Photo-capacitor electrodes are attracting great attention because of their high capacitance and potential applications in electronic devices. Carbon capacitor, active carbon capacitor and its combination will be fabricated using simple sandwich capacitor electrode method as carbonaceous material on each type of capacitor electrodes with 20 ${\times}$ 15 mm cell size. Carbon/active carbon cell was fabricated using sol-gel process with 120oC dry temperature in l hour and using sintering process with 500oC in 2 hour. The effect of sintering temperature on carbon properties was also investigated with X-ray diffraction technique to get the best sintering temperature. The detail of fabrication process will be explained. Elemental composition in electrode material can be measured using quantitative spectroscopic as and a cyclic voltammetric technique was used to study the combined effects of electrode material and effect of annealing temperature and also time on the capacitance of thermally treated in capacitor electrode. In this work, characterization impedance technique is used to measurement of capacitance and giving complementary results. Active carbon as carbonaceous material has a better capacitance in charge/discharge process with mean thickness $32{\mu}m$ and with particle size $1{\mu}m$ to $4.5{\mu}m$ in 20 ${\times}$ 15 mm sample size of capacitor electrode.
$Zr_{0.7}Sn_{0.3}TiO_4$ (ZST) thin films were fabricated by metal-organic decomposition, and their dielectric properties were investigated in order to evaluate their potential use in passive capacitors for rf and analog/mixed signal integrated circuits. The ZST thin film annealed at the temperature of $800^{\circ}C$ showed a dielectric constant of 27.3 and a dielectric loss of 0.011. The capacitor using the ZST film had quadratic and linear voltage coefficient of capacitance (VCC) of -65 ppm/$V^2$ and -35 ppm/V at 100 kHz, respectively. It also exhibited a good temperature coefficient of capacitance (TCC) value of -32 ppm/$^{\circ}C$ at 100 kHz.
In this study, the capacitance-voltage properties of $(Sr_{1-x}\cdot Ca_x)TiO_3(0.05{\leq}x{\leq}0.20)$-based grain boundary layer ceramics were investigated. The ceramics were fabricated by the conventional mixed oxide method. The sintering temperature and time were $1480\sim1500^{\circ}C$ and 4 hours. respectively. The 2nd phase formed by the thermal diffusion of CuO from the surface leads to very excellent dielectric properties, that is, ${\varepsilon}_r$ >50000, tan$\delta$ <0.05, ${\Delta}C$ < ${\pm}10%.$ The capacitance is almost unchanged below about 20[V] but it decreases slowly about 20[V]. The results of the capacitance-voltage properties indicated that the grain boundary was composed of the continuous insulating layers.
$ZrO_2$ and Al-Zr composite oxide film was prepared by vacuum assisted sol-gel dip coating method and anodizing. $ZrO_2$ films annealed above $400^{\circ}C$ have tetragonal structure. $ZrO_2$ layers inside etch pits were successfully coated from the $ZrO_2$ sol. The double layer structures of samples were obtained after being anodized at 100 V to 600 V. From the TEM images, it was found that the outer layer was $Al_2O_3$, the inner layer was multi-layer of $ZrO_2$, Al-Zr composite oxide and Al hydrate. The capacitance of $ZrO_2$ coated foil exhibited about 28.3% higher than that of non-coating foil after being anodized at 100 V. The high capacitance of $ZrO_2$ coated foils anodized at 100 V can be attributed to the relatively high percentage of inner layer in total thickness. The electrical properties, such as withstanding voltage and leakage current of coated and non-coated Al foils showed similar values. From the results, $ZrO_2$ and Al-Zr composite oxide is promising to be used as the partial dielectric of high voltage capacitor to increase the capacitance.
This paper presents the operation principle and design rule of the Rogowski coil which can measure the transient current and describes the calibration and application experimental results for performance evaluation. It is obtained that the response curves of the Robowski coil with the turns of 300 and the passive integrator to sinusoidal input give a good linearity up to the frequency of 500 [kHz] and the current measurement system gaving the Rogowski coil is the frequency bandwidth of 40 [Hz]~700 [kHz]. As an application experiment for the fabricated modeling power transmission line, the impulse current, which limitates the direct lightning return stroke to overhead ground wire, is measured by the Rogowski coil and its fast Fourier transformation is carried out. The equivalent circuit of the Rogowski coil considering the stray capacitances is proposed, and the theoretical analysis is in good agreement with the measurement results. Also, it is found that for high frequency domain the stray capacitance such as a distributed capacitance to the shield and the capacitance between windings of coil should be considered in designing the Rogowski coils since the resonance originates from the stray capacitance and the self-inductance of the Rogowski coil.
DC-link capacitors are one of the main components in two-level three-phase voltage source inverters (VSIs); they provide the pulsating input current and stabilize the vacillating DC-link voltage. Ideally, the larger the capacitance of DC-link capacitors, the better the DC-link voltage stabilizes. However, high capacitance increases the cost and decreases the power density of VSI systems. Therefore, the capacitance should be chosen carefully on the basis of the DC-link voltage ripple requirement. However, the DC-link voltage ripple is dependent on the pulse-width modulation (PWM) strategy. This study especially presents a DC-link voltage ripple analysis when the minimum loss discontinuous PWM strategy is applied. Furthermore, an equation for the selection of the minimum capacitance of DC-link capacitors is proposed. Experimental results with R-L loads are also provided to verify the effectiveness of the presented analysis.
The output characteristics of step-down piezoelectric transformer is changed by a structure of layers. In this paper, we simulated output characteristics of multi-layer piezoelectric transformers with variation of output layers. Also, fabricated piezoelectric transformers were compared with simulated data. From simulated piezoelectric transformers, the output voltage decreased with increasing number of layers. From these results, piezoelectric transformers were made and the output electrical power of the transformers was measured at resonance frequency and at other frequency. The electrical power of transformers was measured on each transformer's resonance mode. However, measured value of 12-layed transformer's output power was smaller than that of 6-layered transformer's one. It is supposed that internal capacitance and reactance of the piezoelectric transformer's were effected in this result. Therefore we need to connect other road resistance and capacitance in output circuit, in order to increase electrical power of transformers.
Impedance spectroscopy was applied to low temperature polycrystalline Si in order to investigate the electrical/dielectric information in polycrystalline Si. By combined microstructure and impedance spectroscopy works, it was shown that the electrical information is sensitive to the corresponding microstructure, i.e., the grain size and distribution, judged from the capacitance vs. grain size relationship. At $360 mJ/cm^2$, the maximum in capacitance and the minimum in resistance correspond to the largest grain sizes of unimodal distribution in polycrystalline Si. The electrical/dielectric characterization is compared with Raman spectroscopic characterizations in terms of microstructure.
The recent emphasis on energy conservation demands an improvement of the efficiency of single-phase induction motors. To take the efficiency operation of the capacitor run single-phase induction motor with auxiliary and main winding, it is very important to select the capacitance value. This paper describes the theoretical analysis method of a single-phase induction motor which is based on the rotating field theory, using the method of symmetrical components. The optimal selection method of capacitance is proposed.
The silicon wafer is stable status at room temperature, but it is weak at high temperatures which is necessary for it to be fabricated into a power semiconductor device. During thermal diffusion processing, a high temperature produces a variety thermal stress to the wafer, resulting in device failure mode which can cause unwanted oxide charge or some defect. This disrupts the silicon crystal structure and permanently degrades the electrical and physical characteristics of the wafer. In this paper, the electrical characteristics of a single oxide layer due to high temperature diffusion process, wafer resistivity and thickness of polyback was researched. The oxide quality was examined through capacitance-voltage characteristics, defect density and BMD(Bulk Micro Defect) density. It will describe the capacitance-voltage characteristics of the single oxide layer by semiconductor process and device simulation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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