Electroencephalogram (EEG)-based brain-computer interfaces (BCI) can be used for a number of purposes in a variety of industries, such as to replace body parts like hands and feet or to improve user convenience. In this paper, we propose a method to decompose and extract motor imagery EEG signal using Empirical Mode Decomposition (EMD) and Fast Fourier Transforms (FFT). The EEG signal classification consists of the following three steps. First, during signal decomposition, the EMD is used to generate Intrinsic Mode Functions (IMFs) from the EEG signal. Then during feature extraction, the power spectral density (PSD) is used to identify the frequency band of the IMFs generated. The FFT is used to extract the features for motor imagery from an IMF that includes mu rhythm. Finally, during classification, the Support Vector Machine (SVM) is used to classify the features of the motor imagery EEG signal. 10-fold cross-validation was then used to estimate the generalization capability of the given classifier., and the results show that the proposed method has an accuracy of 84.50% which is higher than that of other methods.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.35
no.7
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pp.723-733
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2011
A numerical method of the CSF(Continuum Surface Force) model is presented for the calculation of the surface tension force and implemented in an in-house solution code(PowerCFD). The present method(code) employs an unstructured cell-centered method based on a conservative pressure-based finite-volume method with volume capturing method(CICSAM) in a volume of fluid(VOF) scheme for phase interface capturing. The application of the present method to a 2-D liquid drop problem is illustrated by an equilibrium and nonequilibrium oscillating drop calculation. It is found that the present method simulates efficiently and accurately surface tension-dominant multiphase flows.
This study was carried out to obtain the information needed in the development of forward speed control system and the improvement of combine performance. The effects of variety, grain moisture content and forward speed on the combine load characteristics were investigated through experiments. The results of this study are summarized as follows. 1. A data acquisition system was developed to measure the engine speed and the torques and speeds of the threshing cylinder, dean-grain auger and tailings-return auger. The system consisted of transducers, signal conditioner, interface board and microcomputer. The system accuracy is better than ${\pm}2.3%$ full scale. 2. Linear regression equations were obtained for the torque, speed and power requirement of threshing cylinder for different paddy varieties, grain moisture contents and feed rates. 3. The maximum value of relative frequency for threshing cylinder torque decreased as the increase in feed rate and moisture content. The range of torque fluctuation was 1.2~3.7 and 1.2~1.9 times the average and maximum torque, respectively. The maximum value of power spectrum density (PSD) appeared to be about 11 Hz regardless of paddy variety, grain moisture content and feed rate. 4. The speed of tailings return thrower decreased rapidly at below 900rpm, and it fell to near zero about 3 seconds after that time. When the travelling of combine harvester was stopped immediately after sensing the overload, it took about 7 seconds for a full recovery of the no-load speed of tailings return thrower.
Ti alloys are extensively used in high-technology application because of their strength, oxidation resistance at high temperature. However, Ti alloys tend to be classified very difficult to cut material. In this paper, The powder synthesis, spark plasma sintering (SPS), bulk material properties such as electrical conductivity and thermal conductivity are systematically examined on $Ti_2AlN$ and $Ti_2AlC$ materials having most light-weight and oxidation resistance among the MAX phases. The bulk samples mainly consisted of $Ti_2AlN$ and $Ti_2AlC$ materials with density close to theoretical value were synthesized by a SPS method. Machining characteristics such as machining time, surface quality are analyzed with measurement of voltage and current waveform according to machining condition of micro-electrical discharge machining with micro-channel shape.
Journal of Korean Society for Atmospheric Environment
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v.28
no.2
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pp.131-141
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2012
A large fraction of urban $PM_{10}$ concentrations is due to non-exhaust traffic emissions including road dust, tire wear particles, and brake lining particles. Although potential health and environmental impacts associated with tire wear debris have increased, few environmentally and biologically relevant studies of actual tire wear debris have been conducted. Tire wear particles (TWP) are released from the tire tread as a result of the interaction between the tire and the pavement. Roadway particles (RP), meanwhile, are particles on roads composed of a mixture of elements from tires, pavements, fuels, brakes, and environmental dust. The main objective of present study is to identify the contribution of tires to the generation of RP and to assess the potential environmental and health impacts of this contribution. First, a mobile measurement system was constructed and used to measure the RP on asphalt roads according to vehicle speed. The equipment of the mobile system provides $PM_{10}$ concentrations by Dusttrak DRX and number density & size distribution measurements of fine and ultra-fine particles by a fast mobility particle sizer (FMPS) and an aerosol particle sizer (APS). When traveling on an asphalt road at constant speed, there is a clear tendency for $PM_{10}$ concentration to increase slightly in accordance with an increase in the vehicle speed. It was also found that considerable brake wear particles and particles from tire/road interface were generated by rapid deceleration of the vehicle. As a result, the $PM_{10}$ concentration and particle number of ultra-fine particles were measured to be very high.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.45-49
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2001
We have investigated physical and electrical properties of the Hf $O_2$/HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ thin film for alternative gate dielectrics in the metal-oxide-semiconductor device. The oxidation of Hf deposited directly on the Si substrate results in the H $f_{x}$/ $O_{y}$ interfacial layer and the high-k Hf $O_2$film simultaneously. Interestingly, the post-oxidation N2 annealing of the H102/H1Si70y thin films reduces(increases) the thickness of an amorphous HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ layer(Hf $O_2$ layer). This phenomenon causes the increase of the effective dielectric constant, while maintaining the excellent interfacial properties. The hysteresis window in C-V curves and the midgap interface state density( $D_{itm}$) of Hf $O_2$/HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ thin films less than 10 mV and ~3$\times$10$^{11}$ c $m^{-2}$ -eV without post-metallization annealing, respectively. The leakage current was also low (1$\times$10-s A/c $m^2$ at $V_{g}$ = +2 V). It is believed that these excellent results were obtained due to existence of the amorphous HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ buffer layer. We also investigated the charge trapping characteristics using Fowler-Nordheim electron injection: We found that the degradation of Hf $O_2$/HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ gate oxides is more severe when electrons were injected from the gate electrode.e electrode.e.e electrode.e.
Cu/NbTi multilayer thin films and superconducting wires were fabricated and heat treated with conventional annealing and analyzed by differential scanning calorimetry (DSC) as a basic study for the enhancement of Jc. Interfacial reactions of Cu/NbTi multilayer thin films and superconducting wires were investigated with optical microscope, SEM, and XRD. According to the effective heat of formation (EHF) model, CU$\_$3/Ti was predicted as a first phase. However, considering the crystalline structure and thermodynamics, CuTi was predicted as a first phase. According to the results of DSC and XRD, CU$\_$2/Ti was found to be the first phase, followed by the formation Of CU$\_$4/Ti. The difference in first crystalline phase between the experimental result and the predicted one was discussed. In case of Cu/NbTi superconducting wires, the compounds formed at the Cu/NbTi interface grew with annealing time and the amount of compounds formed in Nb-47wt%Ti alloy was larger than that in Nb-50wt%Ti alloy. It seemed that the incubation time for the formation of compounds in Nb-50wt%Ti alloy was longer than that formed in Nb-47wt%Ti alloy. Also, the diffusion was the rate controlling step for the growth of compounds in all specimens. These compounds were formed at 500-600.deg. C for I hour annealing and, thus, the drawing time below I hour must be required to minimize the growth of compounds for the enhancement of Jc.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07b
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pp.625-628
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2002
The electrical properties of the praseodymium-based ZnO varistor ceramics, which are composed of Zn-Pr-Co-Cr-Dy oxides were investigated with $Dy_2O_3$ amount. The average grain size of varistor ceramics was greatly decreased from 18.2 to 4.6 pm with increasing $Dy_2O_3$ amount. The calculated nonlinear exponent$({\alpha})$ in varistor ceramics without $DY_2O_3$ was only 4.9, whereas the a value of the varistors with $DY_2O_3$ was abruptly increased in the range of 48.8 to 58.6. In particular, the maximum value of a was obtained by doping of 1.0 mol% $DY_2O_3$, reaching 58.6. The measured leakage current$(I_l)$ value in varistors without $DY_2O_3$ was $85.45{\mu}A$, whereas the $I_{\ell}$ value of the varistors with $DY_2O_3$ was very abruptly decreased in the range of 1.10 to $0.12{\mu}A$. In particular, the minimum value of $I_{\ell}$ was obtained by doping of 0.5 mol% $DY_2O_3$, reaching $0.12{\mu}A$. The tan $\delta$ varied in V-shape, with minimum 2.28% at 0.5 mol% $DY_2O_3$. The donor concentration and the density of interface states were decreased in the range of $(4.66{\sim}0.25){\times}10^{18}cm^3$ and $(5.70{\sim}1.39){\times}10^{12}/cm^2$, respectively, as $DY_2O_3$ amount is increased.
$SiO_xF_y$ optical thin films of lower refractive indices than glass substrates were fabricated by the CF$_4$ ion beam assisted deposition method and the optical, structural and chemical properties of them were investigated. Refractive index of $SiO_xF_y$ films was varied from 1.455 to 1.394 by decreasing the anode voltage or from 1.462 to 1.430 by increasing the current density of end-Hall ion source. FT-IR and XPS analyses show that as the F concentration increases, the Si-O bond at $1080m^{-1}$ shifts to higher wavenumber, the OH bonds are reduced drastically, and the fluorine atoms at the air-film interface are desorbed out by reacting with $H_2O$ in the atmosphere. $SiO_xF_y$ thin films are amorphous by the XRD analysis and have the compressive stress below 0.3 GPa. As an application of $SiO_xF_y$ thin films a two-layer antireflection coating was fabricated using a $SiO_xF_y$ film as a low refractive index layer and a Si film as an absorbing one.
Kim, Hyun-Gyu;Jung, Dae-Young;Jung, Hyun-Sup;Choi, Young-Min;Han, Jung-Su;Min, Byung-Gueon;Oh, Hyeong-Cheol
ETRI Journal
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v.25
no.5
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pp.337-344
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2003
In this paper, we introduce a fully synthesizable 32-bit embedded microprocessor core called the AE32000B. The AE32000B core is based on the extendable instruction set computer architecture, so it has high code density and a low memory access rate. In order to improve the performance of the core, we developed and adopted various design options, including the load extension register instruction (LERI) folding unit, a high performance multiply and accumulate (MAC) unit, various DSP units, and an efficient coprocessor interface. The instructions per cycle count of the Dhrystone 2.1 benchmark for the designed core is about 0.86. We verified the synthesizability and the area and time performances of our design using two CMOS standard cell libraries: a 0.35-${\mu}m$ library and a 0.18-${\mu}m$ library. With the 0.35-${\mu}m$ library, the core can be synthesized with about 47,000 gates and operate at 70 MHz or higher, while it can be synthesized with about 53,000 gates and operate at 120 MHz or higher with the 0.18-${\mu}m$ library.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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