본 논문은 디바이스 불변 정보를 이용한 사용자 인증 시스템(DCIAS)을 설계 제안한다. 네트워크상의 시스템 접근 시 사용자 인증에 사용될 접근 디바이스 불변정보를 이용한 새로운 패스워드를 설계 정의하고, 다른 응용들에서 획득한 패스워드를 재사용하는 수동적 재전송 공격으로부터 요구되는 보안 위협에 대처할 수 있도록 신 개념 사용자 인증 시스템을 설계 제안한다. 또한 서버 내에 임의의 암호화된 장소에 설계 정의한 패스워드를 저장하여 네트워크를 통한 불법적인 시스템 접근을 무력화시키도록 설계한다. 따라서 제안한 본 시스템을 이용하면 어떠한 네트워크를 통하여 시스템에 접근하더라도 어느 곳에 패스워드가 저장되어 있는지를 알 수 없고, 설상 알았다고 하더라고 저장된 정보가 암호화되어 있어 해독이 쉽지 않아 네트워크상의 어떠한 재전송 공격이라도 무력화할 수 있다는 강력한 보안 특성을 갖는다.
대표적인 D2D (Device-to-Device) 통신 시스템 중 하나인 Qualcomm사의 FlashLinQ 시스템에서는 링크 스케줄링 과정을 낮은 복잡도로 실현할 수 있도록 하기 위해 단일-톤 (single-tone) 신호를 이용한 우선순위 및 SIR (Signal-to-Interference power Ratio) 기반의 링크 스케줄링 기법을 수행한다. 하지만 다중 경로 채널 환경에서는 주파수 선택적 페이딩의 영향으로 단일-톤 위치에서와 실제 데이터가 전송되는 전체 대역에서의 수신 전력 간 오차가 발생할 수 있으며, 이는 공평성 측면에서 문제가 될 뿐만 아니라 셀 전체 전송률 상의 손실을 일으킬 수 있다. 따라서, 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 CAZAC (Constant Amplitude Zero Auto-Correlation) 시퀀스의 상관 특성을 이용해 전체 대역에 대한 SIR 에 가까운 값을 획득할 수 있는 링크 스케줄링 기법을 제안한다. 제안 기법은 전체 대역을 다수의 sub-block 으로 구분하고 각 sub-block 마다 링크의 우선순위에 해당하는 순환 오프셋 (cyclic offset) 을 적용한 CAZAC 시퀀스를 전 대역에 걸쳐 전송하여, 수신 신호와 참조 신호간의 순환 상호 상관 연산 (cyclic cross-correlation)을 통해 전체 대역에 대한 SIR 에 근접한 값을 획득할 수 있다.
자동 급수펌프는 압력스위치에 의해 운전 및 정지를 하게 된다. 따라서 수량 증감에 따른 펌프의 빈번한 운전 및 정지로 인해 지속적인 정격 및 정압 운전이 불가능하다. 또한 빈번한 작동으로 인해 지속적으로 일정한 압력을 얻을 수 없으며, 펌프의 소손과 에너지의 낭비가 심한 단점을 가지고 있다. 본 논문에서는 이러한 단점을 해결하고자 급수밸브, 유량센서, 제어장치로 구성되는 정압 급수장치를 설계 제작하였다. 급수밸브는 유출되는 물의 양과 관계없이 항상 일정한 양의 물을 유입하여 펌프의 부하를 줄이는 역할을 한다. 유량센서는 적외선 다이오드를 사용하여 유출되는 물의 양의 측정하며, 제어장치는 8 비트 마이크로프로세서를 이용하여 설계하였으며, 특별한 제어 알고리듬에 의해 펌프의 운전과 정지를 제어하게 하였다. 본 논문에서 개발한 장치는 토출 압력이 일정하게 유지되고 펌프의 작동 및 정지 동작이 부드럽게 이루어지며, 펌프의 지속적인 정압운전이 가능하므로 기존의 단점을 보완하는 장치로 사료된다.
고혈압은 전 세계의 심혈관 및 뇌혈관 질환의 중요한 사망 원인으로서 지속적인 혈압관리가 필요하다. 본 연구에서는 급성장하고 있는 모바일 헬스케어 환경에서 지속적으로 혈압 관리를 받을 수 있는 생체정보 교환 서비스 모델로서 HL7 FHIR을 선택하였다. 개발한 HL7 FHIR 프레임워크는 매니저(스마트폰)과 에이전트(혈압계) 간에 블루투스 헬스기기 프로파일과 통하여 IEEE 11073-10407 PHD 프로토콜로 통신하여 혈압정보를 획득한다. 테스트 결과 고혈압 환자의 혈압 모니터링, 측정기록관리, 문서 생성, 측정정보전송을 성공적으로 수행하였다. 실제 임상환경에서는 TCP/IP 프로토콜을 통해 측정정보를 전송할 수 있으므로 모바일 헬스케어에서 지속적인 연구와 활성화가 기대된다.
Electrical and optical properties of the AC voltage driven organic light-emitting diodes were investigated by measuring the electroluminescence of the device. Device structure of ITO(170 nm)/TPD(40 nm)/Alq3(60 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(100 nm) was manufactured using a thermal evaporation. Sinusoidal and square-type AC voltage was applied to the device using a function generator. Amplitude of the applied voltage was 9.0 V, and a frequency was varied from 50 Hz to 50 kHz. Electroluminescence out of the device was measured in a Si photodetector simultaneously with the applied voltage together. An intensity and a delayed residual luminescence from the device were depended on the frequency of the sinusoidal voltage. It is thought to be due to a contribution of the capacitive nature in the equivalent circuit of the device. An electron mobility was estimated using a time constant obtained from the luminescence of the device driven by the square-type AC voltage.
대한전자공학회 2004년도 ICEIC The International Conference on Electronics Informations and Communications
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pp.325-329
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2004
Linear size expanders have been studied in many fields for the practical use, which is possibility to connect large numbers of device chips in parallel communication systems. One major limitation on the efficiency of parallel computer designs has been the prohibitively high cost of parallel communication between processors and memories. Linear size expanders can be used to construct theoretically optimal interconnection networks. In current, the defined constructions have large constant factors, thus rendering them impractical for reasonable sized networks. This paper presents an improvement on constructing concentrators using an $(n,\;k,\;2rs/(r^2-s^2))expander,$ which realizes the reduction of the size in a superconcentrator by a constant factor.
본 논문은 halo doping profile을 갖는 나노구조 LDD MOSFET의 문턱전압에 대하여 연구하였다. 소자의 크기는 일반화된 스켈링 이론을 사용하여 100nm 에서 40m까지 스켈링하였다. Van Dort Quantum Correction Model(QM) 모델을 정전계 스켈링 이론과 정전압 스켈링 이론에 적용하여 문턱전압을 조사하였으며, gate oxide 두께의 변화 따른 direct tunneling current를 조사하였다. 결과적으로 게이트 길이가 감소됨에 따라 문턱전압이 정전계 스켈링에서는 감소하고 정전압 스켈링에서는 증가함을 알았고 direct tunneling current는 gate oxide 두께가 감소함에 따라 증가됨을 알았다. 또한 채널 길이의 감소에 따른 MOSFET의 문턱전압에 대한 roll-off특성을 최소화하기 위하여 일반화된 스켈링에서 $\alpha$값은 거의 1 이여야 함을 알았다.
본 논문에서는 halo doping profile을 갖는 나노구조 LDD MOSFET의 문턱전압에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내었다. 소자 크기는 generalized scaling을 사용하여 100nm에서 40nm까지 스케일링하였다. Van Dort Quantum Correction Model(QM)을 사용하여 정전계 스케일링과 정전압 스케일링에 대한 문턱 전압과 각각의 게이트 oxide 두께에 대한 direct tunneling 전류를 조사하였다. 게이트 길이가 감소할 때 정전계 스케일링에서는 문턱전압이 감소하고, 정전압 스케일링에서는 문턱전압이 증가하는 것을 알 수 있었고, 게이트 oxide두께가 감소할 때 direct tunneling 전류는 증가함을 알 수 있었다. 감소하는 채널 길이를 갖는 MOSFET 문턱전압에 대한 roll-off 특성을 최소화하기 위해 generalized scaling에서 $\alpha$값은 1에 가깝게 되는 것을 볼 수 있었다.
The light pattern reflected from a machined surface contains some information like roughness and profile on the projected surface as expected in the Beckmann-Spizzichino model. In applying the theory into a real reliable measuring device, many parameters such as incident light power, wave length, spot size should be kept a constant optical value. However, the reflected light power is likely to change with the environmental noise, the variations of the light source, the reflectivity of the surface, etc. even though the incident light power is constant. In this study, a method for adjusting the incident light power to keep the reflected light power projected on a CMOS image sensor constant was proposed and a simple adjustment algorithm based on PI digital control was examined. Experiments verified that the proposed method made the surface roughness measurement better and more reliable even under variations of the height of light source.
Kim, Kyung Rok;Jeong, Jae Won;Choi, Young-Eun;Kim, Woo-Seok;Chang, Jiwon
Journal of Semiconductor Engineering
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제1권1호
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pp.57-63
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2020
Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology is now facing a power scaling limit to increase integration density. Since 1970s, multi-valued logic (MVL) has been considered as promising alternative to resolve power scaling challenge for increasing information density up to peta-scale level by reducing the system complexity. Over the past several decades, however, a power-scalable and mass-producible MVL technology has been absent so that MVL circuit and system implementation have been delayed. Recently, compact MVL device researches incorporating multiple-switching characteristics in a single device such as 2D heterojunction-based negative-differential resistance (NDR)/transconductance (NDT) devices and quantum-dot/superlattices-based constant intermediate current have been actively performed. Meanwhile, wafer-scale, energy-efficient and variation-tolerant ternary-CMOS (T-CMOS) technology has been demonstrated through commercial foundry. In this review paper, an overview for MVL development history including recent studies will be presented. Then, the status and its future research direction of MVL technology will be discussed focusing on the T-CMOS technology for peta-scale information processing in semiconductor chip.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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