• 한국지구과학회지
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• 제27권6호
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• pp.659-669
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• 2006

광양만에서 호안 건설 후 조간대 퇴적물의 분포 및 변화를 조사하기 위하여 표층 퇴적물의 조직 특성과 퇴적률에 대한 모니터링을 실시하였다. 퇴적물의 평균 입도는 가을에 조립하고 겨울, 봄, 여름으로 갈수록 세립해지며, 여름에는 초기에 일시적으로 조립한 후 세립해지는 계절적 변화를 보였다. 퇴적률은 봄에 퇴적되고 여름과 가을에 주로 침식되어 호안이 건설퇴기 이전인 2001-2003년 동안 관측한 결과와 매우 비슷한 양상을 보였다. 그러나 연평균 퇴적률은 북측 조간대에서는 2001-2003년 동안 관측한 결과와 유사한 경향을 보였으나, 주변에 호안이 건설된 서측 조간대는 퇴적 환경에서 침식 환경으로 변화된 양상을 보였다. 이와 같은 퇴적 환경의 변화는 아마도 호안 건설에 따른 수류의 변형에 기인하는 것으로 판단된다.

• 대한환경공학회지
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• 제22권3호
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• pp.575-585
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• 2000

서울지역의 질량 및 중금속 건식침적량과 대기중 입자의 입경분포를 1998년 7월부터 11월까지 건식침적판, 다단계 관성충돌 채취기(Cascade Impactor) 및 조대업자 채취기(Coarse Particle Sampler)를 사용하여 측정하였다. 인위적 오염원에 기인한 중금속(Cu, Mn, Ni, Pt, Zn)의 건식침적량이 주로 자연적 오염원에 기인한 중금속(Al, Ca)의 건식침적량에 비하여 약 10배에서 100배 정도 낮은 값을 나타내었다. 완전한 총 입자 및 중금속 입자의 입경분포는 입자 입경이 $10{\mu}m$보다 작은 영역에서 두 개의 peak를 보이고 $10{\mu}m$보다 큰 입자 영역에서 또다른 peak을 보이는 삼봉형(trimodal) 입경분포를 보여주었다. Sehmel-Hodgson 모델을 사용하여 건식침적속도를 추정하고 이를 이용하여 총 입자 및 중금속 입자의 건식침적량을 계산하기 위하여 다단계 모델(Multi-step model)을 사용하였다. 이 방법에 의하면, 건식침적량은 입자의 입경이 $10{\mu}m$보다 큰 입자들의 높은 건식침적속도에 의하여 크게 영향을 받고 이로부터 건식침적은 $10{\mu}m$보다 큰 입자들의 침적이 대부분을 차지한다는 것을 보여주었다. 측정된 입자의 입경분포와 추정된 건식침적속도를 이용하여 다단계 모델을 통하여 예측된 건식침적량은 직접 측정된 건식침적량과 비교하였을 때 잘 일치하였다.

• 한국환경보건학회지
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• 제31권5호
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• pp.387-397
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• 2005

In oder to understand the deposition possibility of water-soluble inorganic ions in the atmospheric fine particulates for the human respiratory tract, the mass size distribution of ion species was measured using an Anderson sampler in the Iksan during fall, 2004. Samples were analyzed for major water-soluble ions using Dionex DX-100 ion chromatograph. The size distribution of water-soluble inorganic ions in the atmospheric particulates appeared bimodal distribution, which were divided around $1-2{\mu}m$ into two groups. Mass site distribution of total ion in the coarse mode was found to be almost similar level during the sampling period, but fluctuations of mass size distribution in the fine mode were observed. Considering the mass size distribution of total ion concentrations for the respiratory deposition region, it was found that about 77.1% of total tons could be deposited in the alveolar region, and which dominated the daily variation of total ion concentrations. The concentration of total ions, which could be deposited in both the head region and the tracheobronchial region, was $3.95{\mu}g/m^3$, whereas that in the alveolar rerion was $13.28{\mu}g/m^3$. Dominant ions which could be deposited in the alveolar region were ${NO_3}{^-},\;{SO_4}^{2-}\;and\;{NH_4{^+}$, accounting for about 40%, 27% and 22% of the total ions, respectively. Although $K^+$ was approximately 3% of total ions, it was shown that most of this could be deposited in the alveolar region due to its high fraction of small size distribution originated from anthropogenic source of biomass burning. The presence of these ions in the fine mode may be of public health significance as they are very biologically harmful to health and have a high probability of being deposited in human lung tissue.

• 공업화학
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• 제16권3호
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• pp.337-341
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• 2005

본 논문은 니켈이 담지된 촉매를 이용하여 메탄의 이산화탄소 개질반응에서 발생하는 탄소퇴적의 속도와 반응온도에 따른 카본생성 경로를 연구하였다. 개질 반응이 진행되는 동안 촉매 위에 발생하는 탄소퇴적과 그 속도측정을 위한 반응장치로는 열분석기를 이용하였다. 메탄의 이산화탄소 개질반응에서 반응기체 조성을 달리하여 실험한 결과 코크형성의 반응차수가 1.33($CH_4$)과 -0.52($CO_2$)임을 확인하였다. 또한, 탄소퇴적속도를 이용한 모델식을 근거로 반응온도에 따른 반응속도인자를 계산한 결과 $600^{\circ}C$ 미만에서는 메탄의 분해반응만이 주로 발생하며 $600{\sim}700^{\circ}C$ 사이에서는 메탄의 분해반응과 더불어 이산화탄소 해리반응이 동시에 진행됨을 알았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.211-211
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• 2012

The electrical loss of the photo-generated carriers is dominated by the recombination at the metal- semiconductor interface. In order to enhance the performance of the solar cells, many studies have been performed on the surface treatment with passivation layer like SiN, SiO2, Al2O3, and a-Si:H. In this work, Al2O3 thin films were investigated to reduce recombination at surface. The Al2O3 thin films have two advantages, such as good passivation properties and back surface field (BSF) effect at rear surface. It is usually deposited by atomic layer deposition (ALD) technique. However, ALD process is a very expensive process and it has rather low deposition rate. In this study, the ICP-assisted reactive magnetron sputtering method was used to deposit Al2O3 thin films. For optimization of the properties of the Al2O3 thin film, various fabrication conditions were controlled, such as ICP RF power, substrate bias voltage and deposition temperature, and argon to oxygen ratio. Chemical states and atomic concentration ratio were analyzed by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). In order to investigate the electrical properties, Al/(Al2O3 or SiO2,/Al2O3)/Si (MIS) devices were fabricated and characterized using the C-V measurement technique (HP 4284A). The detailed characteristics of the Al2O3 passivation thin films manufactured by ICP-assisted reactive magnetron sputtering technique will be shown and discussed.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권5호
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• pp.9-15
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• 2000

본 논문에서는 진공 증착법 (Physical Vapor Deposition) 과 전계인가를 통해 두께 3㎛ 의 PVDF (polyvinylidene fluoride) 박막을 제작하여 적외선 흡수분석과 유전특성 및 전기전도 현상을 조사하였다. 진공 증착법으로 제작한 PVDF 박막을 적외선 흡수 분광기 (FT-IR) 로 분석한 결과, 509.45 ［cm/sup -1/］ 와 1273.6 ［cm/sup -1/］의 특성피크가 검출되는 것으로 보아 제작된 PVDF 박막이 β형임을 확인할 수 있었다. β형 PVDF 박막의 유전특성을 측정한 결과, 비유전률은 주파수가 증가함에 따라 지속적으로 감소하는 이상분산을 나타내었고 유전손실은 온도의 증가에 따라 200㎐ 에서 7000㎐ 로 유전 흡수점이 이동함을 관찰할수 있었는데, 이는 디바이 이론과 일치하는 것이었다. 유전손실의 온도 의존성으로부터 구한 활성화 에너지(ΔH) 는 21.64㎉/mo1e 로 조사되었다. β형 PVDF 박막의 누설전류밀도에 대한 온도의존성과 전계의존성을 조사하여 PVDF 박막의 전기전도기구가 이온전도임을 확인할 수 있었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2001년도 추계학술발표회 초록집
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• pp.67-67
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• 2001

The structure zone model has been used to provide an overview of the relationship between the microstructure of the films deposited by PVD and the most prominent deposition condition.s. B.AMovchan and AV.Demchishin have proposed it firstls such model. They concluded that the general features of the resulting structures could be correlated into three zones depending on $T/T_m$. Here T m is the melting point of the coating material and T is the substrate temperature in kelvines. Zone 1 ($T/Tm_) is dominated by tapered macrograins with domed tops, zone 2 ($O.3) by columnar grains with denser boundaries and zone 3 ($T/T_m>O.5$) by equiaxed grains formed by recrystallization. J.AThomton has extended this model to include the effect of the sputtering gas pressure and found a fourth zone termed zone T(transition zone) consisting of a dense array of poorly defined fibrous grains. R.Messier found that the zone I-T boundary (fourth zone of Thorton) varies in a fashion similar to the film bias potential as a function of gas pressure. However, there has not nearly enough model for explaining the change in morphology with crystal orientation of the films. The structure zone model only provide an information about the morphology of the deposited film. In general, the nucleation and growth mechanism for granular and fine structure of the deposited films are very complex in an PVD technique because the morphology and orientation depend not only on the substrate temperature but also on the energy of deposition of the atoms or ions, the kinetic mechanism between metal atoms and argon or nitrogen gas, and even on the presence of impurities. In order to clarify these relationship, AI and Mg thin films were prepared on SPCC steel substrates by PVD techniques. The influence of gas pressures and bias voltages on their crystal orientation and morphology of the prepared films were investigated by SEM and XRD, respectively. And the effect of crystal orientation and morphology of the prepared films on corrosion resistance was estimated by measuring polarization curves in 3% NaCI solution.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.76-79
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• 2000

The 3$\mu\textrm{m}$-thick PVDF (Polyvinyiidene fluoride) thin film have been prepared using physical vapor deposition with electric field, and its FT-IR specrum, dielectric property and electric conduction phenomenon have been investigated. Since the characteristic peaks ate detected at 509.45 and 1273.6〔cm〕 in the FT-IR spectrum, we are confirmed that the ${\beta}$ -phase is dominant in the PVDF thin film. In the results of dielectric properties, the PVDF thin film shows anomalous dispersion, i.e. gradual decrease of dielectric constant with increase of frequency, and also that the dielectric absorption point changes from 200Hz to 7000Hz with increasing temperature of thin film, which is consistent with the Debye's theory. The activation energy (ΔH) obtained from temperature dependence of dielectric loss is 21.64 ㎉/㏖. We confirm that the electric conduction mechanism of PVDF thin film is dominated by ionic conduction by investigating the dependence of the leakage current of the thin film on the temperature and the electric field.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제5권3호
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• pp.122-125
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• 2004

ITO films were deposited on polyethylene terephthalate substrate by a dc reactive magnetron sputtering using rf bias without substrate heater and post-deposition thermal treatment. The dependency of rf substrate bias on plasma sputter processing was investigated to control energetic particles and improve ITO film properties. The substrate was applied negative rf bias voltage from 0 to -80 V. The composition of indium, tin, and oxygen atoms is strongly depended on the rf substrate bias. Oxygen deficiency is the highest at rf bias of -20 V. The electrical and optical properties of ITO films also are dominated obviously by negative rf bias.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.88-92
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• 2010

본 연구에서는 기존의 반도체 공정을 이용하여 bottom gate, top gate구조의 탄소나노튜브 트랜지스터를 제작하였다. 게이트 특성에 따른 특성을 연구하기 위하여 열화학 기상 증착법(CVD)으로 탄소나노튜브를 디바이스에 직접 성장시키고, 탄소나노튜브의 성장 특성 및 I-V동작 특성을 분석하였다. 제작된 탄소나노튜브 FET는 p-type, 즉 hole이 다수 캐리어로 존재하는 트랜지스터이며 구동전압에 따라 conductance 변화하는 특성을 보였다.