• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제21권1호
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• pp.51-58
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• 1996

2년간의 온실실험을 통하여 벼, 콩, 배추, 무의 생육초기와 생육후기에 $^{54}Mn,\;^{60}Co,\;^{85}Sr,\;^{137}Cs$의 혼합용액을 산성 양질사토로 상층부를 채운 재배상자내 담수 또는 토양의 표면에 가하고 작물수확 직후에 지하 $15{\sim}20cm$까지 토양길이에 따른 방사성 핵종의 농도분포를 조사하였다. 방사성 핵종의 농도는 토양깊이에 따라 지수함수적으로 감소하는 경향으로 처리한 방사능의 80%이상이 지하 $3{\sim}4cm$ 이내 에 분포하였다. 핵종간 지하로의 이동성은 대체로 $^{85}Sr>^{54}Mn>^{60}Co{\geq}^{137}Cs$의 순이었다. 재배작물간에 이동 정도는 벼 재배토양에서 가장 높았고 N, P, K의 시비량이 가장 적었던 콩 재배토양에서 가장 낮았다. 두 처리시기간 지하분포 양상의 차이는 침적후 시간경과에 따라 단위시간당 지하 1cm 밑으로 이동하는 방사능량이 감소한다는 것을 나타내었다. 작물의 생육 초기에 방사성 핵종을 가한 후 실시된 염화칼리와 석회의 동시첨가로 핵종의 지하이동은 밭작물에서는 변화가 없거나 다소 억제되었으나 벼에서는 약간 촉진되었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제21권3호
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• pp.67-71
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• 2014

본 연구에서는 Si(111) 기판을 이용하여 고품질의 GaN 박막을 성장하기 위하여 다양한 패턴을 갖는 Si 기판을 제작하였다. Si(111) 기판위에 이온 스퍼터(ion-sputter)를 이용하여 Pt 박막을 증착한 후 열처리(thermal annealing)하여 Pt 금속 마스크를 형성하고 유도 결합 플라즈마 이온 식각(inductively coupled plasma-reactive ion etching, ICP-RIE) 공정을 통하여 기둥(pillar)형태의 나노 패턴된 Si(111) 기판을 제작하였고 리소그래피 공정을 통하여 마이크로 패턴된 Si(111) 기판을 제작하였다. 일반적인 Si(111) 기판, 마이크로 패턴된 Si(111) 기판 및 나노 패턴된 Si(111) 기판위에 유기화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 방법으로 GaN 박막을 성장하여 표면 특성과 결정성 및 광학적 특성을 분석하였다. 나노 패턴된 Si(111) 기판위에 성장한 GaN 박막은 일반적인Si(111) 기판과 마이크로 패턴된 Si(111) 기판위에 성장한 GaN 박막보다 표면의 균열과 거칠기가 개선되었다. 나노 패턴된 Si(111) 기판위에 성장한 GaN (002)면과 (102)면에 x-선 회절(x-ray diffraction, XRD) 피크의 반폭치(full width at half maximum, FWHM)는 576 arcsec, 828 arcsec으로 다른 두 기판위에 성장한 GaN 박막 보다 가장 낮은 값을 보여 결정성이 향상되었음을 확인하였다. Photoluminescence(PL)의 반폭치는 나노 패턴된 Si(111) 기판위에 성장한 GaN 박막이 46.5 meV으로 다른 기판위에 성장한 GaN 박막과 비교하여 광학적 특성이 향상되었음을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권3호
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• pp.424-430
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• 1998

MONOS(metal-oxide-nitride-oxide-semicondutor) EEPROM에 응용하기 위한 얇은 ONO 유전층의 막 특성을 AES, SIMS, TEM 및 AFM을 이용하여 조사하였다. 터널링 산화막, 질화막, 블로킹 산화막의 두께를 각각 달리하여 ONO 박막을 제작하였다. 터널링 산화막 위에 LPCVD방법으로 질화막을 증착하는 동안 얇은 터널링 산화막이 질화되었으며, 질화막 위에 블로킹 산화막을 형성할 때, 산소가 질화막 표면을 산화시킬 뿐만 아니라 질화막을 지나 확산되었다. ONO 박막은 $SiO_2$(블로킹 산화막)/O-rich SiOxNy(계면)/N-rich iOxNy(질화막)/O-rich SiOxNy(터널링 산화막)으로 이루어졌다. SiON상은 주로 터널링 산화막과 질화막, 질화막과 블로킹 산화막 계면에 분포하였으며, $Si_2NO$상은 각 계면의 질화막 쪽과 터널링 산화막 내에 분포하였다.

• Toxicological Research
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• 제26권3호
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• pp.193-201
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• 2010

Hepatic fibrosis represents the main complication of most chronic liver disorders and, regardless of its etiology, is characterized by excessive deposition of extracellular matrix components. In this study, we examined that 1-O-Hexyl-2,3,5-Trimethylhydroquinone (HTHQ), a potent anti-oxidative agent, could prevent experimental hepatic fibrosis induced by dimethylnitrosamine (DMN) in male SD rats. Except for vehicle control group, other groups were induced hepatic fibrosis by intraperitoneal injection with DMN (10 mg/ml/kg) on 3 consecutive days weekly for 4 weeks. During the same 4 weeks, control and DMN groups were given vehicle and HTHQ 50, 100 and 200 groups were orally administered HTHQ (50, 100, 200 mg/kg respectively). In HTHQ 100 and 200 groups, relative liver weight and serum chemistry level improved significantly. HTHQ reduced hydroxyproline (p < 0.05) and malondialdehyde (p < 0.05) level in the liver. Histopathological examination of H&E, Masson's trichrome stain showed the reduced fibrotic septa in HTHQ 100 and 200 groups. HTHQ administration showed reduced mRNA level of PDGF (Platelet-derived growth factor), $\alpha$-SMA ($\alpha$-smooth muscle actin) and TGF-$\beta$ (transforming growth factor-$\beta$) than DMN-induced hepetic fibrosis animals in the liver tissue. In this study, we showed that HTHQ improves against DMN-induced liver fibrosis in male SD rats.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권7호
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• pp.85-94
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• 1994

A high-resolution transmission electron microscopy study of the solid phase crystallization of the amorphous silicon thin films, deposited on SiOS12T at 52$0^{\circ}C$ by low pressure chemical vapor deposition and annealed at 55$0^{\circ}C$ in a dry N$_{2}$ ambient was carried out so that the arrangement of atoms in the crystalline silicon and at the amorphous/crystalline interface of the growing grains could be understood on an atomic level. Results show that circular crystalline silicon nuclei have formed and then the grains grow to an elliptical or dendritic shape. In the interior of all the grains many twins whose{111} coherent boundaries are parallel to the long axes of the grains are observed. From this result, it is concluded that the twins enhance the preferential grain growth in the <112> direction along {111} twin planes. In addition to the twins. many defect such as intrinsic stacking faults, extrinsic stacking faults, and Shockley partial dislocations, which can be formed by the errors in the stacking sequence or by the dissociation of the perfect dislocation are found in the silicon grain. But neither frank partial dislocations which can be formed by the condensation of excess silicon atoms or vacancies and can form stacking fault nor perfect dislocations which can be formed by the plastic deformation are observed. So it is concluded that most defects in the silicon grain are formed by the errors in the stacking sequence during the crystallization process of the amorphous silicon thin films.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.246-246
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• 2010

As the trench width in the interconnect technology decreases down to nano-scale below 50 nm, superconformal gap-filling process of Cu becomes very critical for Cu interconnect. Obtaining superconfomral gap-filling of Cu in the nano-scale trench or via hole using MOCVD is essential to control nucleation and growth of Cu. Therefore, nucleation of Cu must be suppressed near the entrance surface of the trench while Cu layer nucleates and grows at the bottom of the trench. In this study, suppression of Cu nucleation was achieved by treating the Ru barrier metal surface with capacitively coupled hydrogen plasma. Effect of hydrogen plasma pretreatment on Cu nucleation was investigated during MOCVD on atomic-layer deposited (ALD)-Ru barrier surface. It was found that the nucleation and growth of Cu was affected by hydrogen plasma treatment condition. In particular, as the plasma pretreatment time and electrode power increased, Cu nucleation was inhibited. Experimental data suggests that hydrogen atoms from the plasma was implanted onto the Ru surface, which resulted in suppression of Cu nucleation owing to prevention of adsorption of Cu precursor molecules. Due to the hydrogen plasma treatment of the trench on Ru barrier surface, the suppression of Cu nucleation near the entrance of the trenches was achieved and then led to the superconformal gap filling of the nano-scale trenches. In the case for without hydrogen plasma treatments, however, over-grown Cu covered the whole entrance of nano-scale trenches. Detailed mechanism of nucleation suppression and resulting in nano-scale superconformal gap-filling of Cu will be discussed in detail.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제50권1호
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• pp.162-166
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• 2012

본 연구에서는 전해증착법과 열처리를 통하여 ITO 투명전극 위에 고밀도의 ZnO 막대구조를 형성하는 방법을 조사하였다. 증착과정에서 $Zn(OH)_2$와 ZnO가 함께 형성되는 것을 고려할 때 전기화학적 ZnO 증착효율은 33% 이하를 나타내었다. $500^{\circ}C$ 열처리 후 ZnO는 (002)를 선택적으로 갖는 결정구조를 형성하며, 나노막대 구조의 성장속도는 0.986 ${\mu}m/hr$로 측정되었다. 그리고 전기화학적으로 제조한 ZnO 막대를 염료감응 태양전지의 전극으로 사용시 측정된 전지효율은 0.21%로서 태양전지용 전극으로서의 가능성을 확인하였다.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.5-8
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• 2007

All three buffer layers of $Y_2O_3$, YSZ, and $CeO_2$ have been deposited on the biaxially textured metal substrates using rf-sputtering method, The first 50-70nm thick $Y_2O_3$ films were grown epitaxially on biaxially textured metal substrates as a seed layer and followed by the diffusion barrier ${\sim}100nm$ thick YSZ and subsequent capping layer ${\sim}200nm$ thick $CeO_2$ deposited epitaxially on top of $Y_2O_3$ seed layer. The epitaxial orientation of all three layers were all (100) grown with rocking curve Full Width at Half Maximum(FWHM) of $4-5^{\circ}$ and in plane phi-scan FWHM of $6-8^{\circ}$ using X -ray diffraction analysis. The NiO phases formed during the $Y_2O_3$ seed layer deposition seem to degrade the crystallinity and roughen the surface morphology of the following layer observed by AFM(Atomic Force Microscopy). The buffered tapes were used as substrates for long length YBCO coated conductors with high critical current density $J_c$. The five multi-turn of metal tapes was employed to increase the thickness of films and production rate to compensate the low growth rate of rf-sputtering method.

• 한국어류학회지
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• 제13권1호
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• pp.6-18
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• 2001

흰베도라치, Pholis fangi의 초기 생활사를 밝히기 위해 한국 서해의 대천 연안에서 1988년 3월에서 6월 사이와 1989년 2월에 흰베도라치 치어를 채집하였다. 성장에 따라 외부형태 변화와 이석을 관찰, 측정함으로써 출현양상과 산란시기 및 초기성장 등을 조사하였다. 또한, 1998년 5월부터 1999년 11월 사이에 매월 대천 해역에서 채집된 흰베도라치의 생식소 관찰로 산란기를 추정하였다. 2월에는 흰베도라치 치어가 천수만 안팎에서 넓게 분포하였다. 3월에서 4월 사이에 만 안쪽에서 주로 출현하였고, 5월에는 만밖에서 주로 나타났으며, 6월 이후에는 본 연구 해역에서는 채집이 되지 않았다. 이석은 초기에 둥근 모양에서 체장이 30~40 mm 정도 성장하면 타원형으로 변하며, 일륜으로 볼 수 있는 미세 성장선이 나타났다. 또한, 핵으로부터 30개의 미세성장선 이후에 깊게 파인 불연속선이 나타나는데, 체장 10 mm 이하의 자어 형태에서는 성장 정지선이 나타나지 않았다. 이 불연속선은 연안측으로 회유하는 동안에 신진대사의 변화에 따라 형성된 것으로 판단된다. 흰베도라치의 초기성장은 다음과 같은 Gomertz식 TL = 6.702 exp {2.925 "1-exp (-0.0076 t)"} ($r^2=0.94$, N = 92)에 의해 추산되었다. 흰베도라치 이석에 처음으로 미세 성장선이 형성된 시기는 12월에서 1월 사이로 보여지며, 흰베도라치 성어의 생식소는 10월부터 성숙하기 시작하며 11월에서 12월 사이에 주로 산란하고 1월에는 산란을 마치는 것으로 나타남으로써 흰베도라치의 부화시간은 한 달 정도인 것으로 판단된다.

• 한국재료학회지
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• 제10권3호
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• pp.212-217
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• 2000

일반적으로 TFT(thin film transistor)의 유전체막으로 실리콘 질화막($Si_3$$N_4$)이나 실리콘 산화막(SiO$_2$)을 $200-300^{\circ}C$의 온도에서 증착을 하게 되는데 본 연구에서는 비정질 실리콘과 유전체막 사이의 계면 특성 특히 계면의 거칠기를 향상시키기 위해서 기존의 증착법이 아니라 비정질 실리콘(a-Si:H)과 산소 ECR 플라즈마의 반응에 의한 산화 막의 성장법을 시도했는데, 이때 기판은 의도적으로 가열하지 않았으며 특히 본 연구에서는 기존의 시도와는 달리 ECR 플라즈마를 형성할 때 마이크로파 전력에 pulse를 가하는 방법을 최초로 시도했고, 계면에 불순물의 혼입을 최대한으로 줄이기 위해서 진공을 파괴하지 않은 상태로 산화막을 연속적으로 성장시키는 방법을 이용했다. Pulse를 가했을 경우에는 pulse를 가하지 않은 경우에 비해서 화학양론적 측면, 유전상수, 산화막의 표면 평탄도 등에서 우수한 산화막이 성장했으며, 특히 비정질 실리콘과 유전체막 사이의 계면 특성을 반영하는 산화막의 표면 평탄도가 1/3정도로 획기적으로 줄어들었다.