Mo-doped $LiFePO_4$ was synthesized via co-precipitation method using sucrose as the carbon source. Structure, surface morphology, and the electrochemical properties of the synthesized olivine compounds were investigated using Rietveld refinement of X-ray diffraction data (XRD), scanning electron microscopy (SEM), and electrochemical charge-ischarge tests. Spherical morphology with the particle size of ${\sim}8{\mu}m$ authenticated the enhanced tap density and volumetric energy density of the synthesized materials. Charge-discharge behavior of $LiFePO_4$ and Mo-doped $LiFePO_4$ cells demonstrated a specific capacity of 130 and 145 mAh $g^{-1}$, respectively. Mo-doped $LiFePO_4$ cells exhibited an excellent discharge capacity at 96 mAh $g^{-1}$ at 7 C-rate.
Graphene, which is a 2-dimensional carbon material, has been attracting much interest due to its unique properties and potential applications. So far, many interesting experimental and theoretical works have been done concerning the electronic properties of graphene on various substrates. Especially, there are many experimental reports about doping in graphene which is caused by interaction between graphene and its supporting substrates. Here, we report the study of charge transfer between graphene and oxide substrates using density functional theory (DFT) calculations. In this study, we have investigated the charge transfer related with graphene considering various oxide substrates such as SiO2(0001) and MgO(111). Details in charge transfer between graphene and oxides are analyzed in terms of charge density difference, band structure and work function.
The effects of Au addition on the structure and the superconducting properties of Bi system bulk have been investigated. Au exists in the metalic form in above materials. It does not affect the formation and structure of the BiSrCaCuO(2223) phase. The superconducting transition temperature Tc does not change for $Bi_{1.7}Pb_{0.3}Sr_2Ca_2Cu_3O$ composite However Au doping can make the grains smaller. Metallic Au can make gathers on the grains boundary and lead to the increment of critical transport current density. The current density of $Bi_{1.7}Pb_{0.3}Sr_2Ca_2Cu_3Au_{0.5}O$ was 1000A/$cm^2$ at liquid nitrogen temperature.
본 연구에서는 Density functional theory(DFT) 계산을 이용하여, $MoS_2$의 Mo와 S를 다른 원자로 치환 했을 때 $2H-MoS_2$ monolayer의 basal plane에서 HER활성을 향상시켰다. 특히 Ge와 Rh를 치환한 경우, ${\Delta}G_H$가 각각 0.03eV, 0,07eV로 최적에 가까운 HER활성이 나타났다. 다른 원자의 치환이 Fermi level 근처의 DOS(density of states)를 높여, ${\Delta}G_H$을 0에 가깝게 낮출 수 있음을 확인하였다. 또한 치환되는 원자의 농도, 그리고 strain을 변화시켜 농도와 strain의 증가에 따른 ${\Delta}G_H$ 감소를 발견했다. 이로써 각치환되는 원자마다, 치환 농도와 strain을 함께 변화시켜 ${\Delta}G_H$을 낮출 수 있었다. ${\Delta}G_H$가 0에 가까운(${\pm}{\pm}0.2eV$ 이내) 원자종류, 치환 농도, strain의 여러 조합을 찾았다.
투명 전도성 산화물(TCO)를 대체할 수 있는 대표적인 물질로 알려진 ZnO는 3.37 eV의 bandgap과 60 meV의 exciton binding energy를 가진 반도체 물질이다. 본 연구에서는 투명 전극으로 사용하기 위한 높은 전기적 특성을 확보하기 위해 원자층 증착법을 기반으로 양이온과 음이온의 단일 및 이중 도핑에 따라 성장한 ZnO 박막을 제작하였다. 3가 양이온 Al, Ga과 음이온 F이 단일 및 이중 도핑된 ZnO 박막의 구조적, 광학적 특성 및 전기적 특성을 확인하였다. 단일 도핑의 경우, ZnO에 donor로 작용하는 Al, Ga, F에 의해 캐리어 농도가 도핑 전에 비해 증가하였고 근자외선 영역에서의 band-edge absorption이 증가하는 것을 확인하였다. 단일 도핑 중에서는 F이 ZnO 내 산소 공공 자리에 passivation 되면서 높은 mobility와 함께 가장 높은 전도도를 보였다. 이중 도핑의 경우, 각 원소들의 도핑 효과가 더해지면서 단일 도핑에 비해 높은 전기적 특성을 보였다. 결과적으로 Ga-F에 비해 Al-F 도핑 시 ionic radius 차이에 의한 lattice distortion 감소 및 delocalized 된 전자 상태의 증가로 가장 낮은 비저항 값을 보였으며 PDOS 분석을 통한 시뮬레이션 데이터로 측정 값과 일치하는 결과를 확인했다.
Perovskite Pb(Mn_{1/3}Sbu_{2/3})O_2-Pb(Zr,Ti)O_3\;(PMS-PZT) was prepared and ZnO doping effects on its piezoelectric properties were investigated. Pyrochlore phase was not identified in the PMS-PZT ceramics with $0\sim5\;mol\%$ ZnO sintered at $1100^{\circ}C$ for 2 hrs, and maximum sintered density of $7.92 g/cm^3$ was obtained. Piezoelectric charge constant and voltage constant increased to $359{\times}10^{-12}\;C/N\;and\;22.5{\times}10^{-13}\;Vm/N$, respectively, with increasing ZnO content. Mechanical quality factor reduced considerably with increasing ZnO content. When the ZnO content was 3 $mol\%$, electromechanical coupling factor and relative dielectric constant showed maximum values of $56\%$ and 1727, respectively. This should be evaluated by complicated variations of sintered density, tetragonality of lattice, grain size, and A-site vacancy generated by ZnO addition and $Zn^{2+}$ substitution.
본 연구에서는 FDM(finite difference method)을 이용한 수치적 방법을 사용하여 MODFET (MO-dulation doped FET)의 전위 분포와 전자 밀도를 이차원적으로 해석하였다. 일차원적 해석 방법에서는 MODFET의 게이트 부분만을 계산하는 반면, 이차원적 해석 방법은 소오스와 드레인 부분도 계산해줌으로써 일차원적 해석 방법에서 무시되는 기생 효과(parasitic effect)를 고려하여 더 정확한 해석이 가능하였다. 결과로서 스페이스(spacer) 두께와 (n)AlGaAs층의 도핑 농도의 변화에 따른 채널내에서 2DEG(2dimensional electron gas)의 단위 면적에 대한 밀도와의 관계를 정량적으로 제시하였으며 스페이서의 두께가 작아지거나 (n)AlGaAs 층의 도핑 농도가 커질수록 MODFET 채널 내의 전자 밀도가 증가함을 확인하였다.
$(Pb_{0.62}Ca_{0.38})ZrO_{3}$계에서의 조성 x=0.38의 $(Pb_{0.62}Ca_{0.38})ZrO_{3}$에 Mn 성분을 첨가하여 $1300^{\circ}C$에서 2시간 소결한 세라믹스의 소결성 및 고주파 유전특성을 연구하였다. Mn의 첨가로 소결온도가 낮아지며 치밀한 소결체를 얻을 수 있었다. 하소온도가 높아짐에 따라 하소과정에서 합성반응이 충분히 이루어져 소결체의 최종 소결과정에 영향을 미처 유전체의 유전상수와 품질계수 Q값이 증가하였다. Mn의 첨가량에 따른 물성변화는 Mn의 첨가량이 0.15wt%까지의 첨가범위에서는 $Mn^{4+}$가 $Mn^{3+}$ 또는 $Mn^{2+}$로 환원됨에 따라 산소공공이 생성되며, 억셉터로 작용하여 품질계수 Q값이 1300정도까지 증가하였고, 유전율은 90-100 정도로 변화가 없었다. 그러나 Mn 첨가량이 0.5 wt%이상일때 유전손실이 매우 증가되며 동시에 품질계수 Q값이 점차 감소하였다.
Alumina powder was added in a general porcelain (Backja) with clay, feldspar and quartz contents to promote the mullite ($3Al_2O_3{\cdot}2SiO_2$) generation in the porcelain. Low melting materials ($B_2O_3(450^{\circ}C)$, $MnO_3(940^{\circ}C)$, CuO($1080^{\circ}C$)) were doped at ~3 wt% to modify the sinterability of porcelain with a high alumina contents and promote the mullite generation. Green body was made by slip casting method with blended slurry and then, they were fired at $1280^{\circ}C$ for 1hr by a $2^{\circ}C/min$. Densifications of samples with high alumina contents (20~30 wt%) were impeded. As the doping contents of low melting materilas increased, the sinterability of samples was improved. The shrinkage rate and bulk density of samples were improved by doping with low melting materials. Mullite phase increased with increasing the low melting contents in the phase analyses. This means lots of alumina and quartz were transformed into mullite phase by low melting contents doping. In the results, high bending strength of samples with high alumina contents was accomplished by improving the densification and mullite generation in the porcelain.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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