• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.443-444
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• 2008

A double-balanced frequency up-converter using the Gilbert cell structure has been designed with the TSMC $0.18\;{\mu}m$ CMOS library. The frequency up-converter consists of a Mixer core and IF / LO balun. Frequency Up-converter exhibits a 3.4 dB conversion gain with a - 7.6 dBm $P_{1dB}$ for IF power of -10 dBm and LO power of 0 dBm inputs. It also exhibits 92.2 % modulation depth as a ASK modulator.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제4권1호
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• pp.37-42
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• 2004

In this paper, LNB(low noise block) downconverter MMIC is designed for Ku-band satellite communication system using InGaP/GaAs HBT high linear process. Designed MMIC consists of low noise amplifier, double balanced mixer, and IF amplifier with a total chip area of 2.6${\times}$1.1 $\textrm{mm}^2$. Designed MMIC has the characteristics of over 37.5 ㏈ conversion gain, 14 ㏈ noise figure, ripple of 3 ㏈, and output-referred $P_{1dB}$TEX>(1 ㏈ compression power) of 2.5 ㏈m with total power dissipation of 3 V, 50 mA.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.615-616
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• 2006

Nowadays, the need of multi-mode/multi-band transceiver is rapidly increasing, so we design a direct conversion RF front-end for multi-mode/multi-band receiver that support WCDMA/CDMA2000/WIBRO standard. It consists of variable gain reconfigurable LNA and single input double balanced Mixer and complementary differential LC Oscillator. The circuit is implemented in 0.18 um RF CMOS technology and is suitable for low-cost mode/multi-band.

• 한국전자파학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.110-115
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• 2000

A K-band GaAs MMIC receiver module has been developed using 0.15 ${\mu}{\textrm}{m}$ HEMT technology process. It incorporates two front end low noise amplifiers, a double balanced diode mixer, and filters. The RF input frequency ranges 20.1 to 21 GHz and the IF output 1.1 to 2 GHz. Test results show an overall conversion gain of more than 27 dB, and less than a 2.2 dB noise figure. The image-rejection ratio greater than 21 dB has been obtained. The isolation between RF and IF ports is better than 27 dB, and between LO and IF is more than 50 dB.

• 한국전자파학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.84-92
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• 2000

2.4 GHz 대역 WLL 단말기용 GaAs MESFET MMIC 송신기를 설계하고 제작하였다. 설계된 송신기는 이중 평형 능동형 혼합기와 전압 부궤환 구조를 갖는 2단 구동증폭기로 구성하였다. 특히, 한 쌍의 소스 접지-게이트 접지(Common-Source. Common -Gate: CSCG) 구조를 사용하여 IF 입력 선호의 비대칭성으로 인한 동작영역 감소를 보상하였다. 또한 MESFET의 단자간 위상 특성을 이용하여 국부 발진기(La) 신호의 누설 전력을 억제 하였다. 제작된 칩의 크기는 $0.75\times1.75 mm^2$이었고 측정 결과 2.7 V. 55.2 mA에서 386 dB의 변환이득. 11.6 dBm 의 출력$P_{idB}$ 구동증폭기의 RF 출력 -5dBm에서 - 31.5 dBc의 IMD3의 특성을 얻었다. 따라서 제작된 송신기는 WLL 단말기에 적용 가능하다.

• 한국통신학회논문지
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• 제31권1A호
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• pp.58-64
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• 2006

900 MHz 대역의 ISO-18000-6B형 표준의 수동형 RFID 리더용 트랜시버를 개발하였다. 송신부의 ASK 변조회로는 GaAs SPST 스위치를 이용하여 고속 저전력 변조 회로로 구성하였으며, 수신부에서는 이중 평형 믹서와 비교기를 이용하여 복조회로를 구성하였다. LO 신호에 대한 우수 고조파 성분들을 억압하고 수신기의 선형성을 향상시키기 위하여 연산 증폭기를 이용한 복조회로와 전압 플로워 및 비교기를 사용하여 회로의 복잡성을 개선하였다. 개발된 트랜시버는 $900{\sim}916\;MHz$ 대역에서 6 dBi의 상용 안테나를 사용하여 5 m의 인식 거리를 얻었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.621-629
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• 2008

본 논문에서는 위성 탑재 부품의 중요한 요구 특성 중의 하나인 부품의 소형화를 위해 LTCC를 이용하여 Ka-대역 OBS 위성 중계기용 주파수 상향 변환기를 개발하였다. 주파수 상향 변환기 내에 적층으로 S-대역 저역통과 여파기와 K-대역 대역 통과 여파기를 배치 하였으며, 주파수 상향 변환 MMIC 혼합기를 조립 하였다. S-대역 저역 통과 여파기 설계에서는 수정된 엘립틱(Elliptic) 저역 통과 여파기 구조를 이용하여 임의의 주파수에 폴을 형성함으로써 임의의 스퓨리어스 신호를 선택적으로 제거할 수 있는 방법을 제시하였다. K-대역 대역 통과 여파기의 경우, 층간 커플링을 이용한 구조를 채택하였다. 주파수 상향 변환 혼합기에는 MMIC 이중 평형 다이오드 혼합기를 사용하였다. 제작된 LTCC 주파수 상향 변환기의 삽입 손실은 9 dB, 격리도는 51 dBc이며, 크기는 $8{\times}7{\times}0.6mm^3$로 기 개발된 Ka-대역 OBS 위성 중계기용 주파수 상향 변환기에 비해 1/3 크기의 소형화를 이룰 수 있었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.189-193
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• 2005

본 논문은 MB-OFDM UWB 시스템에 적용할 수 있는 직접 변환 방식용 하향 주파수 변환기 구조를 제안한다. 제안하는 주파수 변환기 구조는 $3\~5\;GHz$ 광대역 입력 매칭을 하기 위해 일반적으로 CMOS로 구성된 트랜스컨덕턴스 회로를 사용하지 않고, 저항을 사용하였다. 하향 주파수 변환기는 $0.18\;{\mu}m$ CMOS 공정으로 구현하였으며, 측정 결과 3개의 UWB 채널에 대하여 최소 +3 dB의 주파수 변환 이득과 각각 3 dB 이하의 게인 평탄도를 보이며, 1.8 V dc Power supply에서 0.89 mA를 소비한다.