In this study, the effect of Au-Sn alloy coating on reliability of electrical contacts was investigated via comparison with Au-Co alloy coating. The results show that Au-Sn alloy exhibited lower contact resistance and higher solder spreadability than those of Au-Co alloy after thermal aging. In the case of Au-Co alloy plating, the underlying Ni element diffused into Au-Co layer to form Ni oxides on surface during thermal aging, leading to increased contact resistance and decreased solder spreadability. Meanwhile, for Au-Sn alloy plating, Au-Ni-Sn metallic compound was formed at the interface between Au-Sn layer and underlying Ni layer. This compound acted as a diffusion barrier, thereby inhibiting the diffusion of Ni to Au-Sn layer during thermal aging. Consequently, Au-Sn alloy layer showed better contact reliability than that of Au-Co alloy layer.
물성을 달리한 $\alpha$-Si을 사용하여 MIM(Metal-Insulator-Metal)구조의 antifuse들을 제작하고, 물성의 변화에 따른 전기적 특성의 변화를 조사하였다. $\alpha$-Si은 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)방법으로 증착하였으며, 물성은 RF power를 달리하여 변화시켰다. $\alpha$-Si MIM구조의 antifuse를 프로그램할 때 생기는 failure rate를 줄이기 위해 전극 사이에 삽입되는 $\alpha$-Si의 contact hole 크기와 개수를 변화시켜 보았다. MIM antifuse는 contact hole이 2개 이상일 때 failure rate가 10% 이내로 줄었으며, 프로그래밍 전류는 거의 변화가 없었다. 항복전압은 10-11V범위에 집중적으로 분포하였으며, 5V에서의 누설전류는 contact hole의 수가 증가함에 따라 커짐을 알았다.
The contact properties between gold and poly(3-hexylthiophene) (P3HT) films having either of two distinct molecular orientations and orderings were investigated. Thermal treatment increased the molecular ordering of P3HT and remarkably reduced the contact resistance at the electrode/semiconductor interface, which enhanced the electrical performance. This phenomenon was understood in terms of a small degree of metal penetration into the P3HT film as a result of the thermal treatment, which formed a sharp interface at the contact interface between the gold electrode and the organic semiconductor.
In this study, the dynamic response of a catenary system that supplies electrical power to high-speed trains is investigated. One of the important problems which is accompanied by increasing the speed of a high-speed rail, is the performance of stable current collection. Another problem which has been encountered, is maintaining continuous contact force between the catenary and the pantograph without loss of panhead. The dynamic analyses of the catenary based on the Finite Element Method (FEM) are performed to develop a pantograph suitable for high speed operation. The static deflection of the catenary, the stiffness variation in contact lines, the dynamic response of the catenary undergoing the force of a constantly moving load and the contact force were calculated. It was confirmed that a catenary model is necessary to study the dynamic characteristics of the pantograph system.
Dynamic characteristics of pantograph-catenary system that supplies electrical power to high-speed trains are investigated. A simple catenary is composed of the contact and messenger wires connected by hamgers possessing bi-directional stiffness properties. The influences of parameters that determine the contact properties of pantograph-catenary system are investigated through numerical simulations. For the catenary, a finite difference model composed of 10 spans is constructed. The contact and messenger wires are modeled as strings with respective tension and damping ratio values. The pantograph is modeled as a linear 3-degree-of-freedom system. It is found that the tension, number of hangers and damping ratios as well as the speed of the train significantly influence the contact forces and contact separation rate
This paper deals with the calculation of contact resistance depending on the applied force by modeling surface roughness. The true contact surface area is made up of many asperities of varying heights which is close to Gaussian distribution. The mean square deviation and the mean value of the Gaussian distributed asperity heights were determined in this paper. The elastic deformation of the surface asperities according to the increasing of applied force were considered. The contact resistance was also calculated by using the Greenwood analysis.
본 논문에서는 저전압에서 구동 할 수 있는 압전구동 방식의 RF MEMS 스위치를 설계하였다. 설계는 유한요소기법(FEM)을 지원하는 시뮬레이터 (ConventorWare)를 사용하여 수행하였고, 이를 바탕으로 deflection, contact force, stress 등 기계적인 해석을 함으로써 최적화된 설계를 할 수 있었다. 이번 설계에서는 적절한 contact force를 유지하면서 hinge에서 받는 stress를 최소화하기 위하여 구동기를 2개 사용한 듀얼형식의 모델을 제안하였고, hinge의 모양은 'ㄷ'로 하여 deflection을 향상시켰다. 이 듀얼형식의 최적화된 모델은 signal line과 contact pad 간의 gap이 3.4${\mu}m$일 때, 최초 2.8V에서 contact이 이루어졌으며, 5V에서 12.4${\mu}N$의 contact force와 116MPa의 stress를 얻었고, 차후, SP4T나 SP6T 등의 설계시 공간 효율이 높은 다양한 형태의 구조를 설계할 수 있다.
본 연구에서는 플라즈마 장치의 광 특성과 접촉각 특성을 조사하여 스마트폰에 사용되는 강화유리 표면의 친수성 특성을 알아 보였다. 본 연구에서 공정 가스의 분압과 입력 전압의 정도에 대한 강화유리 표면의 친수화 정도를 조사하였다. 각 변수에 따라 아르곤 가스의 이온화 정도에 따라 차이가 있음을 알 수 있었다. 본 연구에서, 강화유리 표면은 처리되기 전과 비교하여 접촉각의 변화나 광방출 특성에서 나타난 것들을 토대로 친수화가 되었음을 알 수 있었다.
We investigate the junction between CdZnTe and a variety of metals with the aim of determining whether the choice of metal can improve the performance of X-ray image detectors, in particular minimizing the dark current. The samples consist of $5{\mu}m$ thick CdZnTe with top electrodes formed from In, Al, and Au. For each metal, current transients following application of valtages from -10V to 10V are measured for up to 1 hour. We find that dark currents depending on the metal used. The current is controlled by hole injection at the metal-CdZnTe junction and there is consistent trend with the metal's work function possibly and it seems that metal to CdZnTe layer junction is ohmic contact.
Titanium oxide ($TiO_2$) thin films were fabricated by unbalanced magnetron (UBM) sputtering. The fabricated $TiO_2$ films were treated by oxygen plasma under various RF powers. We investigated the characteristics of oxygen plasma treatment on the surface, structural, and physical properties of $TiO_2$ films prepared at various plasma treatment RF powers. UBM sputtered $TiO_2$ films exhibited higher contact angle value, smooth surface, and amorphous structure. However, the rms surface roughness $TiO_2$ films were rough, and the contact angle value was decreased with the increase of the plasma treatment RF power Also, the hardness value of $TiO_2$ film as physical properties was slightly increased with the increase of the plasma treatment RF power. In the results, the performance of $TiO_2$ films for self cleaning critically depended on the with the plasma treatment RF power.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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