 위에 은 피막을 무전해 도금법에 의해 코팅하였다. 페라이트 표면에 형성되는 은 피막의 미세조직은 도금욕의 $AgNO_3$의 농도에 따라 민감히 변화하였다. 균일한 은 피막을 얻기 위해 페라이트 분말 20g당 10g/L $AgNO_3$가 필요하였다. 페라이트 분말 표면에 은 피막이 형성됨에 따라 전기저항은 $10^{-2}\~10^{-3}\;\Omega$ 정도까지 감소하였다. 도금 처리되지 않은 순수 페라이트 분말은 400 MHz에서 자기공명을 나타내는 전형적인 자성재료의 특성을 나타내었고, 복소유전율은 실수 항이 35, 허수 항은 거의 0에 가까운 값을 나타내었다. 반면 균일한 은 도금이 이루어진 페라이트 분말은 투자율의 큰 변화 없이 복소유전율 실수항이 35, 허수항이 8 이상으로 매우 크게 증가하였다. 이에 따라 전파흡수체의 두께를 현저히 줄일 수 있었다. 임피던스 정합두께는 C-band대역에서 도금되지 않은 페라이트 분말의 경우 5mm로부터 도금 후 2mm 수준으로 감소하였다.
은 카바메이트 착체 화합물의 환원에 의한 무전해 도금법으로 은/폴리스티렌 비드를 제조하기 위하여 폴리스티렌 및 아민 관능기를 가지는 공중합체 비드를 제조하였다. 스티렌, divinylbenzene(DVB) 그리고 2-(N,N-dimethylamino)ethyl methacrylate (DAEMA) 단량체들을 poly(vinyl alcohol) 존재 하에서 물/메탄올을 용매로 사용하여 무유화중합을 진행하였다. 30/0$\sim$1.5/0$\sim$3 wt%의 단량체 조성을 가지는 poly(styrene/DVB/DAEMA) 비드는 구형으로 1 ${\mu}m$의 일정한 크기를 가지고 있었다. 아민 기능기를 가지는 폴리스티렌 비드의 무전해 도금은 비드의 전처리 없이 silver 2-ethylhexylcarbamate (Ag-EHCB) 복합체와 히드라진 환원제를 사용하여 메탄올 용액에서 진행하였다. 제조된 비드와 도금된 비드 표면의 형태를 SEM으로 관찰하였으며 은 도금된 비드를 분산시켜 자외선 흡수 변화 그리고 도금된 은의 성분을 XRD로 분석하였다.
An electrolytic silver plating process has been successfully developed for terminated electrode parts of dielectric ceramic resonator. High adhesion strength and high Qu is obtained and blister occurance is minimized under plating condition with $HNO_3$750 $m\ell/\ell$ and HF $ 250m\ell/\ell$ solution at $25^{\circ}C$ for 20 minutes. Adhesion strength has the highest value, 3.2 kg/mm$^2$ at etching temperature of $25^{\circ}C$. Adhesion strength, Qu and blister occurance are monotonically increased with the thickness of electrodeposition layer. In case of electrodeposition of Ag, Qu value of 380 has obtained higher than in case of electrolytic Cu plating with Qu value of 325. Therefore, terminated electrode parts of dielectric ceramic resonator reducing dielectric loss can be obtained using prensent process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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