Takeyasua, K.;Fukadaa, K.;Oguraa, S.;Matsumotob, M.;Fukutania, K.
Applied Science and Convergence Technology
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v.23
no.5
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pp.201-210
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2014
The influence of electron irradiation and hydrogen adsorption on the electronic structure of the $SrTiO_3$ (001) surface was investigated by ultraviolet photoemission spectroscopy (UPS). Upon electron irradiation of the surface, UPS revealed an electronic state within the band gap (in-gap state: IGS) with the surface kept at $1{\times}1$. This is considered to originate from oxygen vacancies at the topmost surface formed by electron-stimulated desorption of oxygen. Electron irradiation also caused a downward shift of the valence band maximum indicating downward band-bending and formation of a conductive layer on the surface. With oxygen dosage on the electron-irradiated surface, on the other hand, the IGS intensity was decreased along with upward band-bending, which points to disappearance of the conductive layer. The results indicate that electron irradiation and oxygen dosage allow us to control the surface electronic structure between semiconducting (nearly-vacancy free: NVF) and metallic (oxygen de cient: OD) regimes by changing the density of the oxygen vacancy. When the NVF surface was exposed to atomic hydrogen, in-gap states were induced along with downward band bending. The hydrogen saturation coverage was evaluated to be $3.1{\pm}0.8{\times}10^{14}cm^{-2}$ with nuclear reaction analysis. From the IGS intensity and H coverage, we argue that H is positively charged as $H^{{\sim}0:3+}$ on the NVF surface. On the OD surface, on the other hand, the IGS intensity due to oxygen vacancies was found to decrease to half the initial value with molecular hydrogen dosage. H is expected to be negatively charged as $H^-$ on the OD surface by occupying the oxygen vacancy site.
Moon, Byeong Ryeol;Jeon, Hyeon-Jin;Jeon, Sook Lye;Lee, Jae Sun;Shin, Ji Eun;Ahn, Ji Hye;Yang, Yong Woon;Hyun, Moon Sik;Kim, Mia
Journal of Environmental Science International
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v.24
no.9
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pp.1101-1121
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2015
The seasonal variation of phytoplankton communities and its standing crops in accordance with environmental factors were investigated at Yeongrang-ho, Cheongcho-ho, Mae-ho and Hyang-ho which are located in the East coast of Korea during April to October 2011. High concentrations of T-N and T-P were observed in four lagoons due to the inflowing nutrients from farmlands and residential areas near lagoons. Nutrient salts mainly composed of nitrogen and phosphate caused the eutrophication of the lakes, leading to the robust growth of phytoplankton. During the period of investigation, 64 to 107 taxa of phytoplankton were observed in four lagoons. Diatoms were the most dominant species with high density. Non-point pollution source was estimated as the main cause of water pollution of lagoons. Trophic states of lagoons evaluated using the value of TSI and TSIKO indicated that all the investigated lagoons were in the eutrophication state.
Background: This study aimed to identify NO3--N sources using the stable isotope δ15N in Chydorus sphaericus (OF Müller), to investigate hydrological characteristics and nutrient states in artificial wetlands near the Nakdong River. Chydorus sphaericus is dominant in wetlands where aquatic plants are abundant, occurring in high density, and is sensitive to wetland water pollution, making it suitable for identification of NO3--N sources. Results: NO3--N sources for each wetland were strongly dependent on hydrological characteristics. Wetlands with sewage or rainfall/groundwater as their main sources had high levels of NO3--N, whereas wetlands with surface water as their main input had comparatively lower levels. Since wetlands with sewage and rainfall/groundwater as their main water sources were mostly detention ponds, their inputs from tributaries or the main river stream were limited and nutrients such as NO3--N easily become concentrated. Changes in NO3--N levels at each wetland were closely associated with δ15N of C. sphaericus. Interestingly, regression analysis also showed positive correlation between δ15N of C. sphaericus and NO3--N level. Conclusions: We conclude that the nitrate stable isotope (δ15N) of C. sphaericus can be used to elucidate the hydrological characteristics of riverine wetlands. This information is important for maintenance and conservation of artificial wetlands at the Nakdong River.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.11a
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pp.74-75
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2005
ZnO epilayer were synthesized by the pulesd laser deposition(PLD) process on $Al_2O_3$ substrate after irradiating the surface of the ZnO sintered pellet by the ArF(193 nm) excimer laser. The epilayers of ZnO were achieved on sapphire ($Al_2O_3$) substrate at a temperature of $400^{\circ}C$. The crystalline structure of epilayer was investigated by the photoluminescence. The carrier density and mobility of ZnO epilayer measured with Hall effect by van der Pauw method are $8.27{\times}10^{16}cm^{-3}$ and $299cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the ZnO obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g$(T) = 3.3973 eV - ($2.69{\times}10^{-4}$ eV/K)$T_2$/(T + 463 K). The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the ZnO have been estimated to be 0.0041 eV and 0.0399 eV at 10 K, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the $\triangle$so definitely exists in the $\ulcorner_6$ states of the valence band of the ZnO. The three photocurrent peaks observed at 10K are ascribed to the $A_1-$, $B_1-$, and $C_1$-exciton peaks for n = 1.
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.30
no.7
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pp.51-60
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2002
The Monte-Carlo simulation of statistical analysis is used to investigate the final conditions of states as well as the footprint boundaries resulting from the atmospheric re-entry dispersions. The re-entry dispersions in this paper are specified by a $7\times7$ covariance matrix of latitude, longitude, altitude, bank angle, flight path angle, heading error, and range at entry velocity. The error sources that affect these at re-entry for a deboost are the uncertainties associated with atmospheric density and temperature, initial errors, wind, and estimation error of aerodynamic coefficients. Using $3{\sigma}_n$ deviations of these errors and a nominal flight trajectory, the covariance matrix of state variables can be determined by performing a trajectory error analysis. Major considerations in the application of the Monte-Carlo method are the simulation of perturbed trajectories, bank reversal, and determination of the impact points for each of these trajectories. This paper analyzes the results of uncertainties from the viewpoint of aero-coefficients and bank reversal.
ZnO epilayer were synthesized by the pulesd laser deposition(PLD) process on $Al_{2}O_{3}$ substrate after irradiating the surface of the ZnO sintered pellet by the ArF(193 nm) excimer laser. The epilayers of ZnO were achieved on sapphire ($Al_{2}O_{3}$) substrate at a temperature of $400^{\circ}C$. The crystalline structure of epilayer was investigated by the photoluminescence. The carrier density and mobility of ZnO epilayer measured with Hall effect by van der Pauw method are $8.27{\times}1016cm^{-3}$ and $299cm^{2}/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the ZnO obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_{g}(T)$=3.3973 eV-($2.69{\times}10^{-4}$ eV/K)$T^{2}$/(T+463K). The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the ZnO have been estimated to be 0.0041 eV and 0.0399 eV at 10 K, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_{6}$ states of the valence band of the ZnO. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_{1}-$, $B_{1}-$, and $C_{1}-$exciton peaks for n = 1.
Journal of The Korean Digital Architecture Interior Association
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v.12
no.4
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pp.107-116
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2012
Planning a major change in the domestic residential complex 'complex' in the 'city' to the influx of urban space. So, considering a set of self-environmental complex of openness and connectivity between cities inflow from residential urban housing is formed. Complex-oriented development approach and apartment high-rise and high-density regions of space and social disconnection that causes a uniform methodology that can solve the problem of housing plan, however, a recent New Urbanism New Urbanism has been introduced. And intravenous forms of communal life that occurred in the United States prior to World War II, this value is based on the main form. Design reorganizes This modern lifestyle factors (such as housing, jobs, shopping, leisure space) to go back to the traditional lifestyles while Neotradiotional Planning exercise. New Urbanism in the late 20th century, some literature refers to a postmodern approach adopted in the field of urban planning, the specific case. Actually important feature of post-modernism in the New Urbanism has been expressed. Problem is very confusing, and the principles of New Urbanism, New Urbanism, even those who claim that have different social and design views. Therefore, this study explores the postmodern tendencies of the New Urbanism, and based on this, the possibilities for the development of new towns in Korea mainly affected on the theory of New Urbanism in South Korea in Eunpyeong examine.
Kim, Chang-Kon;Lee, Kyung A;Chen, Junxian;Lee, Hai-Whang;Lee, Bon-Su;Kim, Chan-Kyung
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.29
no.7
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pp.1335-1343
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2008
Theoretical studies on the un-catalyzed and catalyzed aminations of ketene with $NH_3$ and $(NH_3)_2$, respectively, were studied using MP2 and hybrid density functional theory of B3LYP at the 6-31+G(d,p) and 6- 311+G(3df,2p) basis sets in the gas phase and in benzene and acetonitrile solvents. In the gas phase reaction, the un-catalyzed mechanism was the same as those previously reported by others. The catalyzed mechanism, however, was more complicated than expected requiring three transition states for the complete description of the C=O addition pathways. In the un-catalyzed amination, rate determining step was the breakdown of enol amide but in the catalyzed reaction, it was changed to the formation of enol amide, which was contradictory to the previous findings. Starting from the gas-phase structures, all structures were re-optimized using the CPCM method in solvent medium. In a high dielectric medium, acetonitrile, a zwitterions formed from the reaction of $CH_2$=C=O with $(NH_3)_2$, I(d), exists as a genuine minimum but other zwitterions, I(m) in acetonitrile and I(d) in benzene become unstable when ZPE corrected energies are used. Structural and energetic changes induced by solvation were considered in detail. Lowering of the activation energy by introducing additional $NH_3$ molecule amounted to ca. −20 $\sim$ −25 kcal/mol, which made catalyzed reaction more facile than un-catalyzed one.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.179-180
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2007
Single crystal $AgGaSe_2$ layers were grown on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate at $420^{\circ}C$ with hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating $AgGaSe_2$ source at $630^{\circ}C$. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of single crystal $AgGaSe_2$ thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $4.05{\times}\;10^{16}/cm^3$, $139\;cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K. respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $AgGaSe_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=1.9501\;eV\;-\;(8.79{\times}10^{-4}\;eV/K)T^2$/(T + 250 K). The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $AgGaSe_2$ have been estimated to be 0.3132 eV and 0.3725 eV at 10 K, respectively, by means of the phcitocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}So$ definitely exists in the $\Gamma_5$ states of the valence band of the $AgGaSe_2$. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_1$-, $B_1$-, and $C_1$-exciton peaks for n = 1.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.11a
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pp.234-238
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2004
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $CuInSe_2$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $CuInSe_2$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $620^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $CuInSe_2$ single crystal thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $9.62{\times}10^{l6}\;cm^{-3}$ and $296\;cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CuInSe_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)\;=\;1.1851\;eV\;-\;(8.99{\times}10^{-4}\;eV/K)T^2/(T+153K)$. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $CuInSe_2$ have been estimated to be 0.0087 eV and 0.2329 eV at 10K, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}_{so}$ definitely exists in the $\Gamma_6$ states of the valence band of the $CuInSe_2$. The three photocurrent peaks observed at 10K are ascribed to the $A_1-$, $B_1-$, and $C_1$-exciton peaks for n = 1.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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