한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.428-430
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2009
We fabricated flexible OTFT-backplanes with combining printing technique and conventional photolithography process for the electrophoretic display(EPD). The active area size of backplane was 6" in diagonal direction and consisted of $192{\times}150$ pixels, containing 1 OTFT employed bottom contact structure and 1 capacitance in each pixel.
We demonstrate a novel fabrication technology for the microneedle array that can be used in the medical test field, which is transdermal drug delivery and blood analyte sampling. Previous researchers have used silicon-processed micromachining, a reactive ion etching, and molding techniques for the fabrication of microneedle array. However, these fabrication techniques have somewhat limitations apply to the microneedle array fabrication according to its application. Inclined LIGA process is suggested to overcome these problems. This process provides easier, sharper and longer out-of-plane microneedle array structure than conventional silicon-processed fabrication method did. Additionally, because of the advantage of the LIGA process based on mold fabrication for mass production, the polymer, PMMA(PolyMethylMethAcrylate), based microneedle array is useful as the mold base of nickel electroplating process; on the other hand, silicon-processed microneedle array is used in itself. In this research, we fabricate different types of out-of-plane microneedle array, which have different shape of tip, base and hole structure, using the inclined LIGA process. The fabricated microneedles have proper mechanical strength, height and sharpness to puncture human hand epidermis or dermis with less pain and without needle tip break during penetrating the skin.
In general, organic TFTs are comprised of four components: gate electrode, gate dielectric, organic active semiconductor layer, and source and drain contacts. The TFT current, in turn, is typically determined by channel length and width, carrier field effect mobility, gate dielectric thickness and permittivity, contact resistance, and biasing conditions. More recently, a number of techniques and processes have been introduced to the fabrication of OTFT circuits and displays that aim specifically at reduced fabrication cost. These include microcontact printing for the patterning of metals and dielectrics, the use of photochemically patterned insulating and conducting films, and inkjet printing for the selective deposition of contacts and interconnect pattern. In the fabrication of organic TFTs, microcontact printing has been used to pattern gate electrodes, gate dielectrics, and source and drain contacts with sufficient yield to allow the fabrication of transistors. We were fabricated a pentacene OTFTs on flexible PEN film. Au/Cr was used for the gate electrode, parylene-c was deposited as the gate dielectric, and Au/Cr was chosen for the source and drain contacts; were all deposited by ion-beam sputtering and patterned by microcontact printing and lift-off process. Prior to the deposition of the organic active layer, the gate dielectric surface was treated with octadecyltrichlorosilane(OTS) from the vapor phase. To complete the device, pentacene was deposited by thermal evaporation and patterned using a parylene-c layer. The device was shown that the carrier field effect mobility, the threshold voltage, the subthreshold slope, and the on/off current ratio were improved.
Superconducting quantum phenomena are getting attention from the field of metrology area. Following its first successful application of Josephson effect to voltage standard, piconewton force standard was suggested as a candidate for the next application of superconducting quantum effects in metrology. It is predicted that a micron-sized superconducting Nb ring in a strong magnetic field gradient generates a quantized force of the order of sub-piconewtons. In this work, we studied the design and fabrication of Nb superconducting quantum interference device (SQUID) on an ultra-thin silicon cantilever. The Nb SQUID and electrodes were structured on a silicon-on-insulator (SOI) wafer by dc magnetron sputtering and lift-off lithography. Using the resulting SOI wafer, we fabricated V-shaped and parallel-beam cantilevers, each with a $30-{\mu}m$-wide paddle; the length, width, and thickness of each cantilever arm were typically $440{\mu}m,\;4.5{\mu}m$, and $0.34{\mu}m$, respectively. However, the cantilevers underwent bending, a technical difficulty commonly encountered during the fabrication of electrical circuits on ultra-soft mechanical substrates. In order to circumvent this difficulty, we controlled the Ar pressure during Nb sputtering to minimize the intrinsic stress in the Nb film and studied the effect of residual stress on the resultant device.
본 연구에서는 3D 스캐닝에서 획득한 이미지 정보를 바탕으로 3차원 그래픽 제품설계와 3D 프린팅 기술을 적용한 보조기 제작방법을 제시하였다. 뇌성마비 환자를 대상으로 4가지 종류의 보조기를 기존의 수작업이 아닌 전산화된 작업 기술을 적용하여 제작해봄으로써 방법과 절차에 대한 기준을 마련하고, 이 기술이 임상적으로 사용 가능한지 여부에 대해 확인했다. 보조기 사용 시 환자만족도와 보조기 제작시간, 인장강도 등의 비교를 통하여 정량적, 정성적으로 제작방법의 적용 가능성을 검증한 결과 기존의 열가소성 수지가 표출했던 문제를 보완하고 대체가능한 방법이 될 가능성이 있음을 확인하였다.
In this paper, we have designed and fabricated optical waveguides based on the Mach-Zehnder Interferometer (MZI) for application to sensor. The evanecent-wave sensor based on the MZI principle has sufficiently high sensitivity to measure the change of the refractive index on surface of a waveguide. The waveguides were optimized at a wavelength of 1550 nm and fabricated according to the design rule of 0.45 delta%, which is the difference of refractive index between the core and clad. The fabrication of MZI optical waveguides was performed by a conventional Planar Lightwave Circuit (PLC) fabrication process. The fabricated MZI optical waveguide device was measured. According to the measurement result, the insertion loss of MZI optical waveguide device was below 3.5 dB and the polarization dependent loss (PDL) was within 0.1dB. In addition, we analyzed optical properties of MZI sensor according to the refractive index change of the sensor arm.
A rapid progress of the next-generation non-volatile memory device has been made in recent years. Metal/insulator/Metal multi-layer structure resistive RAM(ReRAM) has attracted a great deal of attention because it has advantages of simple fabrication, low cost, low power consumption, and low operating voltage. This paper describes the working principle of the ReRAM device, a review of fabrication techniques, and characteristics of flexible ReRAM devices using graphene oxide as an insulating layer and ReRAM devices using multi-layered insulator. The switching characteristics of the above ReRAM devices have been compared. The oxidized graphene could be employed as an insulator of next generation ReRAM devices.
High pressure deuterium (HPD) annealing is an advancing technology for the fabrication of modern semiconductor devices. In this work, gate-enclosed FETs are fabricated on a silicon substrate as test vehicles. After a cycle for the HPD annealing, the device parameters such as threshold voltage (VTH), subthreshold swing (SS), on-state current (ION), off-state current (IOFF), and gate leakage (IG) were measured and compared depending on the HPD. The HPD annealing can passivate the dangling bonds at Si-SiO2 interfaces as well as eliminate the bulk trap in SiO2. It can be concluded that adding the HPD annealing as a fabrication process is very effective in improving device reliability, performance, and variability.
Recently, piezoelectric transformer is applied to wide fields. Multi layer piezoelectric transformer has the advantage of high step up ratio, electromechanical coupling coefficient(Kp) and mechanical quality factor(Qm), but is indicated of peeling-phenomenon of electrode, rising sintering temperature made price of costly electrode. So in this study, it discuss on method for fabrication of rosen type piezoelectric transformers. For the fabrication as rosen type piezoelectric transformers, synthesized the powder using 0.01Pb$(ni_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ - 0.08Pb$(Mn_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ - 0.91Pb$(Zr_{0506}Ti_{0496})O_3$ (abbreviated as PNN-PMN-PZT) ceramics. The density, microstructure, dielectric and piezoelectric properties as a function of sintering temperature were investigated. The results indicated that the optimized properties of ceramics were obtained at sintering temperature of 1200$^{\circ}C$, showed the value of $d_{33}$=273pC/N, $K_p$=0.60 $Q_m$=1585, ${\varepsilon}_r$=1454, density=7.917$g/cm^3$ and $tan{\delta}$=0.0064.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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