• 제목/요약/키워드: Electrical Double Layer

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SrCaCuO와 BiPbCuO 이중층의 상호확산에 의해 제조된 Bi(Pb)SrCaCuO 초전도체 (Bi(Pb)SrCaCuO superconductor fabricated by interdiffusion of SrCaCuO and BiPbCuO double layers)

  • 최효상;이중근;정동철;한병성
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제9권7호
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    • pp.680-689
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    • 1996
  • SrCaCuO와 BiPbCuO 화합물로 이루어진 이중층시료가 만들어 졌으며, 소결과정에서 나타나는 확산과 입자간의 상호작용으로 108K의 임계온도를 나타내었다. 이 시료는 820.deg. C에서 0-210 시간동안 소결되었다. 초전도체의 생성, 성장메카니즘과 임계온도의 관계가 연구되었으며, 최적조건은 820.deg. C에서 210시간 소결하고 SrCaCuO와 BiPbCuO의 도포비가 1:0.6인 시편에서 나타났다. 또한 이중층시료에서 가장 좋은 조성비는 S $r_{2}$C $a_{2}$C $u_{2}$ $O_{x}$와 B $i_{1.9}$P $b_{0.5}$C $u_{3}$ $O_{y}$ 이었다.다.

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CuPc/$C_{60}$ 이중층을 이용한 유기 광기전 소자의 전기적 특성 (Electrical Properties of Organic Photovoltaic Cell using CuPc/$C_{60}$ double layer)

  • 이호식;박용필
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2008년도 춘계종합학술대회 A
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    • pp.744-746
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    • 2008
  • Organic photovoltaic effects were studied in a device structure of ITO/CuPc/Al and ITO/CuPc/$C_{60}$/BCP/Al. A thickness of CuPc layer was varied from 10 nm to 50 nm, we have obtained that the optimum CuPc layer thickness is around 40 nm from the analysis of the current density-voltage characteristics in CuPc single layer photovoltaic cell. From the thickness-dependent photovoltaic effects in CuPc/$Cu_{60}$ heterojunction devices, higher power conversion efficiency was obtained in ITO/20nm CuPc/40nm $C_{60}$/Al, which has a thickness ratio (CuPc:$C_{60}$) of 1:2 rather than 1:1 or 1:3. Light intensity on the device was measured by calibrated Si-photodiode and radiometer/photometer of International Light Inc(IL14004).

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열저항식을 이용한 공기막 이중필름의 관류전열량 특성 분석 (Analysis of Heat Transmission Characteristics through Air-Inflated Double Layer Film by Using Thermal Resistance Equation)

  • 김형권;전종길;백이;이상호;윤남규;유주열
    • 생물환경조절학회지
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    • 제22권4호
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    • pp.316-321
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    • 2013
  • 본 연구는 온실의 관류전열량을 분석하고 예측하는데 필요한 기초자료 제공을 위하여, 공기막 이중 PO필름의 열저항식을 모델링하였고, 전도, 복사, 대류에 의한 열저항 특성을 규명하였다. 또한 열저항식의 타당성 검증을 위해 열저항식에 의한 관류전열량의 계산값과 실험값을 비교 분석하였다. 공기막 이중 PO필름의 열저항식은 PO필름, 공기막, PO필름의 직렬 열저항식으로 구성되며, 공기막은 복사와 대류에 의한 병렬 열저항식으로 구성된다. 고온부 $T_1$의 평균온도는 276.1K, 저온부 $T_2$의 평균온도는 266.8K로 나타났으며, 다른 조건들이 동일할 경우 챔버 내부온도가 높을수록 $T_1$$T_2$의 평균온도와 온도차가 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 전도열저항은 $0.00091K{\cdot}W^{-1}$로 전체 열저항의 1% 미만으로 매우 미미한 수준이고, 공기막의 열저항이 $0.18K{\cdot}W^{-1}$로 전체 열저항의 99% 이상을 차지하는 것으로 나타났다. 공기막의 경우 대류열 저항이 복사열저항에 비해 1.33~2.08배 정도 크게 나타났으며, 복사열저항은 평균온도의 3제곱에 반비례하고 대류열저항은 온도차가 4.7, 5.3, 5.5, 5.7, 12.3, 13.2, 13.3, 13.5, 13.8 및 14.0K로 증가할 때 각각 0.78, 0.75, 0.74, 0.73, 0.57, 0.56, 0.56, 0.56, 0.55 및 $0.55K{\cdot}W^{-1}$로 감소하였다. 관류전열량의 계산값과 실험값의 차이는 실험조건별로 0.6~17.2W의 범위로 평균 6.9W였으며, 실험값은 계산값의 79.8~97.7% 범위로 평균 87.3% 수준으로 나타났다. 전체적인 계산값과 실험값의 관류전열량 경향성은 잘 일치하고 있으며, 공기막 이중필름의 열저항은 공기막 두께 및 주입공기의 종류와는 직접적인 상관관계를 보이지 않았다.

Investigation of Empty Space in Nanoscale Double Gate (ESDG) MOSFET for High Speed Digital Circuit Applications

  • Kumari, Vandana;Saxena, Manoj;Gupta, R.S.;Gupta, Mridula
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제13권2호
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    • pp.127-138
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    • 2013
  • The impact of Empty Space layer in the channel region of a Double Gate (i.e. ESDG) MOSFET has been studied, by monitoring the DC, RF as well as the digital performance of the device using ATLAS 3D device simulator. The influence of temperature variation on different devices, i.e. Double Gate incorporating Empty Space (ESDG), Empty Space in Silicon (ESS), Double Gate (DG) and Bulk MOSFET has also been studied. The electrical performance of scaled ESDG MOSFET shows high immunity against Short Channel Effects (SCEs) and temperature variations. The present work also includes the linearity performance study in terms of $VIP_2$ and $VIP_3$. The proper bias point to get the higher linearity along with the higher transconductance and device gain has also been discussed.

Main gate와 side gate 산화층 두께에 따른 DC MOSFET의 전기적 특성에 관한 연구 (A study on electrical characteristics by the oxide layer thickness of main gate and side gate)

  • 나영일;고석웅;정학기;이재형
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2004년도 춘계종합학술대회
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    • pp.658-660
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    • 2004
  • 본 논문에서는 DG MOSFET의 main gate와 side gate사이의 산화층 두께, 그리고 main gate와 Si 기판 사이의 산화층 두께를 변화시킴으로써 전기적 특성을 조사하였다. Main gate와 side gate사이의 간화층 두께가 4nm이고 main gate와 Si 기판사이의 산화층 두께가 3nm일 때 최적의 전기적 특성을 보였다. 이때, side gate 전압은 3V, 그리고 drain 전압은 1.5V를 인가하였다. 결과적으로 DG MOSFET의 전기적 특성은 main gate와 side gate 사이의 산화층 두께보다 main gate와 Si기판사이의 산화층 두께가 중요함을 알았다.

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탄소 전극 형상 변화에 따른 전기화학 커패시터 특성 향상 (Improvement of Electrochemical Characteristics by Changing Morphologies of Carbon Electrode)

  • 민형섭;김상식;정덕수;최원국;오영제;이전국
    • 한국재료학회지
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    • 제19권10호
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    • pp.544-549
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    • 2009
  • Activated carbon (AC) with very large surface area has high capacitance per weight. However, such activation methods tend to suffer from low yields, below 50%, and are low in electrode density and capacitance per volume. Carbon NanoFibers (CNFs) had high surface area polarizability, high electrical conductivity and chemical stability, as well as extremely high mechanical strength and modulus, which make them an important material for electrochemical capacitors. The electrochemical properties of immobilized CNF electrodes were studied for use as in electrical double layer capacitor (EDLC) applications. Immobilized CNFs on Ni foam grown by thermal chemical vapor deposition (CVD) were successfully fabricated. CNFs had a uniform diameter range from 50 to 60 nm. Surface area was 56 m$^2$/g. CNF electrodes were compared with AC and multi wall carbon nanotube (MWNT) electrodes. The electrochemical performance of the various electrodes was examined with aqueous electrolyte of 2M KOH. Equivalent series resistance (ESR) of the CNF electrodes was lower than that of AC and MWNT electrodes. The specific capacitance of 47.5 F/g of the CNF electrodes was achieved with discharge current density of 1 mA/cm$^2$.

기판온도가 Nb2O5/SiO2 버퍼층위에 증착한 ITO 박막의 광학적 및 전기적 특성에 미치는 영향 (Effect of Substrate Temperature on the Optical and Electrical Properties of ITO Thin Films deposited on Nb2O5/SiO2 Buffer Layer)

  • 정양희;강성준
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제20권5호
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    • pp.986-991
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    • 2016
  • 본 연구에서는 $Nb_2O_5/SiO_2$ 두개의 버퍼층위에 기판온도 (상온~$400^{\circ}C$) 에 따른 ITO 박막을 DC 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착하여 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 기판온도가 상승함에 따라 그레인 크기 증가에 기인한 결정성 향상 때문에 비저항이 낮아지는 경향을 나타내었다. 기판온도 $400^{\circ}C$ 에서 증착한 ITO 박막이 $3.03{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ 의 비저항과 $86.6{\Omega}/sq.$의 면저항으로 가장 우수한 값을 나타내었다. 광학적 특성을 측정한 결과, 기판온도가 상승함에 따라 가시광 영역 (400~800nm) 에서의 평균 투과도는 증가하였으며 색도 ($b^*$) 값은 감소하였다. $400^{\circ}C$에서 증착한 ITO 박막의 평균 투과도와 색도 ($b^*$) 는 85.8% 와 2.13 으로 버퍼층이 삽입되지 않은 ITO 박막의 82.8% 와 4.56 에 비해 상당히 향상된 결과를 나타내었다. 이를 통해 $Nb_2O_5/SiO_2$ 두개의 버퍼층을 도입한 ITO 박막은 인덱스 매칭 효과로 인해 투과도 및 색도 ($b^*$) 등의 광학적 특성이 현저히 향상되었음을 확인할 수 있었다.

$(CH_3)_3N$ 가스 감지용 ZnO 박막 가스 센서의 제조 (Fabrication of ZnO thin film gas sensor for detecting $(CH_3)_3N$ gas)

  • 신현우;박현수;윤동현;홍형기;권철한;이규정
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제8권1호
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    • pp.21-26
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    • 1995
  • Highly sensitive and mechanically stable gas sensors have been fabricated using the microfabrication and micromaching techniques. The sensing material used to detect the offensive trimethylarnine ((CH$_{3}$)$_{3}$N) gas is 6 wt% $Al_{2}$O$_{3}$-doped, 1000.angs.-thick ZnO deposited by r. f. magnetron sputtering. The optimum operating temperature of the sensor is 350.deg.C and the corresponding heater power is about 85mW. Excellent thermal insulation is achieved by the use of a double-layer structure of 0.2.mu.m -thick silicon nitride and 1.4.mu.m-thick phosphosilicate glass(PSG) prepared by low pressure chemical vapor deposition(LPCVD) and atmospheric pressure chemical vapor deposition(APCVD), respectively. The sensors are mechanically stable enough to endure at least 43, 200 heat cycles between room temperature and 350.deg. C.

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수용성 고분자 젤 전해질을 이용한 전기이중층 커패시터의 개발 (Development of EDLC using aqueous polymeric gel electrolytel)

  • 오길훈;김한주;최원경;박수길
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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    • pp.581-584
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    • 2001
  • For the first time, a totally solid state electric double layer capacitor has been fabricated using an alkaline polymer electrolyte and an activated carbon powder as electrode material. The polymer electrolyte serves both as separator as well as electrode binder. The capacitor has a three-layer structure; electrode-electrolyte-electrode. A cyclic voltammetry and constant current discharge have been used for the determination of the electro chemical performance of capacitors.

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Ag/AsGeSeS 다층박막의 광유기 이방성(PA) 특성 (Characteristics of the photoinduced anisotropy(PA) in Ag/AsGeSeS multilayer thin films)

  • 박종화;나선웅;여철호;박정일;이영종;정홍배
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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    • pp.362-365
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    • 2001
  • The chalcogenide glasses of thin films have the superior property of photoinduced anisotrophy(PA). In this study, we observed the linear dichroism(D) using the irradiation with polarized He-Ne laser light, in the $Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ multi-layer. Mutilayer structures formed by alternating metal(Ag) a chalcogenide$(As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35})$. Such multilayer structures have a greater sensitivity to illumination am larger dichroism in comparison the conventional double layer structure. Also new phenomena are discovered. These results will be show a capability of new method that suggested more improvement of photoinduced anisotropy property.

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