Double layer films which consisted of aluminum(Al) and magnesium(Mg) have been prepared by e-beam deposition. The structure, alloy phase, and corrosion resistance of the prepared films were investigated before and after heat treatment. The first (bottom) layer fixed with Al, and the thickness ratio between Al and Mg layers has been changed from 1 : 1 to 5 : 1, respectively. Total thickness of Al-Mg film was fixed at $3{\mu}m$. The cold-rolled steel sheet was used as a substrate. Heat treatment was fulfilled in an nitrogen atmosphere at the temperature of $400^{\circ}C$ for 2, 3 and 10 min. Surface morphology of as-deposited Al-Mg film having Mg top layer showed plate-like structure. The morphology was not changed even after heat treatment. However, cross-sectional morphology of Al-Mg films was drastically changed after heat treatment, especially for the samples heat treated for 10 min. The morphology of as-deposited films showed columnar structure, while featureless structure of the films appeared after heat treatment. The x-ray diffraction data for as-deposited Al-Mg films showed only pure Al and Mg peaks. However, Al-Mg alloy peaks such as $Al_3Mg_2$ and $Al_{12}Mg_{17}$ appeared after heat treatment of the films. It is believed that the formation of Al-Mg alloy phase affected the structure change of Al-Mg film. It was found that the corrosion resistance of Al-Mg film was increased after heat treatment.
The interlaminar facture behavior of multidirectional carbon-fiber/epoxy composite laminates under low and high rates of test, up to rate of about 11.4m/s has been investigated using the double cantilever beam specimens. The mode I loasing with rates above 1.0m/s had considerable dynamic effects on the load-time curves and thus revealed higher values of the average crack velocity than thet expected from a simple proportional relationship with the test rate. The modified beam analysis utilizing only the opening displacement and crack length exhibited an effective means for evaluating the dynamic fracture energy $G_{IC}$. Flexural modulus increased gradually with an increase of the test rate, which was utilized in the evaluation of $G_{IC}$. Values of $G_{IC}$ at the crack initiation and arrest were scarcely changed with increasing test rate up to 1.0m/s. However the maximum $G_{IC}$ was much enlarged at 11.4m/s due to the large amount of fiber bridging the crack tip. The larger the initial crack length, the smaller the maximum $G_{IC}$ at high rate.
Kim, Jongsoon;Kwon, Soon-Hong;Chung, Sung-Won;Kwon, Soon-Goo;Park, Jong-Min;Choi, Won-Sik
Journal of Biosystems Engineering
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v.38
no.2
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pp.87-94
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2013
Purpose: Pineapple is now the third most important tropical fruit in world production after banana and citrus. Phytosanitary irradiation is recognized as a promising alternative treatment to chemical fumigation. However, most of the phytosanitary irradiation studies have dealt with physiochemical properties and its efficacy. Accurate dose calculation is crucial for ensuring proper process control in phytosanitary irradiation. The objective of this study was to optimize phytosanitary irradiation treatment of pineapple in various radiation sources using Monte Carlo simulation. Methods: 3-D geometry and component densities of the pineapple, extracted from CT scan data, were entered into a radiation transport Monte Carlo code (MCNP5) to obtain simulated dose distribution. Radiation energy used for simulation were 2 MeV (low-energy) and 10 MeV (high-energy) for electron beams, 1.25 MeV for gamma-rays, and 5 MeV for X-rays. Results: For low-energy electron beam simulation, electrons penetrated up to 0.75 cm from the pineapple skin, which is good for controlling insect eggs laid just below the fruit surface. For high-energy electron beam simulation, electrons penetrated up to 4.5 cm and the irradiation area occupied 60.2% of the whole area at single-side irradiation and 90.6% at double-side irradiation. For a single-side only gamma- and X-ray source simulation, the entire pineapple was irradiated and dose uniformity ratios (Dmax/Dmin) were 2.23 and 2.19, respectively. Even though both sources had all greater penetrating capability, the X-ray treatment is safer and the gamma-ray treatment is more widely used due to their availability. Conclusions: These results are invaluable for optimizing phytosanitary irradiation treatment planning of pineapple.
Double-layered Al-Mg films have been deposited by using an e-beam deposition method on a cold-rolled steel sheet(CR), which the structure of the film was Al/Mg/CR. The micro-structure, alloy phase, and corrosion resistance of the Al-Mg coated CR were investigated before and after heat treatment at $400^{\circ}C$ for 2, 3, and 10 min in a nitrogen atmosphere. Total thickness of Al-Mg films was fixed at $3{\mu}m$ and the thickness ratio of Al and Mg layers(Al:Mg) has been changed from 5:1 to 1:5. The cross-sectional morphology of the films, which had the thickness ratio of 2:1(Al:Mg), 1:1, and 1:2, was changed after heat treatment from columnar to featureless structure. The x-ray diffraction data for as-deposited films showed only pure Al and Mg peaks. Al-Mg alloy peaks such as $Al_3Mg_2$ and $Al_{12}Mg_{17}$ phase appeared after the heat treatment. The Al-Mg coating with the thickness ratio of 1:1(Al:Mg) showed the best corrosion resistance of up to 500 hours by salt spray test.
Journal of the Korean Society of Hazard Mitigation
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v.6
no.1
s.20
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pp.9-16
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2006
The moment resisting frame has been well-known as it had very excellent seismic performance, and it has been widely used and constructed in the design of a lot of buildings. However, the moment resisting frame system did not exert the seismic performance during the earthquake in Northridge and Kobe sufficiently, and it produced the crack or brittle fracture on the joint. this study was to ]m tests with the full-scale test subject as parameters of existence of H-beam web high tensile bolt shearing joint and reinforcement of H-flange rib. This researcher was to anticipate the decrease of number of high tensile bolts and the improvement of workability through the double shear joint by the experiment, and improve the seismic performance through the reinforcement of rib plate. In addition, this study was to prevent the brittle fracture by the stress concentration through the non scallop.
A Cr:YAG crystal was used as a saturable absorber for passive Q-switching of a Nd:$YVO_4$ laser which was pumped by a 1-W continuous wave laser diode. The first surface of the Cr:YAG was high-reflection coated for the pump wavelength. The high-reflection coating improved the absorption efficiency of the pump beam in the Nd:$YVO_4$ through double pass absorption. It also prevented pump beam induced partial bleaching of the Cr:YAG. The peak-to-peak pulse fluctuation of passively Q-switched laser output was approximately 4 %. The minimum pulse-width was measured to be 7.11 ns. Also, the average pulse repetition rate was 9 kHz and the maximum output power was 16.27 mW.
High-power quasi-continuous-wave (qcw) operation in Yb-doped double-clad fiber lasers with near-diffraction-limited quality of the output beam is reported. Based on numerical simulation, we built a simple, all-fiberized Yb fiber laser, and a fiber-based master-oscillator power amplifier (MOPA). Both laser systems have successfully produced qcw output with average power greater than 150 W at 1080 nm and 10 ms pulse duration at 10 Hz repetition rate, corresponding to a peak power greater than 1.5 kW for 205 W of pump power at 976 nm. Laser performance, including beam quality and slope efficiency, was characterized in both configurations. Prospects for power scaling and applications are discussed.
Kim, H.S.;Shin, D.H.;Kim, S.K.;Kim, H.B.;Im, Hyun-Sik;Kim, H.J.
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.15
no.6
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pp.637-641
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2006
We present the DC and RF characteristics of 100 nm gate length InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic high electron mobility transistors (MHEMTs). We fabricated the T-gate with 100 nm foot print by using a positive resist ZEP520/P (MMA-MAA)/PMMA trilayer by double exposure method. The fabricated 100 nm MHEMT with a $70\;{\mu}m$ unit gate width and two fingers were characterized through do and rf measurements. The maximum drain current density of 465 mA/mm and extrinsic transconductance $(g_m)$ of 844 mS/mm were obtained with our devices. From rf measurements, we obtained the current gain cut-off frequency $(f_T)$ of 192 GHz, and maximum oscillation frequency $(f_{max})$ 310 GHz.
Journal of the Korean Society of Fisheries and Ocean Technology
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v.19
no.1
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pp.79-84
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1983
The test specimen, designated the double cantilever beam, was employed for a fracture mechanics study of stress corrosion cracking (SCC) of type 5083 Al-alloy in seawater. Stress intensities for this DCB specimen were calculated by using compliance, strain energy release rate and relation between stress intensity and strain energy release rate. Analytical expression for compliance as a function of crack length was obtained by applying beam theory. It was investigated that the polarization potentials affected the growth rate and surface of stress corrosion cracking. The results are as follows, The critical stress intensity was 134.81-148.38kg/mm super(3/2) and K sub(Ii) under polarization potentials was 75.92-145.78kg/mm super(3/2). The minimum stress corrosion crack growth rate was occurred at-987mV SCE. Insoluble compound on $\beta$ phase was looked into through SCC. The greater anodic potential is, the larger insoluble compound on $\beta$ phase becomes.
Han, Sangmoon;Choi, Ilgyu;Song, Jihoon;Lee, Cheul-Ro;Cho, Il-Wook;Ryu, Mee-Yi;Kim, Jin Soo
Applied Science and Convergence Technology
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v.27
no.5
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pp.95-99
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2018
We discuss the structural and optical characteristics of GaN nanowires (NWs) grown on Si(111) substrates by a plasma-assisted molecular-beam epitaxy. The GaN NWs with high crystal quality were formed by adopting a new growth approach, so called Ga pre-deposition (GaPD) method. In the GaPD, only Ga was supplied without nitrogen flux on a SiN/Si surface, resulting in the formation of Ga droplets. The Ga droplets were used as initial nucleation sites for the growth of GaN NWs. The GaN NWs with the average heights of 60.10 to 214.62 nm obtained by increasing growth time. The hexagonal-shaped top surfaces and facets were observed from the field-emission electron microscope images of GaN NWs, indicating that the NWs have the wurtzite (WZ) crystal structure. Strong peaks of GaN (0002) corresponding to WZ structures were also observed from double crystal x-ray diffraction rocking curves of the NW samples. At room temperature, free-exciton emissions were observed from GaN NWs with narrow linewidth broadenings, indicating to the formation of high-quality NWs.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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