A unified picture for magnetism, superconductivity, quantum optics and other properties of molecule-based materials has been presented on the basis of effective model Hamiltonians, where necessary parameter values have been determined by the first principle calculations of cluster models and/or band models. These properties of the matetials are qualitatively discussed on the basis of the spin and pseudo-spin Hamiltonian models, where several quantum operators are expressed by spin variables under the two level approximation. As an example, ab initio broken-symmetry DFT calculations are performed for cyclic magnetic ring constructed of 34 hydrogen atoms in order to obtain effective exchange integrals in the spin Hamiltonian model. The natural orbital analysis of the DFT solution was performed to obtain symmetry-adapted molecular orbitals and their occupation numbers. Several chemical indices such as information entropy and unpaired electron density were calculated on the basis of the occupation numbers to elucidate the spin and pair correlations, and bonding characteristic (kinetic correlation) of this mesoscopic magnetic ring. Both classical and quantum effects for spin alignments and singlet spin-pair formations are discussed on the basis of the true spin Hamiltonian model in detail. Quantum effects are also discussed in the case of superconductivity, atom optics and quantum optics based on the pseudo spin Hamiltonian models. The coherent and squeezed states of spins, atoms and quantum field are discussed to obtain a unified picture for correlation, coherence and decoherence in future materials. Implications of theoretical results are examined in relation to recent experiments on molecule-based materials and molecular design of future molecular soft materials in the intersection area between molecular and biomolecular materials.
Necessity and purpose of this study: In a large number of countries it has been founded that children′s domestic accidents are at great risk year by year In the United States, they publish detailed accident statistics at regular intervals. In Korea. there have been just a few studies on Accidents-At-Home of preschool children. But it can not be said that there have been any systematic statistics about this area. and any study accounting for the relations of home accidents and preschool: children in detail, Therefore, the purpose of this thesis was focused on the inquire of these relations so as to make a little contribution to Korean preschool children′s health and security measures. So, the detail-purposes are to study following questions and to testify following hypothesis. Prob. 1. What the types of accidents of Preschool children, where the place accidents occurred\ulcorner Prob. 2. What the cause of accidents and, the main factors of the cause\ulcorner Prob. 3. How about the number of their children. the disparity of age among their children and mother′s age in each case of accidents\ulcorner hypothesis 1. There will be differences in the density of protection of parents according to the number of their children. hypothesis 2, There will be differences in accident-types and first-aid methods according to parents socio-economic background. Method; This study employed the interviewing survey method, in which 130 preschool children ware random.sampled, who visit hospital to have medical care. These children (from 1 to 6 years olds) were selected at the emergency room of five hospitals in Seoul (Hosp: Severance, Woosok, Medical Center, Hanyang Medical College Hospital and Seoul Medical Col1age Hospital during study-period (from Aug. to Oct, 1973). Four head nurses in above Hospitals were employed as accident members for this study. Concerning research analysis, the method of hypothesis verifying is used. Conclusion: As two American experts on this subject. Dr, Raymond Neuter and Mr. Ross Mc Garland have drawn attention to "minor epidemics of accidents" that could be avoided by fairly simple measures. preschool children′s accidents could be avoided by parents fair attentions. In other words, one of the most common causes of preschool children′s accidents derived from their parent′s inattention. Therefore, one important task on this subject is to instruct the parents fairly about the children′s accidents. Many accidents could be avoided by the exorcist of a little self-discipline. Also, as much the prevention of accidents is important, as the first-aid Is Important and necessary at the case of the accidents. So, the methods of proper first-aid treatment must be emphasized, and must be taught in school, especially in girls school. And there could be other means available for prevention of accidents. Firstly, the public authorities can take legal measures. More stringent safety standards can be made enforceable by law. Building materials and equipment for domestic us: ought to meat minimum safety criteria at all times. Next the public itself has to understand the seriousness of the problem, and here the dissemination of information is of great importance. All mass media should be brought into play to promote greater public awareness of the question. At last, it will be needed to obtain more detailed epidemiological data through additional surveys and statistics after this study.
Kim, Do-Kywn;Sindhuri, V.;Kim, Dong-Seok;Jo, Young-Woo;Kang, Hee-Sung;Jang, Young-In;Kang, In Man;Bae, Youngho;Hahm, Sung-Ho;Lee, Jung-Hee
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제14권5호
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pp.601-608
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2014
In this paper, we have characterized the electrical properties related to gate leakage current in AlGaN/GaN MISHFETs with varying the thickness (0 to 10 nm) of $Al_2O_3$ gate insulator which also serves as a surface protection layer during high-temperature RTP. The sheet resistance of the unprotected TLM pattern after RTP was rapidly increased to $1323{\Omega}/{\square}$ from the value of $400{\Omega}/{\square}$ of the as-grown sample due to thermal damage during high temperature RTP. On the other hand, the sheet resistances of the TLM pattern protected with thin $Al_2O_3$ layer (when its thickness is larger than 5 nm) were slightly decreased after high-temperature RTP since the deposited $Al_2O_3$ layer effectively neutralizes the acceptor-like states on the surface of AlGaN layer which in turn increases the 2DEG density. AlGaN/GaN MISHFET with 8 nm-thick $Al_2O_3$ gate insulator exhibited extremely low gate leakage current of $10^{-9}A/mm$, which led to superior device performances such as a very low subthreshold swing (SS) of 80 mV/dec and high $I_{on}/I_{off}$ ratio of ${\sim}10^{10}$. The PF emission and FN tunneling models were used to characterize the gate leakage currents of the devices. The device with 5 nm-thick $Al_2O_3$ layer exhibited both PF emission and FN tunneling at relatively lower gate voltages compared to that with 8 nm-thick $Al_2O_3$ layer due to thinner $Al_2O_3$ layer, as expected. The device with 10 nm-thick $Al_2O_3$ layer, however, showed very high gate leakage current of $5.5{\times}10^{-4}A/mm$ due to poly-crystallization of the $Al_2O_3$ layer during the high-temperature RTP, which led to very poor performances.
The development of dry etching process for sapphire wafer with plasma has been key issues for the opto-electric devices. The challenges are increasing control and obtaining low plasma induced-damage because an unwanted scattering of radiation is caused by the spatial disorder of pattern and variation of surface roughness. The plasma-induced damages during plasma etching process can be classified as impurity contamination of residual etch products or bonding disruption in lattice due to charged particle bombardment. Therefor, fine pattern technology with low damaged etching process and high etch rate are urgently needed. Until now, there are a lot of reports on the etching of sapphire wafer with using $Cl_2$/Ar, $BCl_3$/Ar, HBr/Ar and so on [1]. However, the etch behavior of sapphire wafer have investigated with variation of only one parameter while other parameters are fixed. In this study, we investigated the effect of pressure and other parameters on the etch rate and the selectivity. We selected $BCl_3$ as an etch ant because $BCl_3$ plasmas are widely used in etching process of oxide materials. In plasma, the $BCl_3$ molecule can be dissociated into B radical, $B^+$ ion, Cl radical and $Cl^+$ ion. However, the $BCl_3$ molecule can be dissociated into B radical or $B^+$ ion easier than Cl radical or $Cl^+$ ion. First, we evaluated the etch behaviors of sapphire wafer in $BCl_3$/additive gases (Ar, $N_2,Cl_2$) gases. The behavior of etch rate of sapphire substrate was monitored as a function of additive gas ratio to $BCl_3$ based plasma, total flow rate, r.f. power, d.c. bias under different pressures of 5 mTorr, 10 mTorr, 20 mTorr and 30 mTorr. The etch rates of sapphire wafer, $SiO_2$ and PR were measured with using alpha step surface profiler. In order to understand the changes of radicals, volume density of Cl, B radical and BCl molecule were investigated with optical emission spectroscopy (OES). The chemical states of $Al_2O_3$ thin films were studied with energy dispersive X-ray (EDX) and depth profile anlysis of auger electron spectroscopy (AES). The enhancement of sapphire substrate can be explained by the reactive ion etching mechanism with the competition of the formation of volatile $AlCl_3$, $Al_2Cl_6$ or $BOCl_3$ and the sputter effect by energetic ions.
Purpose: The purpose of this study was to compare the phototoxic effects of blue light exposure on periodontal pathogens in both planktonic and biofilm cultures. Methods: Strains of Aggregatibacter actinomycetemcomitans, Fusobacterium nucleatum, and Porphyromonas gingivalis, in planktonic or biofilm states, were exposed to visible light at wavelengths of 400.520 nm. A quartz-tungsten-halogen lamp at a power density of $500mW/cm^2$ was used for the light source. Each sample was exposed to 15, 30, 60, 90, or 120 seconds of each bacterial strain in the planktonic or biofilm state. Confocal scanning laser microscopy (CSLM) was used to observe the distribution of live/dead bacterial cells in biofilms. After light exposure, the bacterial killing rates were calculated from colony forming unit (CFU) counts. Results: CLSM images that were obtained from biofilms showed a mixture of dead and live bacterial cells extending to a depth of $30-45{\mu}m$. Obvious differences in the live-to-dead bacterial cell ratio were found in P. gingivalis biofilm according to light exposure time. In the planktonic state, almost all bacteria were killed with 60 seconds of light exposure to F. nucleatum (99.1%) and with 15 seconds to P. gingivalis (100%). In the biofilm state, however, only the CFU of P. gingivalis demonstrated a decreasing tendency with increasing light exposure time, and there was a lower efficacy of phototoxicity to P. gingivalis as biofilm than in the planktonic state. Conclusions: Blue light exposure using a dental halogen curing unit is effective in reducing periodontal pathogens in the planktonic state. It is recommended that an adjunctive exogenous photosensitizer be used and that pathogens be exposed to visible light for clinical antimicrobial periodontal therapy.
일반적으로 과수원에서는 배의 생육기 동안 제초방법에 따라 연간 2~4회정도 제초하게 된다. 현재까지 개발된 잡초방제 방법 중 제초제 사용이 가장 생력적이고, 효과적이며 경제적인 것이 사실이나 장기적인 측면에서 생태적 및 생물적 잡초방제를 할 필요가 있다고 하여 배 과원에 비선택성 제초제 GLU 540 g a.i. $ha^{-1}$를 매년 2회, 3회 처리, 부직포, 기계 예취 등의 방법으로 처리하여 최적의 잡초방제방법을 구명하고 방제방법이 과수에 미치는 영향을 조사하였다. 배 과원에서는 주름잎, 쑥, 갈퀴덩쿨, 쇠뜨기, 뚝새풀 등이 생육기 중 우점하였다. 처리방법에 따른 방제효과는 생육초기 1번 부직포 피복처리가 시기와 상관없이 방제효과가 100%로 가장 높았으며 GLU 540 g a.i. $ha^{-1}$ 3회 처리, GLU 540 g a.i. $ha^{-1}$ 2회 처리, 기계 예취 순으로 잡초방제가가 높았다. 수관 하부 제초방법에 따른 수체 생육은 GLU 540 g a.i. $ha^{-1}$ 2회, 3회 살포한 처리에서 간주비대량과 신초의 생장량이 높고, 신초의 발생개수가 많았으며 부직포 피복, 기계 예취, 무처리와 유의한 차이가 인정되었다. GLU 540 g a.i. $ha^{-1}$를 3회 처리하여 시기별 방제효과를 비교하였을 때 6월보다 8월에서 방제효과가 증대되었다. 잡초방제 방법차이 및 제초제 2회 처리와 3회 처리 간의 차이는 없었다. 시험기간 동안 제초제 처리에 따른 배나무에 약해 증상은 나타나지 않았다.
In the $(La_{0.8}Ca_{0.2})(Cr_{0.9}Co_{0.1})O_3$ (LCCC), which has been using as interconnector materials in SOFC, Al ions were substituted for Co because ionic radius of Al is similar to that of Co. Because of the almost identical ionic radius of Al and Co, the substitution was not thought to be affect the tolerance factor of LCCC, and the densification behavior, high temperature electrical conductivity and thermal expansion coefficient were examined as a function of Al concentration. In the cases of the x= 0 and x= 0.02 in $(La_{0.8}Ca_{0.2})(Cr_{0.9}Co_{0.1-x}Al_x)O_3$ (x= 0~0.1), the samples showed the relative densities above ${\geq}95%$ when those were sintered at ${\geq}1,350^{\circ}C$. In the case of the $x{\geq}0.06$ the sintered density deteriorated greatly at lower sintering temperatures. High temperature electrical conductivity of the samples decreased as the content of Al increased. Since the valence state of Al ion is unchangeable, while Cr or Co ions contribute to the electrical conduction by changing those valence states, Al substitution resulted in the decreased electrical conductivity. Al doping of LCCC was an effective way of decreasing the thermal expansion coefficient (TEC).
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $ZnAl_2Se_4$ single-crystal thin films was prepared in a horizontal electric furnace. These $ZnAl_2Se_4$ polycrystals had a defect chalcopyrite structure, and its lattice constants were $a_0=5.5563{\AA}$ and $c_0=10.8897{\AA}$.To obtain a single-crystal thin film, mixed $ZnAl_2Se_4$ crystal was deposited on the thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by a hot wall epitaxy (HWE) system. The source and the substrate temperatures were $620^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single-crystal thin film was investigated by using a double crystal X-ray rocking curve and X-ray diffraction ${\omega}-2{\theta}$ scans. The carrier density and mobility of the $ZnAl_2Se_4$ single-crystal thin film were $8.23{\times}10^{16}cm^{-3}$ and $287m^2/vs$ at 293 K, respectively. To identify the band gap energy, the optical absorption spectra of the $ZnAl_2Se_4$ single-crystal thin film was investigated in the temperature region of 10-293 K. The temperature dependence of the direct optical energy gap is well presented by Varshni's relation: $E_g(T)=E_g(0)-({\alpha}T^2/T+{\beta})$. The constants of Varshni's equation had the values of $E_g(0)=3.5269eV$, ${\alpha}=2.03{\times}10^{-3}eV/K$ and ${\beta}=501.9K$ for the $ZnAl_2Se_4$ single-crystal thin film. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $ZnAl_2Se_4$ were estimated to be 109.5 meV and 124.6 meV, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_5$ states of the valence band of the $ZnAl_2Se_4/GaAs$ epilayer. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_1$-, $B_1$-exciton for n = 1 and $C_{21}$-exciton peaks for n = 21.
The purpose of this study is to suggest the ecological management based on ecological characteristics of urban forest in Bucheon city. The actual vegetation area in the survey sites(7,426,587$m^2$) consisted of Robinuia pseudoacacia forest(61.6%; 5,574,168 $m^2$), Pinus rigida forest(6.1%), Quercus mongolica community(3.2%), Q.spp.community(2.9%), etc. According to the importance value of artificial planting forest, 58(/300$m^2$) survey plots were divided into 6 groups; 1) R. pseudoacacia forest, 2) R. pseudoacacia-Q.serrata community, 3) R. pseudoacacia-Q.mongolica community, 4) P.rigide forest, 5) P.rigida-Q.serrata community, 6) P.rigida-Q. mongolica community. As the result, the artificial planting forest was expected to the proceeded to Q. serrata community and Q.mongolica community. The ecological succesion stage in the survey sites (7,426,587$m^2$) was divided into 5 states based on actual vegetation, succession trend of artificial planting forest in Bucheon; 1) Stage of impossible succession(4.7%, 2)Stage of inducible succession(78.7%), 3) Stage of progressive succession(2.7%), 4)Sage of last succession(1.4%), 5)Stage of native plant forest(12.5%). The ecological management of urban forest was suggested as the management method for succession promotion, according to density controlling and native species planting in Bucheon. Individual numbers of R. pseudoacacia might be reduced to 6~8 individuals/300$m^2$ at canopy, 9~21 individuals/300$m^2$ at under-story by selective cutting in order to keep 63~70% of total basal area at R. pseudoacacia forest. Individual numbers of P.rigida might be reduced to 8~9 individuals/300$m^2$ at canopy, 27~30individuals/300$m^2$ at under-story by selective cutting in order to keep 68~75% of total basal area at P. rigida forest. 24 species that were selective by constancy analysis were chosen as the ecological appropriate species. Since, this studyis discussing the ares of urban forest and botanical ecology, it is suggested that a study on the relations between of environmental factors such as soil, climate, and vegetation will be performed in the future.
본 연구에서는 인지적 갈등 유발을 통한 개념 변화 수업과 사회적 합의를 강조한 개념 변화 수업의 효과를 조사하였다. 서울시에 소재한 남자 중학교 1학년 학생 109명을 대상으로 상태 변화, 밀도, 용해 등에 대하여 8차시에 걸쳐 수업을 실시하였으며, 예비 검사를 통하여 학생들에게 제시할 가설들을 구성하였다. 사전 검사로 토론에 대한 인식, 과학 수업에 대한 태도, 수업 참여도에 대한 인식을 조사한 후, 학급별로 전통적 수업, 인지적 갈등 유발을 통한 개념 변화 수업, 주어진 가설에 기초한 토론 과정에서의 사회적 합의를 강조한 개념 변화 수업을 각각 실시하였다. 수업 처치 후, 학업 성취도, 개념 이해도, 토론에 대한 인식, 과학 수업에 대한 태도, 수업 참여도에 대한 인식을 조사하였다. 공변량 분석 결과, 통제 집단에 비하여 처치 집단들의 학업 성취도가 유의미하게 높았다. 개념 이해도에서는 사회적 합의를 강조한 개념 변화 수업 집단의 점수가 가장 높았으나, 통계적으로 유의미한 차이는 없었다. 토론에 대한 인식은 사회적 합의를 강조한 개념 변화 수업 집단이 통제 집단에 비해 유의미하게 긍정적이었으나, 과학 수업에 대한 태도와 수업 참여도에 대한 인식에서는 세 집단 사이에 유의미한 차이가 나타나지 않았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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