• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제37권6호
• /
• pp.17-23
• /
• 2000

본 연구에서는 Sq색소를 이용하여 적색발광의 디바이스를 제작하고, 발광효율을 증가시키기 위해 OXD7과 $Alq_3$층을 발광층과 음극사이에 삽입하여 그 효과를 관측하고, 기구특성을 검토하였다. 정공운송층으로서 TPD, 발광층 호스트재료로서 $Alq_3$, 게스트 재료로서 Sq를 사용하였다. 그 결과 $Alq_3$층의 삽입은 효율을 증가시킬 수 있었지만, 삽입된 $Alq_3$층에서의 발광 때문에 색순도 높은 적색발광을 얻지 못했다. OXD7층의 삽입은 정공을 블로킹하고 정공을 누적시킨다. 이는 전자와 정공의 재결합확률을 증가시키기 때문에 색순도 높은 적색발광을 유지하면서 휘도 특성과 발광효율이 향상되었다.

• 대한화학회지
• /
• 제44권3호
• /
• pp.243-248
• /
• 2000

다층 구조로 이루어진 유기 전계발광소자(OELD)는 평판 디스플레이에 응용될 수 있으므로 활발히 연구되고 있다. 금속 킬레이트 착물은 발광층을 구성하는 물질로 개발되고 있는데 이 중 몇 가지는 효율적인 전계발광(EL) 특성을 가진다고 알려져 있다. 본 연구에서는 청색 발광을 나타내는 몇 가지 금속 킬레이트 착물들을 합성하였다. 리간드 quinaldat나 8-quinoline carboxylate를 사용하였고 중심 금속으로는 베릴륨과 아연을 도입하였다. 이 착물들에 대하여 FT-IR, MS/FAB, $^1$H-NMR, UVvis, 광발광(PL) 특 성을 고찰하였다. 또한 순환 전압전류법(CV)으로 이들 착물로 형성된 필름의 전기화학적 밴드갭(Eg), 전자친화도(EA), 이온화 에너지(IP)를 조사하였다. 앞에서 얻은 UV-vis의 에너지 홉수 파장과 순환 전압전류법으로 구한 전기화학적 밴드갭올 비교, 논의하였다. 이러한 연구는 새로운 고효율 금속 착물 발광체의 개발에 밑거름이 될 것이며, 현재 이들 화합물로 EL 소자를 제작하는 연구가 진행 중에 있다.

• 대한인간공학회지
• /
• 제29권1호
• /
• pp.39-46
• /
• 2010

The growth of function in vehicle needs complex display and control system, the In-Vehicle Information System(IVIS). Although current IVISs are widely implemented in commercial vehicles, a new form of IVIS has been recently studied in order to reduce drivers' workloads. The purpose of this study is to suggest an appropriate menu structure of a new type IVIS, to be implemented on the instrument cluster panel, using Taguchi's parameter design. In the research, firstly, functions were selected that are appropriate to control through the instrument cluster among existing functions of current IVISs by quantitative evaluation of ergonomic principles. Then, menu structure alternatives were extracted by investigating priorities to those functions selected. Finally, menu structure alternatives were evaluated through an experiment and suggest the most appropriate one by applying Taguchi's parameter design. Taguchi method was used not only for planning an experiment but also evaluating alternatives. SN ratios were a key value to evaluate the alternatives and to find the most proper one. Through the research, the most appropriate menu structure for the instrument cluster IVIS was finally suggested among the alternatives and it is expected that the results of this research could provide a guideline to the instrument cluster IVIS.

• 한국광학회지
• /
• 제28권6호
• /
• pp.339-345
• /
• 2017

기준 평면의 평면도는 간섭계 교정에서부터 반도체, 플랫 패널 디스플레이, 실리콘 기판에 필요한 기준면 제공 등에 매우 중요한 역할을 한다. 특히 기준 평면의 평면도 측정을 해외에서 수행해 올 경우 시간적인 지연과 함께 금전적인 손해가 크므로 국내에서 측정 기술을 구축할 필요가 있다. 본 논문에서는 국내에서 처음으로 절대 측정 방법인 three-flat test 방법을 사용해 기준 평면의 평면도를 정확하게 구하고 측정불확도를 계산하였다. Three-flat test는 간섭계를 사용하여 세 개의 기준 평면을 상호 비교 측정하여 얻은 결과에서 각 평면의 평면도를 정확하게 구하는 방법이다. Three-flat test 방법들 중 실험실에 구축된 장비로 실험 가능하며 간단한 계산 과정으로 낮은 측정불확도를 얻을 수 있는 Griesmann 방법을 적용하여 실험하였다. 그 결과, 세 광학 평면에 대한 평면도를 얻을 수 있었고, 측정불확도는 각 광학 평면에 대해 0.5 nm rms 이내의 신뢰 수준임을 확인하여 높은 수준으로 자체 평면도 측정이 가능함을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.79-79
• /
• 1999

The varous techniques for fabrication of si or metal tip as a field emission electron source have been reported due to great potential capabilities of flat panel display application. In this report, 240nm thermal oxide was initially grown at the p-type (100) (5-25 ohm-cm) 4 inch Si wafer and 310nm Si3N4 thin layer was deposited using low pressure chemical vapor deposition technique(LPCVD). The 2 micron size dot array was photolithographically patterned. The KOH anisotropic etching of the silicon substrate was utilized to provide V-groove formation. After formation of the V-groove shape, dry oxidation at 100$0^{\circ}C$ for 600 minutes was followed. In this procedure, the orientation dependent oxide growth was performed to have a etch-mask for dry etching. The thicknesses of the grown oxides on the (111) surface and on the (100) etch stop surface were found to be ~330nm and ~90nm, respectively. The reactive ion etching by 100 watt, 9 mtorr, 40 sccm Cl2 feed gas using inductively coupled plasma (ICP) system was performed in order to etch ~90nm SiO layer on the bottom of the etch stop and to etch the Si layer on the bottom. The 300 watt RF power was connected to the substrate in order to supply ~(-500)eV. The negative ion energy would enhance the directional anisotropic etching of the Cl2 RIE. After etching, remaining thickness of the oxide on the (111) was measured to be ~130nm by scanning electron microscopy.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제40권7호
• /
• pp.637-643
• /
• 2003

PDP(Plasma Display Panel)용 녹색 형광체의 발광특성과 결정성을 향상시키기 위해 Zn$_2$SiO$_4$:Mn에 co-dopant로 Cr과 Ti 를 각각 첨가하여 졸-겔법으로 합성하였다. 이렇게 합성된 Zn$_2$SiO$_4$:Mn, M(M=Cr, Ti) 형광체는 고상반응의 경우와 비교하여 상대적으로 낮은 온도인 110$0^{\circ}C$에서 willemite 구조의 단일상이 형성되었다. 제조된 Zn$_2$SiO$_4$:Mn, M(M=Cr, Ti) 형광체에 대하여 진공자외선(Vacuum Ultraviolet, VUV) 영역의 147 nm 여기광원을 사용하여 발광특성을 조사하였다. Co-dopant의 영향을 알아보기 위해 Mn의 농도는 2 ㏖%, $H_2O$/TEOS의 비율은 36.1로 고정하였고, 이때 Cr과 Ti 모두 0.1 ㏖%에서 가장 좋은 발광특성을 나타냈다. Cr이 co-doping된 경우는 농도가 증가할수록 잔광시간은 짧아지나 발광강도는 지속적으로 감소한 반면, Ti를 co-doping했을 때는 오히려 낮은 농도에서 발광강도의 증가를 보이며 2.0 ㏖%에서 급격히 감소하였다.

• 전자공학회논문지SC
• /
• 제40권6호
• /
• pp.39-47
• /
• 2003

본 논문에서는 세폭소거 방식에 관한 연구를 하였으며, 종래에는 세폭소거 이후 전극에 벽전하가 쌓이지 않게 하기 위해 X전극과 Y전극의 전압 레벨을 같게 하여 벽전하를 소거한 반면, 본 논문에서는 세폭소거 이후 X전극과 Y전극의 전압 레벨을 다르게 하고 유지구간에서 스위치의 펄스 타이밍을 조절하여 약한 방전을 일으키게 한 뒤 벽전하를 소거하였다. 실험결과 종래의 방식은 Y_Reset 전압이 150V, 서스테인 전압이 180V일 때 어드레스 전압 마진이 31.3V로 가장 크게 나타났다. 본 논문에서 제안한 방식은 Y_Reset 전압이 100V, 서스테인 전압이 180V, 185V일 때, 어드레스 전압 마진이 38.3Y로 가장 크게 나타났다. 본 논문에서 제안한 방식으로 인하여 종래의 방식 보다 약 7V(22%)정도의 전압마진을 더 확보할 수가 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제25권1호
• /
• pp.44-47
• /
• 2012

The $TiO_2/Si_3N_4/Ag/Si_3N_4/TiO_2$ multi layered structure was designed for the possible application of transparent electrodes in PDP (Plasma Display Panel). Multi layered film was deposited on a glass substrate at room temperature by DC/RF magnetron sputtering system and EMP (Essential Macleod Program) was adopted to optimize the optical characteristics of film. During the deposition process, the Ag layer in $TiO_2/Ag/TiO_2$ became heavily oxidized and the filter characteristic was degraded easily. In thus study, Si3N4 layer was used as a diffusion buffer layer between $TiO_2$ and Ag. in order to prevent the oxidation of Ag layer in $TiO_2/Si_3N_4/Ag/Si_3N_4/TiO_2$ structure. It was confirmed that $Si_3N_4$ layer is one of candidate materials acting as diffusin barrier between $TiO_2/Ag/TiO_2$.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.304.1-304.1
• /
• 2014

Flat-panel displays have been growing as an essential everyday product in the current information/communication ages in the unprecedented speed. The forward-coming applications require light-weightness, higher speed, higher resolution, and lower power consumption, along with the relevant cost. Such specifications demand for a new concept-based materials and applications, unlike Si-based technologies, such as amorphous Si and polycrystalline Si thin film transistors. Since the introduction of the first concept on the oxide-based thin film transistors by Hosono et al., amorphous oxide thin film transistors have been gaining academic/industrial interest, owing to the facile synthesis and reproducible processing despite of a couple of shortcomings. The current work places its main emphasis on the binary oxides composed of ZnO and SnO2. RF sputtering was applied to the fabrication of amorphous oxide thin film devices, in the form of bottom-gated structures involving highly-doped Si wafers as gate materials and thermal oxide (SiO2) as gate dielectrics. The physical/chemical features were characterized using atomic force microscopy for surface morphology, spectroscopic ellipsometry for optical parameters, X-ray diffraction for crystallinity, and X-ray photoelectron spectroscopy for identification of chemical states. The combined characterizations on Zn-Sn-O thin films are discussed in comparison with the device performance based on thin film transistors involving Zn-Sn-O thin films as channel materials, with the aim to optimizing high-performance thin film transistors.

• 대한의용생체공학회:의공학회지
• /
• 제23권2호
• /
• pp.165-170
• /
• 2002

본 연구는 감각-운동 통합의 관점에서 다양한 시각 자극에 의하여 생체 내에 입력된 각기 다른 감각 정보가 운동 기능에 미치는 영향을 정량적으로 분석하기 위하여 수행되었다. 특히 보색 관계의 시각 자극이 이에 대한 운동의 반응시간에 어떠한 영향을 주는지에 관심을 두었다. 실험은 20세에서 25세 사이의 20대 성인 남녀 각각 10명을 대상으로 자체 제작한 방음 암실에서 수행하였다. 실험 장치는 디스플레이 판넬, 시각 자극을 위한 고휘도 LED 그리고 자극에 대한 반응시간 검출을 위한 키보드 스위치로 구성하였다. 지금까지의 많은 연구들은 감각 정보의 차이가 인식에 미치는 영향에 대한 평가나 색채 자극에 의한 감각 수용기의 반응의 강도의 차이를 연구하는데 머무르고 있으며 색채 환경에서의 감각-운동 협응에 대한 연구는 미흡한 실정이다. 따라서 본 실험에서는 다양한 시각 자극 환경에서 운동의 반응 시간을 계측함으로써 감각과 운동의 관계를 정량적으로 분석하였다. 그 결과 보색 관계의 시각 자극에 대한 반응시간이 동일한 색채 환경 하에서의 반응시간 보다 빠르고 동일 색채 자극 환경에서는 빛의 파장의 크기에 반비례하여 반응속도가 나타나는 결과를 얻었으며 통계적 분석(p<0.05)을 통해서 유의성도 검증되었다.