The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.52
no.2
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pp.80-84
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2003
The mechanical and electrical properties of the hot-pressed and pressureless annealed SiC-Ti $B_2$electroconductive ceramic composites were investigated as functions of the liquid additives of $Al_2$$O_3$+ $Y_2$$O_3$. The result of phase analysis for the SiC-Ti $B_2$ composites by XRD revealed $\alpha$-SiC(6H), Ti $B_2$, and YAG(A $l_{5}$$Y_3$$O_{12}$ ) crystal phase. The relative density of SiC-Ti $B_2$ composites was increased with increased $Al_2$$O_3$+ $Y_2$$O_3$ contents. The fracture toughness showed the highest value of 6.04 Mpa $m^{\frac{1}{2}}$ for composites added with l2wt% A1$_2$$O_3$+ $Y_2$$O_3$ additives at room temperature. The electrical resistivity showed the lowest value of 6.2$\times$10$^{-3}$$\Omega$ㆍcm for composite added with l6wt% $Al_2$$O_3$+ $Y_2$$O_3$ additives at room temperature. The electrical resistivity of the SiC-Ti $B_2$ composites was all positive temperature cofficient resistance(PTCR) in the temperature ranges from $25^{\circ}C$ to $700^{\circ}C$.
The composites were fabricated by adding 0, 15, 20, 25[vol.%] Zirconium Diboride(hereafter, $ZrB_2$) powders as a second phase to Silicon Carbide(hereafter, SiC) matrix. The physical, mechanical and electrical properties of electroconductive SiC ceramic composites by spark plasma sintering(hereafter, SPS) were examined. Reactions between $\beta$-SiC and $ZrB_2$ were not observed in the XRD analysis The relative density of mono SiC, SiC+15[vol.%]$ZrB_2$, SiC+20[vol.%]$ZrB_2$ and SiC+25[vol.%]$ZrB_2$ composites are 90.97[%], 74.62[%], 77.99[%] and 72.61[%] respectively. The XRD phase analysis of the electroconductive SiC ceramic composites reveals high of SiC and $ZrB_2$ and low of ZrO2 phase. The electrical resistivity of mono SiC, SiC+15[vol.%]$ZrB_2$, SiC+20[vol.%]$ZrB_2$ and SiC+25[vol.%]$ZrB_2$ composites are $4.57{\times}10^{-1}$, $2.13{\times}10^{-1}$, $1.53{\times}10^{-1}$ and $6.37{\times}10^{-2}[{\Omega}{\cdot}cm]$ at room temperature, respectively. The electrical resistivity of mono SiC, SiC+15[vol.%]$ZrB_2$, SiC+20[vol.%]$ZrB_2$ and SiC+25[vol.%]$ZrB_2$ are Negative Temperature Coefficient Resistance(hereafter, NTCR) in temperature ranges from 25[$^{\circ}C$] to 100[$^{\circ}C$]. It is convinced that SiC+20[vol.%]$ZrB_2$ composite by SPS can be applied for heater above 1000[$^{\circ}C$].
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.50
no.10
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pp.500-503
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2001
The mechanical and electrical properties of the hot-pressed and pressureless annealed SiC+39vol.%$TiB_2$electroconductive ceramic composites were investigated as a function of the liquid additives of $Al_2O_3+Y_2O_3$. The result of phase analysis for the SiC+39vol.%$TiB_2$composites by XRD revealed $\alpha$-SiC(6H), $TiB_2$, and $YAG(Al_5Y_3O_{12})4 crystal phase. The relative density of SiC+39vol.%$TiB_2$ composites was increased with increased $Al_2O_3+Y_2O_3$. contents. The fracture toughness showed the highest value of $7.8 MPa.m^{1/2}$ for composites added with 12 wt % $Al_2O_3+Y_2O_3$. additives at room temperature. The electrical resistivity and the resistance temperature coefficient showed the lowest value of $7.3\times10_{-4}\Omega.cm\; and\; 3.8\times10_{-3}/^{\circ}C$ for composite added with 12 wt% $Al_2O_3+Y_2O_3$. additives at room temperature. The electrical resistivity of the SiC+39vol.%$TiB_2$composites was all positive temperature coefficient resistance(PTCR) in the temperature ranges from $25^{\circ}C\; to\; 700^{\circ}C$.
Sin, Yong-Deok;Park, Mi-Rim;So, Byeong-Mun;Lee, Dong-Mun
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.51
no.4
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pp.141-146
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2002
The mechanical and electrical properties of the pressureless sintered SiC-TiB$_2$electroconductive ceramic composites were investigated as functions of the transition metal of TiB$_2$. The result of phase analysis for the SiC-TiB$_2$ composites by XRD revealed $\alpha$-SiC(6H), TiB$_2$, and YAG(Al$_{5}$Y$_3$O$_{12}$) crystal phases. The relative density showed the lowest 84.8% for the SiC-TiB$_2$composites added with 39vol.%TiB$_2$. Owing to crack deflection, crack bridging and YAG of fracture toughness mechanism, the fracture toughness showed the highest value of 7.8 MPa.m$^{1}$2/ for composites added with 39vol.%TiB$_2$under a pressureless annealing at room temperature. The electrical resistivity of the SiC-27vol.%TiB$_2$ composites was negative temperature coefficient resistance(NTCR), and the electrical resistivity of the besides SiC-27vol.%TiB$_2$composites was all positive temperature coefficient resistance(PCTR) in the temperature range of $25^{\circ}C$ to $700^{\circ}C$.EX>.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.9
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pp.516-522
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2000
The mechanical and electrical properties of the hot-pressed and annealed $\beta-SiC-ZrB_2$ electroconductive ceramic composites were investigated as a function of the liquid forming additives of$Al_2O_3+Y_2O_3$ Phase analysis of composites by XRD revealed $\alpha-SiC(6H) ZrB_2\; and YAG(Al_5Y_3O_{12})$ The relative density of composites were increased with increased Al2O3+Y2O3 contents. The Flexural strength showed the highest value of 390.6MPa for composites added with 20wt% Al2O3+Y2O3 additives at room temperature. Owing to crack deflection crack bridging phase transition and YAG of fracture toughness mechanism the fracture toughness showed the highest value of 6.3MPa.m1/2 for composites added with 24wt% Al2O3+Y2O3 additives at room temperature. The resistance temperature coefficient showed the value of$ 2.46\times10^{-3}\;, 2.47\times10^{-3},\; 2.52\times10^{-3}/^{\circ}C$ for composite added with 16, 20, 24wt% Al2O3+Y2O3 additives respectively. The electrical resistivity of the composites was all positive temperature coefficient resistance(PTCR) in the temperature range of $256{\circ}C\; to\; 900^{\circ}C$.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.9
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pp.510-515
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2000
The mechanical and electrical properties of the hot-pressed and annealed $\beta-SiC-TiB_2$ electroconductive ceramic composites were investigated as a function of the liquid forming additives of Al_2O_3+Y_2O_34. The result of phase analysis of composites by XRD revealed $\alpha-SIC(6H)\;TiB_2,\; and YAG(Al5Y3O12) crystal phase. The relative density and the mechanical properties of composites were increased with increasing $Al_2O_3+Y_2O_34 contents because YAG of reaction between $Al_2O_3\; and\; Y_2O_3$ was increased. The Flexural strength showed the highest value of 432.5MPa for composites added with 12wt% $Al_2O_3+Y_2O_34 additives at room temperature. Owing to crack deflection crack bridging phase transition and TAG of fracture toughness mechanism the fracture toughness showed 7.1MPa.m1/2 for composites added with 12wt% $Al_2O_3+Y_2O_34 additives at room temperature. The electrical resistivity and the resistance temperature coefficient showed the lowest of $6.0\times10-4\Omega.cm\; and\; 3.1\times10-3/^{\circ}C4 respectively for composite added with 12wt% \Omega additives at room temperature. The electrical resistivity of the composites was all positive temperature coefficient resistance (PTCR) in the temperature range of $25^{\circ}C\; to\; 700^{\circ}C$.
We proposed a simple process of creating electroconductive textiles by using PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate))/non-oxidized graphene to coat polyamide or polyurethane knitted fabric for smart healthcare purposes. Electroconductive textiles were obtained through a coating process that used different amounts of PEDOT:PSS/non-oxidized graphene solutions on polyamide/polyurethane knitted fabric. Subsequently, the surface, electrical, chemical, weight change, and elongation properties were evaluated according to the ratio of PEDOT:PSS/non-oxidized graphene composite(1.3 wt%:1.0 wt%; 1.3 wt%:0.6 wt%; 1.3 wt%:0.3 wt%) and the number of applications(once, twice, or thrice). The specimens' surface morphology was observed by FE-SEM. Further, their chemical structures were characterized using FTIR and Raman spectroscopy. The electrical properties measurement (sheet resistance) of the specimens, which was conducted by four-point contacts, shows the increase in conductivity with non-oxidized graphene and the number of applications in the composite system. Moreover, a test of the fabrics' mechanical properties shows that PEDOT:PSS/non-oxidized graphene-treated fabrics exhibited less elongation and better ability to recover their original length than untreated samples. Furthermore, the PEDOT:PSS/non-oxidized graphene polyamide/polyurethane knitted fabric was tested by performing tensile operations 1,000 times with a tensile strength of 20%; Consequently, sensors maintained a constant resistance without noticeable damage. This indicates that PEDOT:PSS/non-oxidized graphene strain sensors have sufficient durability and conductivity to be used as smart wearable devices.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.55
no.11
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pp.505-513
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2006
The present study investigated the influence of the content of $Al_2O_3+Y_2O_3$ sintering additives on the microstructure, mechanical and electrical properties of the pressureless-sintered $SiC-ZrB_2$ electroconductive ceramic composites. Phase analysis of composites by XRD revealed mostly of ${\alpha}-SiC(4H),\;ZrB_2,\;{\beta}-SiC(15R)$ and In Situ $YAG(Al_5Y_3O_{12})$. The relative density and the flexural strength showed the highest value of 86.8[%] and 203[Mpa] for $SiC-ZrB_2$ composite with an addition of 8[wt%] $Al_2O_3+Y_2O_3$ as a sintering aid at room temperature respectively. Owing to crack deflection and crack bridging of fracture toughness mechanism, the fracture toughness showed 3.7 and $3.6[MPa{\cdot}m^{1/2}]\;for\;SiC-ZrB_2$ composites with an addition of 8 and 12[wt%] $Al_2O_3+Y_2O_3$ as a sintering aid at room temperature respectively. Abnormal grain growth takes place during phase transformation from ${\beta}-SiC\;into\;{\alpha}-SiC$ was correlated with In Situ YAG phase by reaction between $Al_2O_3\;and\;Y_2O_3$ additives during sintering. The electrical resistivity showed the lowest value of $6.5{\times}10^{-3}[({\Omega}{\cdot}cm]$ for the $SiC-ZrB_2$ composite with an addition of 8[wt%] $Al_2O_3+Y_2O_3$ as a sintering aid at room temperature. The electrical resistivity of the $SiC-ZrB_2$ composites was all positive temperature coefficient(PTCR) in the temperature ranges from $25[^{\circ}C]\;to\;700[^{\circ}C]$. The resistance temperature coefficient showed the highest value of $3.53{\times}10^{-3}/[^{\circ}C]\;for\;SiC-ZrB_2$ composite with an addition of 8[wt%] $Al_2O_3+Y_2O_3$ as a sintering aid in the temperature ranges from $25[^{\circ}C]\;to\;700[^{\circ}C]$. In this paper, it is convinced that ${\beta}-SiC$ based electroconductive ceramic composites for heaters or ignitors can be manufactured by pressureless sintering.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.57
no.5
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pp.808-815
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2008
The composites were fabricated 61[vol.%] ${\beta}$-SiC and 39[vol.%] $TiB_2$ powders with the liquid forming additives of 8, 12, 16[wt%] $Al_2O_3+Y_2O_3$ as a sintering aid by pressureless annealing at 1650[$^{\circ}C$] for 4 hours. The present study investigated the influence of the content of $Al_2O_3+Y_2O_3$ sintering additives on the microstructure, mechanical and electrical properties of the pressureless annealed SiC-$TiB_2$ electroconductive ceramic composites. Reactions between SiC and transition metal $TiB_2$ were not observed in the microstructure and the phase analysis of the pressureless annealed SiC-$TiB_2$ electroconductive ceramic composites. Phase analysis of SiC-$TiB_2$ composites by XRD revealed mostly of ${\alpha}$-SiC(6H), ${\beta}$-SiC(3C), $TiB_2$, and In Situ YAG($Al_2Y_3O_{12}$). The relative density of SiC-$TiB_2$ composites was lowered due to gaseous products of the result of reaction between SiC and $Al_2O_3+Y_2O_3$. There is another reason which pressureless annealed temperature 1650[$^{\circ}C$] is lower $300{\sim}450[^{\circ}C]$ than applied pressure sintering temperature $1950{\sim}2100[^{\circ}C]$. The relative density, the flexural strength, the Young's modulus and the Vicker's hardness showed the highest value of 82.29[%], 189.5[Mpa], 54.60[Gpa] and 2.84[Gpa] for SiC-$TiB_2$ composites added with 16[wt%] $Al_2O_3+Y_2O_3$ additives at room temperature. Abnormal grain growth takes place during phase transformation from ${\beta}$-SiC into ${\alpha}$-SiC was correlated with In Situ YAG phase by reaction between $Al_2O_3$ and $Y_2O_3$ additive during sintering. The electrical resistivity showed the lowest value of 0.0117[${\Omega}{\cdot}cm$] for 16[wt%] $Al_2O_3+Y_2O_3$ additives at 25[$^{\circ}C$]. The electrical resistivity was all negative temperature coefficient resistance (NTCR) in the temperature ranges from $25^{\circ}C$ to 700[$^{\circ}C$]. The resistance temperature coefficient of composite showed the lowest value of $-2.3{\times}10^{-3}[^{\circ}C]^{-1}$ for 16[wt%] additives in the temperature ranges from 25[$^{\circ}C$] to 100[$^{\circ}C$].
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[게시일 2004년 10월 1일]
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