• 대한소아치과학회지
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• 제38권3호
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• pp.303-308
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• 2011

치아 매복이란 치아 맹출 경로에 존재하는 물리적 장벽으로 인하여 치아 맹출에 장애가 발생하는 것으로, 정상 맹출 시기까지 치아가 맹출하지 못하는 상태를 말한다. 치아 매복의 병인론은 여전히 논쟁의 대상이지만, 치아의 유착이 가장 유력한 원인 요소로 제시되고 있다. 치아 매복은 임상적으로 악궁 내 공간의 소실, 인접치의 경사, 대합치의 정출, 하방에 위치한 치배의 변위, 낭성 변이나 감염 등 다양한 문제점을 야기할 수 있다. 매복된 유구치에 대한 치료로 조기 발거 혹은 공간 소실이 발생한 경우 교정적으로 공간확장술을 시행한 후 외과적 발치를 하는 것이 전통적인 방법으로 여겨져왔다. 그러나 매복된 치아가 정상적인 형태이고 유착되지 않은 경우라면 외과적 노출 후 교정적 견인을 시행하는 방법을 고려할 수 있다. 본 증례는 하악 우측 제2유구치의 미맹출을 주소로 본원에 내원한 3세 9개월 된 남아를 대상으로 매복된 유구치 상방에 존재하는 치은 조직을 절제한 후 교정적 견인을 시행함으로써, 유치열기에 양호한 교합관계를 얻었을 뿐 만 아니라, 이후 정기 검진을 통해 혼합치열기의 올바른 치아배열 및 맹출을 유도하였음을 관찰하였기에 이를 보고하는 바이다.

• 대한소아치과학회지
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• 제35권2호
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• pp.333-338
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• 2008

과잉치란 정상에 비해 많은 수의 치아를 일컫는 것으로 유치열기와 혼합치열기에 발생하며, 여러 가지 임상적 문제를 일으킬 수 있다. 특히 상악 전치부의 과잉치는 상악 전치의 맹출 장애 및 전위, 정중부의 치간 이개, 치근 흡수, 함치성낭종 형성 등의 문제를 유발할 수 있으므로 조기에 진단하고, 과잉치의 위치 및 수, 형태에 따라 적절한 치료를 시행하는 것이 중요하다. 이 증례는 상악 전치부에 네 개의 과잉치가 영구치의 맹출을 방해하고 있는 경우로, 발거 시 합병증을 최소화하기 위하여 두 단계로 나누어 발거하였다. 컴퓨터 단층 촬영에서 네 개의 과잉치가 주위의 영구치 맹출을 방해하고 있었고, 그 중 두 개의 과잉치는 절치 치배에 매우 근접해 있었다. 네 개의 과잉치를 동시에 제거할 경우 영구 치배에 손상을 줄 위험이 있으므로 두 개의 역위 매복된 원추형의 과잉치만 먼저 발거하였다. 남은 두 개의 과잉치는 위치가 변화되기를 기다린 후 두 번째 발거 수술을 시행하여, 주위 절치 치배에 손상을 가하지 않고 치조골 삭제를 적게 하여 합병증 발생을 줄일 수 있었다.

• 생명과학회지
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• 제21권3호
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• pp.400-405
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• 2011

Autophagy는 항상성 유지와 스트레스반응을 효율적으로 조정하기 위해 필수적인 세포 내 질적 조절작용이다. 노화가 진행되는 동안 autopahgy에 의한 degradation 효율성 저하와 그로 인한 세포 내 부산물의 축적이 증가하여 결국, 근육의 약화를 초래한다. 그러므로 본 연구의 목적은 골격근에서 운동에 의한 autopahgy 관련 단백질의 변화를 규명하는데 있다. 이를 위해 24마리의 Young 그룹과 Old 그룹을 나누어 각각 대조군(n=6)과 운동군(n=6)으로 배정하였다. 운동은 8주간 주 5회 실시하였고, 트레드밀 속도 16.4 m/min와 경사도 4%로 설정하여 40분간 지속적인 운동을 실시하였다. autopahgy 관련 단백질에 대한 검증 결과 Young 그룹과 비교하여 Old 그룹에서 LC3-1, Beclin-1, Atg7은 모두 유의하게 감소하였다. 그러나 8주간의 규칙적인 운동에 의하여 autophagy 관련 단백질은 증가하는 것으로 나타났다. 따라서 노화에 의해 약화된 autopahgy 기능은 규칙적인 운동에 의해 개선될 수 있을 것으로 사료된다.

• 한국재료학회지
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• 제10권12호
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• pp.793-798
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• 2000

석출경화형 6061Al기지합금과 SiC입자크기를 0.7$\mu\textrm{m}$ 및 7.0$\mu\textrm{m}$로 변화시켜 강화한 SiCp/6061Al 합금복합재료의 시효 거동을 경도측정, DSC 시험 및 TEM관찰을 통하여 조사하였다. 17$0^{\circ}C$에서 등온시효시 6061Al기지합금에 비하여 복합화한 0.7$\mu\textrm{m}$SiCp/6061Al합금복합재료 및 7.0$\mu\textrm{m}$SiCP/6061Al합금복합재료에서 최고경도에 도달하는 시간이 짧았으며, 또한 강화재의 크기가 큰 7.0$\mu\textrm{m}$SiCp/6061Al합금복합재료에서 시효촉진이 보다 크게 나타났다. 이것은 복합화 및 SiC입자크기 증가에 따른 전위 밀도 상승에 기인한다. 6061Al기지합금 및 복합재료에서 최고시효처리시의 주강화상은 봉상의 중간상 $\beta$(Mg$_2$Si)이며,$\beta$상 생성의 활성화에너지는 복합화 및 SiG입자크기의 증가에 따라 감소되었다

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.183-184
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• 2013

Two main MBE growth techniques have been used: plasma-assisted MBE (PA-MBE), which utilizes a rf plasma to supply active nitrogen, and ammonia MBE, in which nitrogen is supplied by pyrolysis of NH3 on the sample surface during growth. PA-MBE is typically performed under metal-rich growth conditions, which results in the formation of gallium droplets on the sample surface and a narrow range of conditions for optimal growth. In contrast, high-quality GaN films can be grown by ammonia MBE under an excess nitrogen flux, which in principle should result in improved device uniformity due to the elimination of droplets and wider range of stable growth conditions. A drawback of ammonia MBE, on the other hand, is a serious memory effect of NH3 condensed on the cryo-panels and the vicinity of heaters, which ruins the control of critical growth stages, i.e. the native oxide desorption and the surface reconstruction, and the accurate control of V/III ratio, especially in the initial stage of seed layer growth. In this paper, we demonstrate that the reliable and reproducible growth of GaN on Si (110) substrates is successfully achieved by combining two MBE growth technologies using rf plasma and ammonia and setting a proper growth protocol. Samples were grown in a MBE system equipped with both a nitrogen rf plasma source (SVT) and an ammonia source. The ammonia gas purity was ＞99.9999% and further purified by using a getter filter. The custom-made injector designed to focus the ammonia flux onto the substrate was used for the gas delivery, while aluminum and gallium were provided via conventional effusion cells. The growth sequence to minimize the residual ammonia and subsequent memory effects is the following: (1) Native oxides are desorbed at $750^{\circ}C$ (Fig. (a) for [$1^-10$] and [001] azimuth) (2) 40 nm thick AlN is first grown using nitrogen rf plasma source at $900^{\circ}C$ nder the optimized condition to maintain the layer by layer growth of AlN buffer layer and slightly Al-rich condition. (Fig. (b)) (3) After switching to ammonia source, GaN growth is initiated with different V/III ratio and temperature conditions. A streaky RHEED pattern with an appearance of a weak ($2{\times}2$) reconstruction characteristic of Ga-polarity is observed all along the growth of subsequent GaN layer under optimized conditions. (Fig. (c)) The structural properties as well as dislocation densities as a function of growth conditions have been investigated using symmetrical and asymmetrical x-ray rocking curves. The electrical characteristics as a function of buffer and GaN layer growth conditions as well as the growth sequence will be also discussed. Figure: (a) RHEED pattern after oxide desorption (b) after 40 nm thick AlN growth using nitrogen rf plasma source and (c) after 600 nm thick GaN growth using ammonia source for (upper) [110] and (lower) [001] azimuth.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.155.2-155.2
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• 2013

Strain-relaxed SiGe layer on Si substrate has numerous potential applications for electronic and opto- electronic devices. SiGe layer must have a high degree of strain relaxation and a low dislocation density. Conventionally, strain-relaxed SiGe on Si has been manufactured using compositionally graded buffers, in which very thick SiGe buffers of several micrometers are grown on a Si substrate with Ge composition increasing from the Si substrate to the surface. In this study, a new plasma process, i.e., the combination of PIII&D and HiPIMS, was adopted to implant Ge ions into Si wafer for direct formation of SiGe layer on Si substrate. Due to the high peak power density applied the Ge sputtering target during HiPIMS operation, a large fraction of sputtered Ge atoms is ionized. If the negative high voltage pulse applied to the sample stage in PIII&D system is synchronized with the pulsed Ge plasma, the ion implantation of Ge ions can be successfully accomplished. The PIII&D system for Ge ion implantation on Si (100) substrate was equipped with 3'-magnetron sputtering guns with Ge and Si target, which were operated with a HiPIMS pulsed-DC power supply. The sample stage with Si substrate was pulse-biased using a separate hard-tube pulser. During the implantation operation, HiPIMS pulse and substrate's negative bias pulse were synchronized at the same frequency of 50 Hz. The pulse voltage applied to the Ge sputtering target was -1200 V and the pulse width was 80 usec. While operating the Ge sputtering gun in HiPIMS mode, a pulse bias of -50 kV was applied to the Si substrate. The pulse width was 50 usec with a 30 usec delay time with respect to the HiPIMS pulse. Ge ion implantation process was performed for 30 min. to achieve approximately 20 % of Ge concentration in Si substrate. Right after Ge ion implantation, ~50 nm thick Si capping layer was deposited to prevent oxidation during subsequent RTA process at $1000^{\circ}C$ in N2 environment. The Ge-implanted Si samples were analyzed using Auger electron spectroscopy, High-resolution X-ray diffractometer, Raman spectroscopy, and Transmission electron microscopy to investigate the depth distribution, the degree of strain relaxation, and the crystalline structure, respectively. The analysis results showed that a strain-relaxed SiGe layer of ~100 nm thickness could be effectively formed on Si substrate by direct Ge ion implantation using the newly-developed PIII&D process for non-gaseous elements.

• 한국안전학회지
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• 제14권1호
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• pp.208-215
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• 1999

급냉응고 강화된 Al-9.45wt%Fe-4.45wt%Cr 합금의 크 거동을 40~115Mpa 응력범위와, 300~$441^{\circ}C$(0.53~0.66Tm) 온도 범위에서 조사하였다. 이 계열의 합금은 비행기 및 자동차의 구조용재료 혹은 엔진용 부품에 많이 사용되고 있으며, 재료의 사용이 주로 고온에서 이루어지므로 안전성을 확보하기 위해서는 크 실험이 특히 중요하다. 이 합금의 크 실험 결과 응력지수와 크 활성화에너지가 높았으며 실험 응력과 온도에 크게 좌우되었다. 크 응력이 조대화에 강하게 영향미치는 것으로 보이기 때문에 모든 크 시편의 분산입자의 조대화율은 등온 소둔시편 보다도 더 빠르게 나타났다. 분산상과 연결된 전위는 고응력, 저온의 크 시편에서 더욱 자주 관찰되었다. Power law creep에서의 크 변형 속도는 문턱응력과 전위분리기구를 포함하는 Sherby와 Rosler/Arzt식으로 예견되는 것과 일치함을 발견하였다. 이 합금에서 분산상은 void생성원으로 작용하였으며 소위 입계파괴인 입자내의 연성파괴의 원인이 되었다. 생성된 void는 성장하여 Al기지내의 분산상과 분리되고, 슬립에 의해 결정립계에 집적되어 결국 입계파괴가 일어났다. 그러므로 이들 분산상이 $Al_{13}Fe_4$, $Al_{13}Cr_2$ and $Al_2O_3$의 형성에 의해 파괴 기구의 중요한 역할을 함이 입증되었다.nd $Al_2O_3$의 형성에 의해 파괴 기구의 중요한 역할을 함이 입증되었다.