Auxiliary power supply for railway vehicle is a equipment that focuses on the service of passengers in a vehicle. It supplies power to controllers used in heating and cooling devices, fluorescent lamps, batteries and many other electrical equipments. Most of the auxiliary power supply for railway vehicle are mainly used for the round trips and circulation routes within the metropolitan area and have a capacity of 170~200 kVA. In this study, we developed the auxiliary power supply capacity to 240kVA for 200km/h class. As such, the auxiliary power supply is an important device for securing the reliability and safety of the railway vehicle and improving the passenger convenience, so the performance verification of the performance must be ensured. In this paper, 240kVA auxiliary power supply is developed. Also, performance of the auxiliary power supply manufactured through the analysis of various characteristics related to the auxiliary power supply was confirmed while operating the actual line.
We investigate characteristics of J-aggregation as take advantage of LB technic. In order to confirm the applications possible for the molecular electronic device, the morphological properties of merocyanine dye were investigated by AFM. ${\pi}-A$ curves investigated the surface pressure of the LB film from a liquid to a solid state ranged between 90 and 100 mN/m. We observed aggregation and it's characteristics by using visible reflection spectroscopy. We have observed morphology of merocyanine dye on gold surface by STM. focuses on results obtained in mercocyanide dye of J-aggregation. When LB films of merocyanine dye are mixed with arachidic acid, J-aggregate formation is exhibited. J-aggregate formation has been serving as typical systems in revealing the physical and structural aspects of nano-sized molecular aggregates constructed as muiltilayers.
Kim, Young-Min;Park, Jung-Hwan;Jee, Seung-Wook;Lee, Kwang-Sik;Kim, Jung-Bae;Park, Won-Zoo
조명전기설비학회논문지
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제20권9호
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pp.103-109
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2006
This research is contents about output characteristic of optic current sensor that use faraday effect. optic current sensor used in an experiment is consisted of three parts.(1) Source of light used laser diode of 1310[nm].(2) Sensor section manufactured circularly according to gas insulated switchgear. And $9/125[{\mu}m]$ standard single mode optical fiber for communication was installed winding 20 [turn] on sensor section core surroundings of diameter 31 [cm].(3) Electrical signal of PD(Photo detector) is collected using NI company's 16bit DAQ board via terminal block. Collected data analyzed by different three signal processing methods. NI company's $Labview^{TM}$ was used to signal processing software. As a result, In signal processing of optic current sensor, we could know that noise greatly more influences the error generation than fluctuation of light intensity. also, 1 class CT(current transformer) manufacture that have error rate less than 1[%] was available by removing these
Applicable range of Photoplethysmography (PPG) becomes wider as a non-invasive physiological measurement technique. However, PPG waveform is easy to be distorted by ambient light or vascular variation from temperature changes. Especially, irregular variation of PPG waveform caused by ambient temperature not only severely distorts the PPG, but also leads miss interpretation in clinical applications. Therefore, the investigation of between temperature and PPG waveform is quite important in using PPG. The purpose of this research is to quantify the PPG waveform characteristic and to investigate the waveform variation following the temperature change on measuring site. To quantify the fluctuation of PPG waveform, we use two techniques; detrended fluctuation analysis (DFA) and AC/DC analysis of PPG. We record PPG under temperature stress, which applied by medical use heat pack ($40^{\circ}C$) and ice pack ($0^{\circ}C$). Ten participants were applied to the experiment, and the result was evaluated to approve the temperature effect with statistical method, Wilcoxon signed rank test. The result shows that the AC component (p<0.05) and perfusion index DFS scale exponent (p<0.01) of PPG have the significance to temperature stress except for a DC component of PPG.
본 연구에서는 기존 LED 보안등의 LED 광원 직진성에 의한 눈부심 현상을 개선하고, 조도 균제도를 높게 유지하며, 회전 대칭이 아닌 편축으로 긴 배광 분포를 가지도록 하여 LED 보안등 간에 생기는 광 공핍현상을 해결할 수 있는 보안등용 LED 2차 렌즈를 개발하였다. 개발 광학계는 보안등용 조명 기준에 만족하도록 설계하였으며, 렌즈의 형태는 단일 렌즈로 조명 설계 및 해석 프로그램을 이용한 설계와 분석을 통해 최적화를 하였다. Mock-up을 제작하여 실제 측정을 통해 조도 측정 데이터와 조도 균제도 데이터를 확보하였다.
Al6061 and Sus304 materials are bonded by using thermal bonding technology. Al6061, Sus304 and thermal bonded Al6061/Al6061 and Al6061/Sus304 materials are characterized by using mechanical and electrical measurement. Especially the experimental characteristic data of thermal bonded Al6061/Al6061 and Al6061/Sus304 are not well known until today. We have investigated on Al6061, Sus304 and thermal bonded material. The thermal bonded material Al6061/Al6061 and Al6061/Sus304 can be used for the LCD frame and the other electrical products. For the future, we expect that the more various experiments should be needed to carry out for the data accumulation in the bonded new materials.
In this paper, semiconducting shield specimens for a DC cable os fabricated and characterized by measurement of volume resistance, tensile strength, and the coefficient of expansion to show the electrical and mechanical characteristics of the semiconducting shield. Due to the PTC phenomenon, the volume resistance at $25^{\circ}C$ increases rapidly in comparison to the volume resistance at $90^{\circ}C$. Since the compounding ration of carbon black is low, the tensile strength and density become lower and the coefficient of expansion is increased. As the general specification of the tensile strength and density is $0.8kgf/mm^2$ and 150%, respectively, the fabricated specimen in this paper has excellent mechanical characteristic.
Power MOSFETs (metal oxide semiconductor field effect transistor) operate as energy control semiconductor switches. In order to reduce energy loss of the device during switch-on state, it is essential to increase its conductance. In this study we have investigated a structure to reduce the on-resistance characteristics of the MOSFET. We have a proposed MOSFET structure of active cells region buried under the gate pad. The measurement are carried out with a EDS to analyze electrical characteristics, and the proposed MOSFET are compared with the conventional MOSFET. The result of proposed MOSFET was 1.68[${\Omega}$], showing 10% improvement compared to the conventional MOSFET at 700[V].
ZnO films doped with different contents of indium ($0.1{\sim}10$ at.%) were deposited on Si (111) substrate by Pulsed Laser Deposition (PLD). The structural, electrical and optical properties of the films were investigated using XRD, AFM, Hall and PL measurement. Results showed that un-doped ZnO film had (002) plane as the c-axis orientated growth, whereas indium doped ZnO films exhibited the peak of (002) and the weak (101) plane. In addition, in the indium doped ZnO films, the electron concentration is ten times higher than that of un-doped ZnO film, while the resistivity is ten times lower than that of un-doped ZnO film. The indium doped ZnO films have UV emission about 380 nm and show a red shift with increasing contents of indium. The I-V curve of the fabricated diode show the typical diode characteristics and have the turn on voltage of about 2 V.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제5권1호
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pp.11-14
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2004
An rf triode magnetron sputtering system is designed and installed its construction in vacuum chamber. In order to calibrate the rf triode magnetron sputtering for thin films deposition processes, the effects of different glow discharge conditions were investigated in terms of the deposition rate measurements. The basic parameters for calibrating experiment in this sputtering system are rf power input, gas pressure, plasma current, and target-to-substrate distance. Because a knowledge of the deposition rate is necessary to control film thickness and to evaluate optimal conditions which are an important consideration in preparing better thin films, the deposition rates of copper as a testing material under the various sputtering conditions are investigated. Furthermore, a triode sputtering system designed in our team is simulated by the SIMION program. As a result, it is sure that the simulation of electron trajectories in the sputtering system is confined directly above the target surface by the force of E${\times}$B field. Finally, some teats with the above 4 different sputtering conditions demonstrate that the deposition rate of rf triode magnetron sputtering is relatively higher than that of the conventional sputtering system. This means that the higher deposition rate is probably caused by a high ion density in the triode and magnetron system. The erosion area of target surface bombarded by Ar ion is sputtered widely on the whole target except on both magnet sides. Therefore, the designed rf triode magnetron sputtering is a powerful deposition system.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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