The effects of $TiO_2$ in the glasses on the shrinkage and dielectric properties of BNT-glass composites have been investigated. Without $TiO_2$ addition, BNT-glass composite showed two humps in the shrinkage curve, which are related with crystallization of $BaTi(BO_3)_2\;and\;Bi_4Ti_3O_{12}$. However, the increase of $TiO_2$ addition resulted in the decrease of 2nd hump in the shrinkage. The increased dielectric constant with $TiO_2$ addition might be due to the reduced crystallization of $Bi_4Ti_3O_{12}$. A dielectric constant of 52, a quality factor of 5088 GHz, and a temperature coefficient of resonant frequency of $-0.16ppm/^{\circ}C$ were obtained for a specimen containing $TiO_2$-added glasses, without sacrificing the benefits of high ${\varepsilon}_r$ and low TCF of BNT ceramics.
Sinterability and microwave dielectric properties of the $Zr1-x(Zn_{1/3}Nb_{2/3})xTiO_4$(x=4, 6) system ceramics have been investigated as functions of zinc-borosilicate(ZBS) glass contents and amount of $Zn_{1/3}Nb_{2/3}O_2$ substitution with a view to applying the composition to LTCC technology. The addition of 25 wt% ZBS glass ensured successful sintering below $925^{\circ}C$. With increasing ZBS glass and $Zn_{1/3}Nb_{2/3}O_2$ contents increased dielectric constant and sinterability but addition ZBS glass decreased the quality factor significantly due to the formation of an excessive liquid and second phases. The sintered $Zr4(Zn_{1/3}Nb_{2/3})6TiO_4$ system ceramics at $925^{\circ}C$ with 25 wt% ZBS glass demonstrated 27.7 in dielectric constant (${\varepsilon}_r$), 3,850 m quality factor($Q{\times}f_0$), and +6 ppm/$^{\circ}C$ in temperature coefficient of resonant frequency($\tau_f$).
The $ZnNb_2O_{6}$ ceramics with CuO(1, 3, 5wt%) were prepared by the conventional mixed oxide method. The ceramics were sintered at the temperature of $950^{\circ}C$∼$1075^{\circ}C$ for 3hr in air The structural properties and the microwave dielectric properties of $ZnNb_2O_{6}$ ceramics were investigated with sintering temperature and the addition of CuO. Increasing the addition of CuO, the peak of second phase($Cu_3Nb_2O_{8}$) was increased. The grain size of the $ZnNb_2O_{6}$ ceramics with CuO was increased with CuO addition at same temperature. The dielectric constant of $ZnNb_2O_{6}$ ceramics with CuO was increased with sintering temperature and CuO addition. While the quality factor of the $ZnNb_2O_{6}$ ceramics with lwt% CuO depended on sinterability, the quality factor of $ZnNb_2O_{6}$ with 3wt% and 5wt% CuO depended on second Phase due to the CuO addition. The optimum dielectric Properties of $\varepsilon$$_{r}$ = 21.73 Q${\times}$f = 19,276 were obtained from the condition of 3wt% CuO addition and sintering temperature of $1025^{\circ}C$(3hr).
Low-temperature sintering and dielectric properties of the $1-xBiNbO_4-xZnNb_2O_6$ ceramics (x=0.3, 0.5, and 0.7) with 10 wt% zinc borosilicate (ZBS) glass was investigated as a function of the substitution of $ZnNb_2O_6$ with a view to applying this system to LTCC technology. The all composition addition of 10 wt% ZBS glass ensured a successful sintering below $900^{\circ}C$. The the amount of $ZnNb_2O_6$ on $ZnNb_2O_6$ ceramics increased the $Q{\times}f$ values, but it decreased the sinterability and dielectric constant due to the higher $Q{\times}f$ value and sintering temperature of $ZnNb_2O_6$ than that of $ZnNb_2O_6$ ceramics. The increase of $ZnNb_2O_6$ content from 0.3 to 0.7 in the $1-xBiNbO_4-xZnNb_2O_6$ ceramics with 10 wt% ZBS glass sintered at $900^{\circ}C$ demonstrated 30~20 in the dielectric constant (${\varepsilon}_r$), 3,500~4,500 GHz in the $Q{\times}f$ value.
Influence of $TiO_2$ on the dielectric properties of the $Bi(Nb_{0.7}Ta_{0.3})O_4$ ceramic with 7 wt% zinc borosilicate(ZBS) glass was investigated as a function of the $TiO_2$ contents with a view to applying this system to LTCC technology. The $Bi(Nb_{0.7}Ta_{0.3})O_4$ ceramic addition of 7 wt% ZBS glass ensured successful sintering below $900^{\circ}C$. But, TCF of $Bi(Nb_{0.7}Ta_{0.3})O_4$ ceramic is large negative values, respectively, it is necessary to adjust to zero TCF for practical applications Therefore, the addition of materials having positive TCF, such as $TiO_2$, might be an effective method for the improvement. In general, increasing addition of $TiO_2$ increased dielectric constant and TCF but it decreased the sinterability and $Q{\tiems}f$ value significantly due to the dielectric property and high sintering temperature of $TiO_2$. $Bi(Nb_{0.7}Ta_{0.3})O_4$ ceramic with 7 wt% ZBS glass and then addition 0.5 wt% $TiO_2$ sintered at $900^{\circ}C$ demonstrated 42 in the dielectric constant(${\varepsilon}_r$), 1,000 GHz in the $Q{\times}f$ value, and $10{\pm}5\;ppm/^{\circ}C$ in the temperature coefficient of resonant frequency(${\tau}_f$).
The $0.96MgTiO_3-0.04SrTiO_3$ ceramics with $B_2O_3$(10wt%) were prepared by the conventional mixed oxide method. The structural properties were investigated with sintering temperature by XRD. According to the X-ray diffraction pattern of the $0.96MgTiO_3-0.04SrTiO_3$ ceramics with $B_2O_3$(10wt%), the ilmenite $MgTiO_3$ and perovskite $SrTiO_3$ structures were coexisted and secondary phase of the $MgTi_2O_5$ were appeared. In the case of $0.96MgTiO_3-0.04SrTiO_3+B_2O_3$(10wt%) ceramics sintered $1225^{\circ}C$, dielectric constant, quality factor and temperature coefficient of resonant frequency were 19.82, 62,735GHz, $-2.983ppm/^{\circ}C$, respectively.
한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 일렉트렛트 및 응용기술
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pp.112-116
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2002
The $0.95MgTiO_3-0.05SrTiO_3$ ceramics with $V_2O_5$(10wt%) were prepared by the conventional mixed oxide method. The structural properties were investigated with sintering temperatue by XRD. According to the X-ray diffraction pattern of the $0.95MgTiO_3-0.05SrTiO_3$ ceramics with $V_2O_5$(10wt%), the ilmenite $MgTiO_3$ and perovskite $SrTiO_3$ structures were coexisted and secondary phase $MgTi_2O_5$ were appeared. In the case of $0.95MgTiO_3-0.05SrTiO_3$ ceramics with $V_2O_5$(10wt%), dielectric constant, quality factor and temperature coefficient of resonant frequency were 15.84~18.28, 12627~23138GHz, -21.414~1.568$ppm/^{\circ}C$, respectively.
In this study, in order to develop excellent lead-free composition ceramics for piezoelectric transformer, ($K_4CuNb_8O_{23}$) added $(K_{0.5}Na_{0.5})(Nb_{0.96}Sb_{0.04})O_3$ ceramics were fabricated using conventional mixed oxide method and their piezoelectric and dielectric properties were investigated as a fu+EY50nction of the amount of KCN addition. With increasing the amount of KCN addition, density and mechanical quality factor(Qm), electromechanical coupling factor (Kp) were increased up to 1.2 mol% and then decreased. At the 1.2 mol% KCN added specimen, mechanical quality factor (Qm), electromechanical coupling factor (Kp), density and dielectric constant (${\varepsilon}r$) showed the optimal values of 781, 0.445, $4.42\;g/cm^3$ and 443, respectively, for piezoelectric transformer application.
Electrical properties of $\{(Sr_xCa_{1-x})_{0.95-y-z}Bi_2Pb_{0.05+y}\})Ti_{1.02}O_3$ ceramic were studied as a function of Sr/Ca ratio and Bi, Pb contents. Dielectric properties of specimens with different x, y, z values were explained in terms of ionic polarizability with Molecular Additionally Rules and Clausius-Mosotti equation. For the composition of $\{(Sr_{0.62}Ca_{0.38})_{0.90}Bi_{0.01}Pb_{0.09}\})Ti_{1.02}O_3$ and $\{(Sr_{0.62}Ca_{0.38})_{0.905}Bi_{0.015}Pb_{0.08}\})Ti_{1.02}O_3$, dielectric constant$({\varepsilon}_r)$, quality factor(Q) and temperature coefficient(TC) were 389, 3048, -1490 and 394, 1869, -1340 at 1MHz, respectively.
The low temperature sintering and microwave dielectric properties of ceramic/glass composites which were composed of ceramics in the $Bi_2(Zn_{1/3}Nb_{2/3})_2O_7$ and zinc borosilicate glass/bismuth-zinc borosilicate glass were investigated with a view to applying the microwave dielectrics to low temperature co-fired ceramics. The $Bi_2(Zn_{1/3}Nb_{2/3})_2O_7$ addition of 5 wt% ZBS and BZBS glass ensured a successful sintering below $900^{\circ}C$. In addition, pyrochlore phase was observed in the all composition. $Bi_2(Zn_{1/3}Nb_{2/3})_2O_7$ with 5 wt% BZBS glasss demonstrated 70 as the dielectric constant ($\varepsilon_r$), 2,500 GHz as the Q$\times$f value, and -40 ppm/$^{\circ}C$ as TCF.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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