Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제2권1호
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pp.32-38
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2001
A new small sized Lateral Trench electrode Insulated Gate Bipolar Transistor(LTEIGBT) was proposed to improve the characteristics of conventional Lateral IGBT (LIGBT) and Lateral Trench gate IGBT (LTIGBT). The entire electrode of LTEIGBT was replace with trench-type electrode. The LTEIGBT was designed so that the width of device was no more than 19 ㎛. The Latch-up current densities of LIGBT, LTIGBT and the proposed LTEIGBT were 120A/㎠, 540A/㎠, and 1230A/㎠, respectively. The enhanced latch-up capability of the LTEIGBT was obtained through holes in the current directly reaching the cathode via the p+ cathode layer underneath n+ cathode layer. The forward blocking voltage of the LTEIGBT is 130V. Conventional LIGBT and LTIGBT of the same size were no more than 60V and 100V, respectively. Because the the proposed device was constructed of trench-type electrodes, the electric field moved toward trench-oxide layer, and punch through breakdown of LTEIGBT is occurred, lately.
The purpose of this study was to identify the level of awareness, uses, and satisfaction on home automation systems by the digital home residents, to reveal the existing problems using home automation systems, and to clarify residents' positive or negative life changes after using home automation systems. Two apartment complexes, which were relatively well equipped with home automation systems compared to other recently built apartments, were selected to perform the survey by digital home residents who were housewives and have lived in current home more than 6 months. The researcher developed a survey questionnaire for each apartment complex and collected data from 501 residents from May to June, 2008. The results of the study found low awareness and low uses of remote control systems of electric appliances through a cellular phone or PC from outside. Also, the significant variables which showed group differences in level of uses and satisfation were age, annual income, duration of residence, and level of considering home automation system before decision to move in. The results of the study also revealed that frequent breakdown was the most critical problem using home automation systems. Generally, using home automation systems affected to residents' life changes positively. More findings and suggestions for development of more user-friendly digital home services were discussed.
A corona discharge system with needle point or wire type corona electrode has been well used as an ionic wind blower. The corona discharge system with a needle point electrode produces ions at lower applied voltage effectively. However, the corona discharge on the needle point electrode transits to the arc discharge at lower voltage, and it is hard to obtain the elevated electric field in the discharge airgap for enhancing the ion migration velocity due to the weak Coulomb force. A cylindrical corona electrode with sharp round tip is reported as one of effective corona electrode, because of its higher breakdown voltage than that of the needle electrode. A basic study, for the effectiveness of cylindrical electrode shape on the ionic wind generation, has been investigated to obtain an maximum wind velocity, which however is the final goal for the real field application of this kind ionic wind blower. In this paper, a parametric study for maximizing the ionic wind velocity utilizing the cylindrical corona electrode and a maximum ion wind velocity of 4.1 m/s were obtained, which is about 1.8 times higher than that of 2.3m/s obtained with the needle corona electrode from the velocity profile.
A sub-cooled liquid nitrogen cooling system is known as a most promising method to develop large scale superconducting apparatuses such as superconducting fault current limiters and superconducting cables [1]. Gaseous helium (GHe), gaseous nitrogen ($GN_2$) and sulfur hexafluoride ($SF_6$) are commonly used for designing an high voltage applied superconducting device as an injection gaseous medium [2, 3]. In this paper, the analysis on the dielectric characteristics of GHe, $GN_2$ and $SF_6$ are conducted by designing and manufacturing sphere-to-plane electrode systems. The AC withstand voltage experiments on the various gaseous insulation media are carried out and the results are analyzed by using finite element method (FEM) considering field utilization factors (${\xi}$). It is found that the electric field intensity at sparkover ($E_{MAX}$) of insulation media exponentially decreases according to ${\xi}$ increases. Also, the empirical expressions of the functional relations between $E_{MAX}$ and ${\xi}$ of insulation media are deduced by dielectric experiments and computational analyses. It is expected that the electrical insulation design of applied superconducting devices could be performed by using the deduced empirical formulae without dielectric experiments.
The accelerated thermal aging of CSPE(Chloro Sulfonate Polyethylene) was carried out for 40.41, 121.22, 202.04 days, 16.82, 50.45, 84.09 days and 7.32, 21.96, 36.59 days at 100, 110, and $120^{\circ}C$, respectively, which are equivalent to 20, 60, 100 years of aging at $50^{\circ}C$. The permittivities and the apparent densities of the accelerated thermally aged CSPE samples are increased with accelerated thermal aging year but EAB(Elongation at Break) is decreased with that. The dielectric strength and the electric breakdown of the non-accelerated and accelerated thermally aged CSPE samples do not depend on accelerated thermal aging year and applied voltage rising time. density and EAB measures.
According to a sharp increase in demand for electricity supply secure, and $CO_2$ regulation in accordance with global environmental problems and to solve problems, etc. These factor less pollution, higher energy conversion hyoyulin way that the new electrical equipment, nano-composites The rapid degeneration of the unit study utilizing the power that is required is Free. Accordingly, cables, transformers and switchgear (GIS)-capacity of power equipment, such as, high-voltage high-density along with the miniaturization of equipment have made angry the reliability of these devices is becoming a very important issue. Insulation materials used in electrical equipment for high voltage withstand, power equipment, power equipment due to aging and overloading caused by a weakening of the insulation failure and replacement in accordance with the age due to increased costs because of the reliability of electrical equipment should be secured should. Therefore, improved performance and longevity of insulation material is recognized as an important challenge. In this study, power isolation and degeneration of the unit for use in various parts of the molding epoxy resin to improve the insulation performance of the epoxy resin by varying the added amount of nano-SiO2 nanocomposites made epoxy/SiO2 analysis and breakdown properties of the experiment want to improve the electrical properties through the geometry.
지중전선로에 있어서 케이블을 연결하는 중간 접속재에 발생하는 전계 집중, 각종 불순물의 침투 및 케이블 절연층의 손상은 궁극적으로 열화 및 절연파괴를 야기하게 되어 케이블의 수명을 단축시키고 있다. 본 연구에서는 경계요소법을 이용하여 초고압 케이블 절연재료로 널리 사용되고 있는 가교폴리에틸렌과 접속재 키트의 절연층으로 사용되고 있는 EPDM의 전계분포를 시뮬레이션 하였다. 시료는 두께 1[mm]로 3장을 중첩한 것으로 모델링하여 컴퓨터 시뮬레이션을 하였다. 전계해석 결과 보이드 내부의 defect는 silicone oil에 의해 전계집중을 약화시킴을 확인하였고, XLPB보다 EPDM의 전계분포가 낮게 유지됨을 확인하였다.
A new small scaling Lateral Trench Insulated Gate Bipolar Transistor (SSLTIGBT) was proposed to improve the characteristics of the device. The entire electrode of the LTIGBT was replaced with a trench-type electrode. The LTIGBT was designed so that the width of device was no more than 10$\mu\textrm{m}$. The latch-up current densities were improved by 4.5 and 7.6 times, respectively, compared to those of the same sifted conventional LTIGBT and the conventional LTIGBT which has the width of 17$\mu\textrm{m}$. The enhanced latch-up capability of the SSLTIGBT was obtained due to the fact that the hole current in the device reaches the cathode via the p+ cathode layer underneath the n+ cathode layer, directly. The forward blocking voltage of the SSLTIGBT was 125 V. At the same size, those of the conventional LTIGBT and the conventional LTIGBT with the width of 17$\mu\textrm{m}$ were 65 V and 105 V, respectively. Because the proposed device was constructed of trench-type electrodes, the electric field in the device were crowded to trench oxide. Thus, the punch through breakdown of LTEIGBT occurred late.
Electrical properties and thermal annealing effects of $C_{22}$-quinolium(TCNQ) Langmuir-Blodgett(LB) films were studied. Typical current-voltage(I-V) characteristics along the perpendicular direction chow an anomalous behavior of breakdown near the electric-field strength of $10^{6}$V/cm. To see the thermal influence of the specimen, current was measured as a function of temperature(20∼$180^{\circ}C$). It shows that the current increases about 4 orders of magnitude near 60∼$70^{\circ}C$ and remains constant far a while up to ∼$150^{\circ}C$ and then suddenly drops. Such increase of current near 60∼$70^{\circ}C$ seems tn be related to a softness of alkyl chains. Besides the electrical measurements, UV/visible absorption(300∼800 nm) of the thermally annealed sample was measured to see the internal-structure change. It is found that there are four characteristic peaks. At 494 nm, the optical absorption of the thermally annealed specimen at $60^{\circ}C$ starts increase and stays almost constant upto∼ $140^{\circ}C$. And eventually it disappears above $180^{\circ}C$. After heat treatment of the specimen up to $150^{\circ}C$, Uv/visible absorption was measured while cooling.
In this paper, a new small size Lateral Trench Electrode Power MOSFET is proposed. This new structure, called "LTEMOSFET"(Lateral Trench Electrode Power MOSFET), is based on the conventional MOSFET. The entire electrode of LTEMOSFET is placed in trench oxide. The forward blocking voltage of the proposed LTEMOSFET is improved by 1.6 times with that of the conventional MOSFET. The forward blocking voltage of LTEMOSFET is 250V. At the same size, a increase of the forward blocking voltage of about 1.6 times relative to the conventional MOSFET is observed by using TMA-MEDICI which is used for analyzing device characteristics. Because the electrodes of the proposed device are formed in trench oxide, the electric field in the device are crowded to trench oxide. We observed that the characteristics of the proposed device was improved by using TMA-MEDICI and that the fabrication of the proposed device is possible by using TMA-TSUPREM4.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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