KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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v.3C
no.5
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pp.171-176
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2003
For practical electrical insulation design of high temperature superconducting (HTS) power apparatuses, knowledge of the dielectric behavior of both liquid nitrogen (L$N_2$) and subcooled liquid nitrogen (SL$N_2$) are essential. To achieve SL$N_2$ at atmospheric pressure, cryostat was designed and constructed. By pumping up the L$N_2$ in the outer dewar, the temperature of L$N_2$ in the inner dewar at atmospheric pressure can be controlled. The breakdown characteristics of L$N_2$ in quasi-uniform and non-uniform electrical fields for temperatures ranging from 77 K to 65 K at atmospheric pressure and pressure ranging from 0.1 to 0.5 MPa were investigated experimentally. The experimental data suggested that the breakdown voltage (BDV) of L$N_2$ is both highly temperature and pressure dependent. We also carried out statistical analysis of the experimental results using the Weibull distribution. The Weibull shape parameter m for the sphere-to-plane electrodes in SL$N_2$ was estimated to be 11 to 18.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.15
no.12
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pp.1060-1064
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2002
We have studied the effect of crystallization temperature, composition and film thickness, which are the fundamental processing parameters of lead zirconate titanate(PZT) thin film fabrication, in the respect of the piezoelectric properties by our pneumatic loading method(PLM). A great deal of research has been done in the field of characterization for piezoelectric thin films after the first report on the measurement for the piezoelectric coefficient of thin films in 1990. Even though the piezoelectric properties of thin films are very critical factors in the micro-electro mechanical system(MEMS) and thin film sensor devices, a few reports for the piezoelectric characterization are provided for the last decade unlikely the bulk piezoelectric devices. We have found that the piezoelectric properties of thin films are improved as the increase of crystallization temperature up to 750$\^{C}$ and this behavior can be also explained by the analysis of dielectric polarization hysteresis loop, X-ray diffraction and scanning electron microscopy. The effect of Zr/Ti composition has been also studied. This gives us the fact that the maximum piezoelectricity is found near Morphotropic Phase Boundary(MPB) as bulk PZT system does.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.12S
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pp.1181-1186
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2003
Chemical Mechanical Polishing (CMP) is an essential dielectric planarization in multilayer microelectronic device fabrication. In the CMP process, it is necessary to minimize the extent of surface defect formation while maintaining good planarity and optimal material removal rates. The polishing mechanism of W-CMP process has been reported as the repeated process of passive layer formation by oxidizer and abrasion action by slurry abrasives. Thus, it is important to understand the effect of oxidizer on W passivation layer, in order to obtain higher removal rate (RR) and very low non-uniformity (NU %) during W-CMP process. In this paper, we compared the effects of oxidizer or W-CMP process with three different kind of oxidizers with 5 wt% hydrogen peroxide such as Fe(NO$_3$)$_3$, H$_2$O$_2$, and KIO$_3$. The difference in removal rate and roughness of W in stable and unstable slurries are believed to caused by modification in the mechanical behavior of Al$_2$O$_3$ particles in presence of surfactant stabilizing the slurry.
Reiss, G.;Bruckl, H.;Thomas, A.;Justus, M.;Meyners, D.;Koop, H.
Journal of Magnetics
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v.8
no.1
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pp.24-31
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2003
The discoveries of antiferromagnetic coupling in Fe/Cr multilayers by Grunberg, the Giant Magneto Resistance by Fert and Grunberg and a large tunneling magnetoresistance at room temperature by Moodera have triggered enormous research on magnetic thin films and magnetoelectronic devices. Large opportunities are especially opened by the spin dependent tunneling resistance, where a strong dependence of the tunneling current on an external magnetic field can be found. We will briefly address important basic properties of these junctions like thermal, magnetic and dielectric stability and discuss scaling issues down to junction sizes below 0.01 $\mu\textrm{m}$$^2$with respect to single domain behavior, switching properties and edge coupling effects. The second part will give an overview on applications beyond the use of the tunneling elements as storage cells in MRAMs. This concerns mainly field programmable logic circuits, where we demonstrate the clocked operation of a programmed AND gate. The second 'unconventional' feature is the use as sensing elements in DNA or protein biochips, where molecules marked magnetically with commercial beads can be detected via the dipole stray field in a highly sensitive and relatively simple way.
Alkaline-earth porcelains have been prepared from mixture of kaolin, quartz, and synthetic calcines obtained by calcining a mixture of kaolin and more than two different kinds of alkaline-earth carbonates. They were magnesium, calcium and barium carbonates which are inexpensive and readily available. The vitrification behavior of the batch mixes was investigated in the firing range of 1240$^{\circ}$to 1380$^{\circ}$, in relation to the body compositions. It appeared that the density and the firing temperature depended largely on the content of alkaline-earth oxides in the body. These porcelains posses excellant dielectric properties, and are especially valuable as bases for deposited carbon resistors for which they were developed. An illustrative composition is 50% Dong Hwa kaolin, 22.4% Chang Shin quartz, 27.6% calcine. The composition of the calcine is 70% Dong Hwa kaolin, 10.7% BaCO3, 13.5% CaCO3, 5.8% MgCO3. The specific resistance of this body is $1.2{\times}10^{15}$ ohm-cm at 5$0^{\circ}C$, $2.5{\times}10^{14}$ ohm-cm 10$0^{\circ}C$, $2.5{\times}10^{13}$ ohm-cm at 15$0^{\circ}C$, $1.8{\times}10^{12}$ohm-cm at 20$0^{\circ}C$.
Paek, Yeong-Kyeun;Shin, Chang-Keun;Oh, Kyung-Sik;Chung, Tai-Joo;Cho, Hyoung Jin
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.53
no.6
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pp.682-688
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2016
In $TiO_2$-CuO systems, low-temperature sinterability was investigated by a conventional sintering method. Sintering temperatures were set at under $950^{\circ}C$, at which the volume diffusion is inactive. The temperatures are less than the melting point of Ag ($961^{\circ}C$), which is often used as an internal conductor in low-temperature co-fired ceramic technology. To optimize the amount of CuO dopant, various dopant contents were added. The optimum level for enhanced densification was 2 wt% CuO. Excess dopants were segregated to the grain boundaries. The segregated dopants supplied a high diffusion path, by which grain boundary diffusion improved. At lower temperatures in the solid state region, grain boundary diffusion was the principal mass transport mechanism for densification. The enhanced grain boundary diffusion, therefore, improved densification. In this regard, the results of this study prove that the sintering mechanism was the same as that of activated sintering.
A new enthalpy - based procedure for the homogenization of the electromechanical material parameters of composite piezoelectric modules with integrated electrodes is presented. It is based on a finite element (FE) modeling of the latter's representative volume element (RVE). In contrast to most previously published homogenization approaches that are based on averaged quantities, the presented method uses a direct evaluation of the electromechanical enthalpy. Hence, for the linear orthotropic piezoelectric composite behavior full set of elastic, piezoelectric, and dielectric material parameters, 17 load cases (LC) are used where each load case leads directly to one material parameter. This gives the possibility to elaborate a very strict and easy to program processing. In conjunction with the 17 LC, the enthalpy - based homogenization is particularly suitable for laminated composite piezoelectric modules with integrated electrodes. In this case, the electric load has to be given at the electrodes rather than at the RVE FE model boundaries. The proposed procedure is validated through its comparison to literature available results on a classical 1-3 piezoelectric micro fiber (longitudinally polarized) reinforced composite and a $d_{15}$ shear piezoelectric macro-fiber (transversely polarized) composite module.
Transactions of the Korean Society of Machine Tool Engineers
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v.17
no.2
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pp.110-113
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2008
Embedded capacitor technology is one of the effective packing technologies for further miniaturization and higher performance of electric packaging system. In this paper, the embedded capacitors were simulated and fabricated in 8-layered printed circuit board employing standard PCB processes. The composites of barium titanante($BaTiO_3$) powder and epoxy resin were employed for the dielectric materials in embedded capacitors. Theoretical considerations regarding the embedded capacitors have been paid to understand the frequency dependent impedance behavior. Frequency dependent impedance of simulated and fabricated embedded capacitors was investigated. Fabricated embedded capacitors have lower self resonance frequency values than that of the simulated embedded capacitors due to the increased parasitic inductance values. Frequency dependent capacitances of fabricated embedded capacitors were well matched with those of simulated embedded capacitors from the 100MHz to 10GHz range. Quality factor of 20 was observed and simulated at 2GHz range in the 10 pF embedded capacitors. Temperature dependent capacitance of fabricated embedded capacitors was presented.
The phenomena of high-voltage polarization and conductivity in oriented vinylidenefluoride and tetrafluoroethylene copolymer films have been investigated. It was shown that under certain electric fields, injection of carriers from the material of electrodes appears The barrier for holes injection in the copolymer was found to be lower than that for electrons. It results in more effective screening of the external field near the anode than near cathode. Electrones, ejected from cathode, creating negative charge by trapping on the surface. It is shown that the electrons injected from cathodes create a negative homocharge on the copolymer surface and then become captured on the surface shallow traps. Their nature has been studied by the x-ray photoelectron spectroscopy. It was shown that these traps may consist of chemical defects in the form of new functional groups formed by reactions of surface macromolecules with sputtered atoms of aluminum. The asymmetric shape of hysteresis curves was explained by the difference in mobility of injected holes and electrons. These factors caused appearance of "non-closed" hysteresis curves for fluorine-containing polymer ferroelectrics. Hysteresis phenomena observed at low electric fields (below coercive ones) are to associate with the behavior of the domains localized in the ordered regions formed during secondary crystallization of copolymers.
The effect of V2O5 addition on the low temperature sintering of Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-PZT ceramics, which is known as a prominent material for piezoelectric transformer application was studied, and the densification behavior and piezoelectric characteristics of the samples as a function of heating rate were also examined. V2O5 led the system to liquid phase sintering by forming liquid phase during sintering, which accelerated densification through the particle rearrangement in the early stage of sintering. The liquid phase mostly existed at grain boundaries retarded the evaporation of PbO, while the densification temperature and the weight loss of V2O5-free samples were higher than those of samples with V2O5. Faster heating improved the densification of the samples regardless of V2O5 addition. The low temperature sintering at 100$0^{\circ}C$ was achieved in PMS-PZT ceramics with high density and reasonable dielectric and piezoelectric characteristics. This result revealed optimistic way to the development of multi-layered piezoelectric transformers.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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