• Title/Summary/Keyword: Double balanced mixer

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CMOS를 이용한 MB-OFDM UWB용 LNA/Down-Mixer 설계 (A Design on LNA/Down-Mixer for MB-OFDM m Using 0.18 μm CMOS)

  • 박봉혁;이승식;김재영;최상성
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제16권2호
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    • pp.139-143
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    • 2005
  • 본 논문에서는 $CMOS\;0.18\;{\mu}m $ 공정을 이용하여 MB-OFDM UWB용 RF 수신기의 광대역 LNA와 Down-mixer를 설계하였다. 광대역 LNA는 $3\~5\;GHz$의 대역에서 전력이득은 $12.8\~15dB$, 잡음지수는 2.6 dB 이하, 그리고 입력 IP3는 4 GHz에서 -8 dBm의 특성을 나타내고, 입출력 반사손실은 10 dB 이하의 특성을 보인다. Down-mixer는 3개의 채널에서 2 dB 이하의 gain flatness를 나타내고, 변환이득은 $-2.9\~0.4dB$의 특성을 나타낸다. 또한 LO의 leakage와 feedthrough는 각각 30 dB 이상의 특성을 나타내도록 설계하였다.

5 GHz 무선랜용 수신기의 설계 (CMOS Front-End for a 5 GHz Wireless LAN Receiver)

  • 이혜영;유상대;이주상
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2003년도 학술회의 논문집 정보 및 제어부문 B
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    • pp.894-897
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    • 2003
  • Recently, the rapid growth of mobile radio system has led to an increasing demand of low-cost high performance communication IC's. In this paper, we have designed RF front end for wireless LAN receiver employ zero-IF architecture. A low-noise amplifier (LNA) and double-balanced mixer is included in a front end. The zero-IF architecture is easy to integrate and good for low power consumption, so that is coincided to requirement of wireless LAN. But the zero-IF architecture has a serious problem of large offset. Image-reject mixer is a good structure to solve offset problem. Using offset compensation circuit is good structure, too. The front end is implemented in 0.25 ${\mu}m$ CMOS technology. The front end has a noise figure of 5.6 dB, a power consumption of 16 mW and total gain of 22 dB.

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밀리피터파 대역 하향 변환 혼합기 (Down Conversion Mixer for Millimeter Band)

  • 지홍구;오승엽
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제21권11호
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    • pp.1318-1323
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    • 2010
  • 밀리미터파 대역의 부품 수요가 많아질 것으로 예상되어지는 57~63 GHz 대역의 하향 변환 혼합기를 IHP SiGe 0.25 um 공정을 이용하여 설계 및 제작하였다. 혼합기 RF 단에 크기를 줄인 3D 발룬(balun)을 위치하였으며, 혼합기는 두 개의 평형 혼합기로 구성하고 LO 신호의 억압과 출력단의 이득을 위하여 버퍼(buffer) 증폭기를 위치하였다. 측정 결과, 변환 이득 13.8 dB, $P1dB_{in}$ -17 dBm, 전류 소모는 88 mA의 특성을 나타내었다.

2.45GHz CMOS Up-conversion Mixer & LO Buffer Design

  • Park, Jin-Young;Lee, Sang-Gug;Hyun, Seok-Bong;Park, Kyung-Hwan;Park, Seong-Su
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제2권1호
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    • pp.30-40
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    • 2002
  • A 2.45GHz double-balanced modified Gilbert-type CMOS up-conversion mixer design is introduced, where the PMOS current-reuse bleeding technique is demonstrated to be efficient in improving conversion gain, linearity, and noise performance. An LO buffer is included in the mixer design to perform single-ended to differential conversion of the LO signal on chip. Simulation results of the design based on careful modeling of all active and passive components are examined to explain in detail about the characteristic improvement and degradation provided by the proposed design. Two kinds of chips were fabricated using a standard $0.35\mu\textrm$ CMOS process, one of which is the mixer chip without the LO buffer and the other is the one with it. The measured characteristics of the fabricated chips are quite excellent in terms of conversion gain, linearity, and noise, and they are in close match to the simulation results, which demonstrates the adequacy of the modeling approach based on the macro models for all the active and passive devices used in the design. Above all the benefits provided by the current-reuse bleeding technique, the improvement in noise performance seems most valuable.

밀리미터파 응용을 위한 우수한 성능의 MMIC Star 혼합기 (High Performance MMIC Star Mixer for Millimeter-wave Applications)

  • 류근관;염인복;김성찬
    • 한국통신학회논문지
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    • 제36권10A호
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    • pp.847-851
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    • 2011
  • 본 논문에서는 밀리미터파 응용에서 사용 가능한 우수한 성능의 MMIC (Millimeter-wave Monolithic Integrated Circuit) star 혼합기를 구현하였다. MMIC star 혼합기를 구현하기 위하여 PHEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor) 공정 기반의 소오스와 드레인 단자를 연결한 쇼트키 (Schottky) 다이오드를 사용하였다. 혼합기의 측정 결과 LO 주파수가 75 GHz이며 전력이 10 dBm 인 경우, 81 GHz에서 86 GHz의 RF 주파수 범위에서 평균 13 dB의 변환손실 특성을 얻었다. RF-LO 격리도 특성은 30 dB 이상의 결과를 얻었으며 약 4 dBm의 P1 dB 특성을 얻었다. 전체 칩의 크기는 0.8 mm ${\times}$ 0.8 mm이다.

발룬 내장형 이중대역 하향 변환 믹서 설계 및 제작 (Design of Double Bond Down Converting Mixer Using Embeded Balun Type)

  • 이병선;노희정;서춘원
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제22권6호
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    • pp.141-147
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    • 2008
  • 본 논문에서는 화합물 반도체 및 CMOS 공정을 이용하여 수신기에서 주파수를 하향 변환하는 수신믹서를 설계하였다. 주파수 하향변환 믹서의 기본적인 이론과 구조에 대해 살펴보고 이중평형 믹서 구조와 광대역 특성을 얻기위해 매칭회로 대신 고주파와 국부발진기의 입력단에 싱글엔드 신호를 차분신호로 변환하기 위한 능동발룬을 결합한 믹서회로를 화합물과 CMOS 공정으로 설계한다. CMOS 공정을 이용하여 제작한 능동발룬 내장 믹서는 $2{\sim}6[GHz]$ 대역에서 1[dB] 이하의 이득오차와 $3[^{\circ}]$ 이하의 위상오차를 가지며 $2{\sim}6[GHz]$ 대역에서 변환이득 $-1{\sim}-6[dB]$ 특성을 얻었다. 모의실험 결과 화합물 공정을 이용하여 능동 발룬을 결합한 믹서는 $2{\sim}6[GHz]$ 주파수대역에서 $-2[dBm]$의 국부발진기 입력에 대해 약 7[dB]의 변환이득과 5.8[GHz]에서 -10[dBm]의 입력 P1[dB]특성을 나타낸다.

2.45 GHz 수동형 태그 RF-ID 시스템 개발 (Development of the passive tag RF-ID system at 2.45 GHz)

  • 나영수;김진섭;강용철;변상기;나극환
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제41권8호
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    • pp.79-85
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    • 2004
  • 본 논문에서는 고속 데이터 무선인식에 적용 될 2.45㎓ 수동형 RF-ID 시스템을 개발하였다. RF-ID 시스템은 수동형 태그 와 리더로 구성되어 있다. RF-ID 수동형 태그는 제로 바이어스 쇼트키 다이오드를 사용한 정류기, ID 칩, ASK 변조회로 그리고 backscatter 슬롯 안테나로 구성되어있다. 또한, ASK 변조를 위한 스위칭 소자로서 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 저전력 소모 변조회로를 구성하였으며 태그의 슬롯 안테나는 일반 패치 안테나보다 광대역 특성을 갖는다. RF-ID 리더는 circulator를 사용하여 단일 마이크로스트립 패치 어레이 안테나를 사용하였으며 종래의 방식에서 채택하는 double-balanced mixer구조를 사용하지 않고 single-balanced mixer구조를 채택함으로서 회로의 복잡성을 개선하고 전체적인 단말기 크기를 소형화 가능하도록 설계하였다. 측정결과 동작주파수는 2.4 GHz이고 출력은 27 dBm (500 mW)에서 감지거리 1 m로 나타났다. 리더에서 측정된 변조신호는 -46.76 dBm이며 주파수는 57.2 kHz이다.

마이크로스트립 대 CPW 결합 구조를 이용한 발룬 (Planar Balun using Microstrip to CPW Coupled Structure)

  • 방현국;이해영
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제14권9호
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    • pp.919-923
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    • 2003
  • 본 논문에서는 마이크로스트립 대 CPW결합 구조를 이용하여 다양한 신호 정합회로에 사용되는 발룬을 제작 측정하였다. 측정 결과, 가용 주파수 2.44~4.33 GHz에서 삽입 손실의 차이는 0.2 dB 이내이고 위상 차이는 2.1$^{\circ}$ 이내로 나타났다. 따라서 제안된 발룬은 구조적 특성으로 인해 다양한 초고주파용 다층 회로에 사용되어 혼합기, 증폭기, 안테나의 급전부 등의 성능향상에 기여할 것으로 기대된다.