Objectives: It is known that bioactive materials interact with the dentin to undergo biomineralization. The exact role of moisture in this interaction is unknown. Here, we investigate the effects of dentin moisture conditions on the dislocation resistance of two bioactive root canal sealers (MTA Fillapex [Angelus Solucoes Odontologicas] and GuttaFlow BioSeal [Colténe/Whaledent AG]) at 3 weeks and 3 months after obturation. Materials and Methods: Mandibular premolars (n = 120) were prepared and randomly divided into 3 groups based on the dentin condition: group 1, dry dentin; group 2, moist dentin; group 3, wet dentin. Each group was divided into 2 subgroups for root canal filling: MTA Fillapex and GuttaFlow BioSeal. Dislocation resistance was evaluated by measuring the push-out bond strength at 3 weeks and 3 months. Failure modes were examined under a stereomicroscope. Data were statistically analyzed by Kruskal-Wallis test with a significance level of 5%. Results: Moist dentin resulted in higher bond strength values for both materials at both time points. This was significantly higher than wet and dry dentin for both the sealers at the 3 months (p < 0.05), while at 3 weeks it was significant only for GuttaFlow Bioseal. The different moisture conditions demonstrated similar trends in their effects on the dislocation resistance of the 2 root canal sealers. Conclusions: The dentin moisture conditions had a significant impact on its interaction with the bioactive materials tested. Maintaining moist dentin, but not dry or wet dentin, may be advantageous before the filling root canals with bioactive sealers.
Objectives: This study evaluated and compared the effects of radiation therapy on the dislocation resistance of AH Plus and BioRoot RCS applied to dentin and the sealer-dentin interface. Materials and Methods: Thirty single-rooted teeth were randomly assigned to 2 groups (n = 15 each): AH Plus (Dentsply DeTrey) and BioRoot RCS (Septodont). Each group was subdivided into control and experimental groups. The experimental group was subjected to a total radiation dose of 60 Gy. The root canals of all samples were cleaned, shaped, and obturated using the single-cone technique. Dentin slices (1 mm) were sectioned from each root third for the push-out test and scanning electron microscopy (SEM) was done to examine the sealer-dentin interface. The failure mode was determined using stereomicroscopy. Bond strength data were analyzed by the independent t-test, 1-way analysis of variance, and the Tukey post hoc test (α = 0.05). Results: Significantly lower bond strength was observed in irradiated teeth than non-irradiated teeth in the AH Plus group (p < 0.05). The BioRoot RCS group showed no significant reduction in bond strength after irradiation (p > 0.05) and showed a higher post-irradiation bond strength (209.92 ± 172.26 MPa) than the AH Plus group. SEM revealed slightly larger gap-containing regions in irradiated specimens from both groups. Conclusions: The dislocation resistance of BioRoot RCS was not significantly changed by irradiation and was higher than that of AH Plus. BioRoot RCS may be the sealer of choice for root canal treatment in patients undergoing radiation therapy.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.9
no.6
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pp.535-541
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1999
Low-dislocation-density large-diameter GaAs single crystals with low-residual-strain have been strongly required. We have developed dislocation-free 3-inch Si doped GaAs crystals for photonic devices, and low-dislocation-density low-residual-strain 4-inch to 6-inch semi-insulating GaAs crystals for electronic devices by Vertical Bridgman(VB) technique. We confirmed that VB substrates with low-residual-strain have higher resistance against slip-line generation during MBE process. VB-GaAs single crystals show uniform radial profile of resistivity reflecting to the flat solid-liquid interface during the crystal growth. Uniformity of micro-resistivity of VB-GaAs substrate is much better than of the LEC-GaAs substrate, which is due to the low-dislocation-density of VB-GaAs single crystals.
Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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1999.06a
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pp.129-157
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1999
Low-dislocation-density large-diameter GaAs single crystals with low-residual-strain have been strongly required. We have developed dislocation-free 3-inch Si-doped GaAs crystals for photonic devices [1], and low-dislocation-density low-residual-strain 4-inch to 6-inch [2, 3] semi-insulating GaAs crystals for electronic devices by Vertical Boat (VB) technique. We confirmed that VB substrates with low-residual-strain have higher resistance against slip-line generation during MBE process. VB-GaAs single crystals show uniform radial profile of resistivity reflecting to the flat solid-liquid interface during the crystal growth. Uniformity of micro-resistivity of VB-GaAs substrate is much better than that of the LEC-GaAs substrate, which is due to the low-dislocation-density of VB-GaAs single crystals.
Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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2007.10a
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pp.352-355
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2007
Polycrystalline materials such as steels(BCC) and aluminum alloys(FCC) show the strain hardening and the strain rate hardening during the plastic deformation. The strain hardening is induced by deformation resistance of dislocation glide on some crystallographic systems and increase of the dislocation density on grain boundaries or inner grain. However, the phenomenon of the strain rate hardening is not demonstrated distinctly. In this paper, tensile tests for various strain rates are performed in the rage of $10^{-2}$ to $10^2s^{-1}$ then, specimens are extracted on the same strain position to investigate the microscopic behavior of deformed materials. The extracted specimen is investigated by using the electron backscattered diffraction(EBSD) and transmission electron microscopy(TEM) results which contain grain size, grain shape, aspect ratio and dislocation substructure.
Yoon, J.H.;Park, C.G.;Kang, J.S.;Suh, J.H.;Huh, M.Y.;Kang, H.G.;Huh, H.
Transactions of Materials Processing
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v.17
no.1
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pp.46-51
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2008
Polycrystalline materials such as steels(BCC) and aluminum alloys(FCC) show the strain hardening and the strain rate hardening during the plastic deformation. The strain hardening is induced by deformation resistance of dislocation glide on some crystallographic systems and increase of the dislocation density on grain boundaries or inner grain. However, the phenomenon of the strain rate hardening is not demonstrated distinctly in the rage of $10^{-2}$ to $10^2/sec$ strain rate. In this paper, tensile tests for various strain rates are performed in the rage of $10^{-2}$ to $10^2/sec$ then, specimens are extracted on the same strain position to investigate the microscopic behavior of deformed materials. The extracted specimens are investigated by using the electron backscattered diffraction(EBSD) and transmission electron microscopy(TEM) results which show the effect of texture orientation, grain size and dislocation behavior on the strain rate hardening.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.28
no.4
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pp.453-459
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2004
25Cr-20Ni series strainless steels have an excellent high temperature strength high oxidation and high corrosion resistance. However, further improvement can be expected of creep strength by work hardening prior creep. In the present study, the effect of prestraining at room temperature on the creep behavior of a Class M(STS310S) and a Class A(STS310J1TB) alloy containing precipitates have been examined. Prestaining was carried out at room temperature and range of prestrain was 0.5-2.5 % at STS310J1TB and 2.0-7.0% at STS310S. Creep behavior and creep rate of pre-strained specimens were compared with that of virgin specimens. Room temperature prestraining produced the creep life that is longer than that of a virgin specimen both for STS310J1TB and STS310S when creep test was carried out at the temperature lower than recrystallization temperature. The reason for this improvement of creep life was ascribable to the interaction between dislocations and precipitates in addition to the dislocation-dislocation interaction in STS310J1TB and the dislocation-dislocation interaction in STS310S. The beneficial effect of prestraining in STS310J1TB was larger than that of STS310S.
The purpose of this study was to examine the influence of conditions for quenching and/or tempering on the corrosion and hydrogen diffusion behavior of ultra-strong automotive steel in terms of the localized plastic strain related to the dislocation density, and the precipitation of iron carbide. In this study, a range of analytical and experimental methods were deployed, such as field emission-scanning electron microscopy, electron back scatter diffraction, electrochemical permeation technique, slow-strain rate test (SSRT), and electrochemical polarization test. The results showed that the hydrogen diffusion parameters involving the diffusion kinetics and hydrogen solubility, obtained from the permeation experiment, could not be directly indicative of the resistance to hydrogen embrittlement (HE) occurring under the condition with low hydrogen concentration. The SSRT results showed that the partitioning process, leading to decrease in localized plastic strain and dislocation density in the sample, results in a high resistance to HE-induced by aqueous corrosion. Conversely, coarse iron carbide, precipitated during heat treatment, weakened the long-term corrosion resistance. This can also be a controlling factor for the development of ultra-strong steel with superior corrosion and HE resistance.
An experimental study of the constitutive response of precipitation-strengthened Al-0.55wt% Zr alloy, which consists of an Al matrix precipitation-strengthened by coherent particles, ${\beta}^{\prime}(Al_3Zr)$ with $L1_2$ structure has been performed. The deformation response of the materials has been examined by stress relaxation test at 573K, 623K and 673K. It was found that there exist the threshold stress during stress relaxation and threshold stress results from the presense of ${\beta}^{\prime}(Al_3Zr)$ particles. The ratio of threshold stress and Orowan stress decreased gradually with increasing temperature. The resistance to climb-pass of particles was independent of particles size for a fixed volume fraction although the threshold for bowing and particles cutting are sensitive to the particles dimensions. The smaller particles cutted by dislocations. This behavior of dislocations in this alloy was explained in terms of the small value antiphase boundary energy. The dislocation networks wrere more extensive in spesimens subjected to stress relaxation and there were numerous areas that have a high denstiy of jogged dislocation. This experiment results indicate that the rate controlling stress relaxation process is the climb of edge dislocation over particles.
Azeem, M. Mustafa;Wang, Qingyu;Li, Zhongyu;Zhang, Yue
Nuclear Engineering and Technology
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v.52
no.2
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pp.337-343
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2020
Oxide dispersed strengthened (ODS) steel is an important candidate for Gen-IV reactors. Oxide embedded in Fe can help to trap irradiation defects and enhances the strength of steel. It was observed in this study that the size of oxide has a profound impact on the depinning mechanism. For smaller sizes, the oxide acts as a void; thus, letting the dislocation bypass without any shear. On the other hand, oxides larger than 2 nm generate new dislocation segments around themselves. The depinning is similar to that of Orowan mechanism and the strengthening effect is likely to be greater for larger oxides. It was found that higher shear deformation rates produce more fine-tuned stress-strain curve. Both molecular dynamics (MD) simulations and BKS (Bacon-Knocks-Scattergood) model display similar characteristics whereby establishing an inverse relation between the depinning stress and the obstacle distance. It was found that (110)oxide || (111)Fe (oriented oxide) also had similar characteristics as that of (100)oxide || (111)Fe but resulted in an increased depinning stress thereby providing greater resistance to dislocation bypass. Our simulation results concluded that critical depinning stress depends significantly on the size and orientation of the oxide.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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