• 제목/요약/키워드: Dual Structure

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다층 구조를 적용한 Dual band 방향성 결합기 개발에 관한 연구 (Development of Dual Band Directional Coupler Applying Multi-layer Structure)

  • 유명재;유찬세;박성대;이우성;강남기
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제11권2호
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    • pp.43-47
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    • 2004
  • 전력 결합기 및 전력 배분기는 마이크로파 수동 소자의 일종으로 전력을 결합하거나 나눌 때 쓰이는 것이다. 최근의 정보통신 시스템의 추세를 보아 수동 소자의 집적화 및 소형화가 요구된다. 본 연구에서는 이러한 추세를 감안하여 2012 크기의 다층 구조를 적용한 양대역 방향성 결합기를 저온 동시소성 기술을 활용하여 제작하였다. DCS(Digital communication system)와 EGSM(European global system for mobile) 대역에서 각기 원하는 커플링을 얻기 위해서 수직 결합 패턴들을 다층 구조에 적용하였다. 제작된 방향성 결합기의 결합성, 삽입 손실, 격리성 및 방향성 등의 특성들을 측정하였고 시뮬레이션 결과들과 비교 고찰하였다.

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Threshold Voltage control of Pentacene Thin-Film Transistor with Dual-Gate Structure

  • Koo, Jae-Bon;Ku, Chan-Hoe;Lim, Sang-Chul;Lee, Jung-Hun;Kim, Seong-Hyun;Lim, Jung-Wook;Yun, Sun-Jin;Yang, Yong-Suk;Suh, Kyung-Soo
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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    • pp.1103-1106
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    • 2006
  • We have presented a comprehensive study on threshold voltage $(V_{th})$ control of organic thin-film transistors (OTFTs) with dual-gate structure. The fabrication of dual-gate pentacene OTFTs using plasma-enhanced atomic layer deposited (PEALD) 150 nm thick $Al_2O_3$ as a bottom gate dielectric and 300 nm thick parylene or PEALD 200 nm thick $Al_2O_3$ as both a top gate dielectric and a passivation layer is reported. The $V_{th}$ of OTFT with 300 nm thick parylene as a top gate dielectric is changed from 4.7 V to 1.3 V and that with PEALD 200 nm thick $Al_2O_3$ as a top gate dielectric is changed from 1.95 V to -9.8 V when the voltage bias of top gate electrode is changed from -10 V to 10 V. The change of $V_{th}$ of OTFT with dual-gate structure has been successfully understood by an analysis of electrostatic potential.

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이중 바이어스 조절과 PBG를 이용한 도허티 증폭기 전력 효율 개선에 관한 연구 (Research on PAE of Doherty Amplifier Using Dual Bias Control and PBG Structure)

  • 김형준;서철헌
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제17권8호
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    • pp.707-712
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    • 2006
  • 본 논문에서는 이중 바이어스 조절과 PBG 구조를 이용하여 Doherty 증폭기의 효율을 개 선하였다. PBG 구조를 출력 정합 회로에 구현하였으며, 이중 바이어스 조절을 carrier amplifier에 적용하여 낮은 입력 레벨에서도 Doherty 증폭기의 효율을 개선할 수 있었다. 제안된 구조를 이용한 Doherty 증폭기는 기존의 전력 증폭기에 비해 PAE는 8%, $IMD_3$는 -5 dBc 개선하고, 모든 입력 전력 레벨에서 30% 이상의 고효율을 가질 수 있었다.

An Experimental Study of Supersonic Dual Coaxial Free Jet

  • Baek, Seung-Cheol;Kwon, Soon-Bum;Lee, Byeong-Eun
    • Journal of Mechanical Science and Technology
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    • 제17권12호
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    • pp.2107-2115
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    • 2003
  • A supersonic dual coaxial jet has been employed popularly for various industrial purposes, such as gasdynamic laser, supersonic ejector, noise control and enhancement of mixing. Detailed characteristics of supersonic dual coaxial jets issuing from an inner supersonic nozzle and outer sonic nozzles with various ejection angles are experimentally investigated. Three important parameters, such as pressure ratios of the inner and outer nozzles, and outer nozzle ejection angle, are chosen for a better understanding of jet structures in the present study. The results obtained from the present experimental study show that the Mach disk diameter becomes smaller, and the Mach disk moves toward the nozzle exit, and the length of the first shock cell decreases with the pressure ratio of the outer nozzle. It was also found that the highly underexpanded outer jet produces a new oblique shock wave, which makes jet structure much more complicated. On the other hand the outer jet ejection angle affects the structure of the inner jet structure less than the pressure ratio of the outer nozzle, relatively.

이중 에피층을 가지는 SOI LIGBT의 전기적 특성분석 (Analysis of the electrical characteristics of SOI LIGBT with dual-epi layer)

  • 김형우;김상철;김기현;김은동
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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    • pp.288-291
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    • 2004
  • Due to the charge compensation effect, SOI(Silicon-On-Insulator) LIGBT with dual-epi layer have been found to exhibit both low forward voltage drop and high static breakdown voltage. In this paper, electrical characteristics of the SOI LIGBT with dual-epi structure is presented. Trenched anode structure is employed to obtain uniform current flowlines and shorted anode structure also employed to prevent the fast latch-up. Latching current density of the proposed LIGBT with $T_1=T_2=2.5{\mu}m,\;N_1=7{\times}10^{15}/cm^3,\;N_2=3{\times}10^{15}/cm^3$ is $800A/cm^2$ and breakdown voltage is 125V while latching current density and breakdown voltage of the conventional LIGBT is $700A/cm^2$ and 55V.

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RadioCycle: Deep Dual Learning based Radio Map Estimation

  • Zheng, Yi;Zhang, Tianqian;Liao, Cunyi;Wang, Ji;Liu, Shouyin
    • KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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    • 제16권11호
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    • pp.3780-3797
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    • 2022
  • The estimation of radio map (RM) is a fundamental and critical task for the network planning and optimization performance of mobile communication. In this paper, a RM estimation method is proposed based on a deep dual learning structure. This method can simultaneously and accurately reconstruct the urban building map (UBM) and estimate the RM of the whole cell by only part of the measured reference signal receiving power (RSRP). Our proposed method implements UBM reconstruction task and RM estimation task by constructing a dual U-Net-based structure, which is named RadioCycle. RadioCycle jointly trains two symmetric generators of the dual structure. Further, to solve the problem of interference negative transfer in generators trained jointly for two different tasks, RadioCycle introduces a dynamic weighted averaging method to dynamically balance the learning rate of these two generators in the joint training. Eventually, the experiments demonstrate that on the UBM reconstruction task, RadioCycle achieves an F1 score of 0.950, and on the RM estimation task, RadioCycle achieves a root mean square error of 0.069. Therefore, RadioCycle can estimate both the RM and the UBM in a cell with measured RSRP for only 20% of the whole cell.

밀리미터파(W대역) 이중편파 모노펄스 급전 구조 설계 및 제작 방안 연구 (A Study on Design and Manufacturing Methods of Dual-Polarization Monopulse Feed Structure in Millimeter-wave(W band))

  • 백종균;이형기;김영완;채희덕;주지한;김재식
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제23권6호
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    • pp.47-53
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    • 2023
  • 본 논문은 밀리미터파(W대역)의 이중편파 신호를 모노펄스 신호로 변환하는 도파관 타입의 급전 구조를 설계하고 제작 방안을 제시하였다. W대역과 같은 높은 주파수 대역에서는 도파관의 크기가 매우 작기 때문에 복잡한 구조의 제작이 매우 어렵다. 따라서 높은 주파수 대역의 도파관 타입 급전 구조는 제작성이 중요하기 때문에 전주도금(Electro Forming) 방식과 확산접합 방식을 본 연구에서 제안하고 검증하였다. 설계된 모노펄스 급전 구조는 90도 하이브리드에 90도 위상 천이기를 결합한 180도 하이브리드 8개와 이중편파 분리를 위한 직교모드변환기(OMT) 4개로 구성된다. 설계된 급전구조는 전주도금(Electro Forming)과 확산접합 제작 방식에 용이하도록 설계하였으며, 제작된 모노펄스 급전구조는 네트워크 분석기를 통해 검증하였다. 제안한 두 가지 제작 방안은 측정된 포트의 신호 크기와 위상을 통해 모노펄스 신호가 잘 생성되는 것을 확인하였다.

이중 분기 디코더를 사용하는 복소 중첩 U-Net 기반 음성 향상 모델 (Complex nested U-Net-based speech enhancement model using a dual-branch decoder)

  • 황서림;박성욱;박영철
    • 한국음향학회지
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    • 제43권2호
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    • pp.253-259
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    • 2024
  • 본 논문에서는 이중 분기 디코더를 갖는 복소 중첩 U-Net 기반의 새로운 음성 향상 모델을 제안하였다. 제안된 모델은 음성 신호의 크기와 위상 성분을 동시에 추정할 수 있도록 복소 중첩 U-Net으로 구성되며, 디코더는 스펙트럼 사상과 시간 주파수 마스킹을 각각의 분기에서 수행하는 이중 분기 디코더 구조를 갖는다. 이때, 이중 분기 디코더 구조는 단일 디코더 구조에 비하여, 음성 정보의 손실을 최소화하면서 잡음을 효과적으로 제거할 수 있도록 한다. 실험은 음성 향상 모델 학습을 위해 보편적으로 사용되는 VoiceBank + DEMAND 데이터베이스 상에서 이루어졌으며, 다양한 객관적 평가 지표를 통해 평가되었다. 실험 결과, 이중 분기 디코더를 사용하는 복소 중첩 U-Net 기반 음성 향상 모델은 기존의 베이스라인과 비교하여 Perceptual Evaluation of Speech Quality(PESQ) 점수가 0.13가량 증가하였으며, 최근 제안된 음성 향상 모델들보다도 높은 객관적 평가 점수를 보였다.

MIC-TFT의 Single, Dual Gate의 전기적 특성

  • 김재원;한재성;최병덕
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.135-135
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    • 2009
  • In this work we compared the electrical characteristic of single gate and dual gate in MIC-TFT. We fabricated p-channel TFTs based on MIC structure. In mobility, dual gate ($61.35cm^2/Vsec$) got a higher value than single gate ($55.96cm^2/Vsec$). In $I_{on}/I_{off}$ dual gate ($6.94{\times}10^6$) got a higher value than single gate ($1.72{\times}10^6$) too. In $I_{off}$, dual gate got a lower value than single gate. Therefore, dual gate is good and less power consumption than single gate.

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Dual-band Frequency Selective Surface Bandpass Filters in Terahertz Band

  • Qi, Limei;Li, Chao
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • 제19권6호
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    • pp.673-678
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    • 2015
  • Terahertz dual-band frequency selective surface filters made by perforating two different rectangular holes in molybdenum have been designed, fabricated and measured. Physical mechanisms of the dual-band resonant responses are clarified by three differently configured filters and the electric field distribution diagrams. The design process is straightforward and simple according to the physical concept and some formulas. Due to the weak coupling between the two neighboring rectangle holes with different sizes in the unit cell, good dual-band frequency selectivity performance can be easily achieved both in the lower and higher bands by tuning dimensions of the two rectangular holes. Three samples are fabricated, and their dual-band characteristics have been demonstrated by a THz time-domain spectroscopy system. Different from most commonly used metal-dielectric structure or metal-dielectric-metal sandwiched filters, the designed dual-band filters have advantages of easy fabrication and low cost, the encouraging results afforded by these filters could find their applications in dual-band sensors, THz communication systems and other emerging THz technologies.