• 한국통신학회논문지
• /
• 제19권4호
• /
• pp.669-678
• /
• 1994

본 논문에서는 QAM 신호를 전송하는 디지털 통신 시스템에서 고출력 증폭기(HPA)의 비선형성을 보상하기 위한 메모리 있는 데이터 사전왜곡 방법을 제안한다. 메모리 없는 HPA의 비선형성을 줄이기 위해 구현된 종래의 데이터 사전왜곡 방법에 비해, 본 논문에서 제안된 방법은 신호 성상도의 비선형 왜곡(warping)을 줄여 줄 뿐만 아니라 메모리 있는 전송 펄스 형성 필터로 인해 일어나는 심볼의 군집(cluster)을 원래의 심볼로 보상한다. 본 논문에서는 사전왜곡단의 메모리 크기를 줄이기 위해 QAM 신호 성상도의 대칭성을 고려하여 modulo-4 연산을 이용한다.

• 한국정보과학회논문지:시스템및이론
• /
• 제30권5_6호
• /
• pp.250-257
• /
• 2003

빠른 프로세서 속도에 비해 메모리 접근(access)하는 시간이 상대적으로 느려짐에 따라, 대부분의 시스템은 격차를 줄이기 위하여 캐쉬(cache)라는 매우 타른 메모리를 사용하고 있으며 캐쉬 메모리를 얼마나 효과적으로 사용하는 가 하는 문제는 알고리즘의 성능에 있어서도 결정적인 영향을 미치게 된다. 블록을 사용하는 방법은 캐쉬의 효율성을 향상시키는 방법으로 잘 알려져 있으며 행렬곱셈이나 d-heap과 같은 탐색트리에 사용되어 좋은 결과를 내고 있다. 그러나 삽입과 삭제 연산시 트리의 회전(rotation)이 필요한 자료구조에서는 블록을 사용하면 블록사이에 데이터의 이동이 필요해서 실행시간이 증가하게 된다. 본 논문에서는 블록을 사용하는 pairing heap에서 개선된 삽입과 삭제 알고리즘을 제안하였고 실험을 통해 우수성을 입증하였다. 또 블록을 사용하는 경우 여러 개의 데이터를 한 블록에 저장하므로 포인터의 개수가 줄어들게 되어 메모리를 적게 사용하게 된다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2021년도 춘계학술대회
• /
• pp.249-251
• /
• 2021

본 논문에서는 노령층 인구가 도보시 일어날 수 있는 낙상상황을 텐서플로워를 이용하여 인지하기 위한 시스템에 대하여 소개한다. 낙상감지는 고령자의 몸에 착용한 가속센서 데이터에 대해서 텐서플로워를 이용하여 학습된 LSTM(long short-term memory)을 기반하여 낙상과 일상생활을 판별한다. 각각 7가지의 행동 패턴들에 대하여 학습을 실행하며, 4가지는 일상생활에서 일어나는 행동 패턴이고, 나머지 3가지는 낙상시의 패턴에 대하여 학습한다. 3축 가속도 센서의 가공하지 않은 데이터와 가공한 SVM(Sum Vector Magnitude)를 이용하여 LSTM에 적용해서 학습하였다. 이 두 가지 경우에 대해서 테스트한 결과 데이터를 혼합하여 학습하면 더 좋은 결과를 기대할 수 있을 것으로 예상된다.

• 인터넷정보학회논문지
• /
• 제17권6호
• /
• pp.93-101
• /
• 2016

안드로이드 폰이 점점 대중화됨에 따라 많은 어플리케이션이 제작자의 이윤과 직결되는 데이터나 스마트 폰 사용자의 민감한 데이터를 다룬다. 이러한 중요 데이터는 당연히 보호받아야 하지만 안드로이드에서는 악의적인 사용자에 의해 조작되거나 공격자에 의해 유출될 수 있다. 이런 일이 발생하는 이유는 안드로이드의 근간인 리눅스의 디버깅 기능이 악용되기 때문이다. 리눅스의 디버깅 기능을 이용하면 다른 어플리케이션의 가상 메모리에 접근하는 것이 가능하다. 이 기능이 악용되는 것을 방지하기 위해선 해당 기능을 제공하는 주체인 리눅스의 커널에서 기존의 접근 제어를 더욱 강화해야 한다. 하지만 현재 이 기능은 안드로이드 환경의 특성을 반영하지 않은 채 기존의 리눅스와 동일한 접근 제어를 사용하고 있다. 이에 본 논문에서는 리눅스가 제공하는 다른 어플리케이션의 가상 메모리에 접근할 수 있는 기능을 분석하고, 분석 결과와 안드로이드 환경을 고려하여 스레드 그룹 ID를 검증하는 새로운 계층을 추가하는 방안을 제시한다. 이 방안을 적용함으로써 접근 제어를 더욱 강화할 수 있다. 실제로 본 논문이 제안한 방법이 접근 제어를 강화할 수 있는 지 확인하기 위해, 다른 어플리케이션의 메모리를 수정할 수 있는 메모리 조작 어플리케이션으로 자체 제작한 어플리케이션의 데이터 수정을 시도한다. 접근 제어를 강화하기 전에는 메모리 조작 어플리케이션이 자체 제작한 어플리케이션의 메모리에 있는 데이터를 수정할 수 있었지만, 접근 제어를 강화한 후에는 데이터 수정에 실패하는 것을 확인할 수 있다.

• 디지털콘텐츠학회 논문지
• /
• 제18권6호
• /
• pp.1165-1173
• /
• 2017

가장 대표적인 기계학습 알고리즘인 딥러닝 방법은 여러 응용 분야에서 활용성이 입증돼 디지털신호처리에 널리 사용되고 있다. 그러나 많은 학습데이터를 사용해 학습하는 과정에서 많은 메모리와 학습시간이 필요하기 때문에 CPU 성능과 메모리 용량이 제한된 IoT 디바이스에 딥러닝 기술을 적용하기는 어렵다. 특히 메모리 용량이 2K~8K 로 극히 적은 아두이노 기반의 디바이스를 사용한다면 알고리즘 구현에 많은 한계가 발생한다. 본 논문에서는 정확성과 효율성이 입증돼 여러 분야에서 활용되고 있는 ELM 알고리즘을 아두이노에서 최적화하는 방법을 제안하고, 실험을 통해 메모리 용량이 2KB인 아두이노 UNO와 메모리 용량이 8KB인 아두이노 MEGA에서 각각 15차원, 42차원의 다중 클래스 학습이 가능함을 보였다. 실험을 입증하기 위해 가우시안 혼합 모델링을 사용해 생성한 데이터셋과 범용적으로 사용하는 UCI 데이터셋을 사용해 제안한 알고리즘의 효율성을 입증하였다.

• 한국전자통신학회논문지
• /
• 제7권5호
• /
• pp.1061-1066
• /
• 2012

디지털 메모리는 신뢰성, 속도 그리고 상대적인 단순한 제어회로로 인해 지금까지 저장장치로서 널리 사용되어 왔다. 그러나 디지털 메모리 저장능력은 공정의 선폭감소의 한계로 인해 결국 한계에 다다르게 될 것이다. 이러한 저장 능력을 획기적으로 증가시키는 방안의 하나로서 메모리의 셀에 저장하는 데이터의 형태를 디지털에서 아날로그로 변화시키는 것이다. 한 개의 셀과 프로그래밍을 위한 주변회로로 구성된 아날로그 메모리가 0.16um 표준 CMOS 공정에서 제작되었다. 제작된 아날로그 메모리는 저밀도 불활성 메모리, SRAM과 DRAM에서 리던던시 회로 제어, ID나 보안코드 레지스터, 영상이나 음성 저장장치 등에 응용될 것이다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제42권2호
• /
• pp.49-56
• /
• 2005

본 논문에서는 사용자로부터 테스트하고자 하는 고장 모델을 입력받아 적절한 much 테스트 알고리즘을 만들고 BIST 회로를 생성해 주는 Memory BIST Circuit Creation System(MBCCS) 을 제안하고 있다. 기존의 툴들은 널리 사용되고 있는 알고리즘에 국한되어 메모리의 사양이 변할 경우 거기에 맞는 BIST 회로를 다시 생성해주는 번거로움이 있었다. 하지만 본 논문에서 제안한 툴에서는 다양해진 메모리 구조에 적합한 메모리 BIST 회로를 사용자 요구에 맞는 알고리즘을 적용해서 자동적으로 생성하게 하였고, 임의적으로 선택된 고장 모델에 대한 알고리즘을 제안된 규칙에 따라 최적화함으로 해서 효율성을 높였다. 또한 다양한 크기의 폭을 갖는 주소와 데이터를 지원하며 IEEE 1149.1 회로와의 인터페이스도 고려하였다.

• 디지털산업정보학회논문지
• /
• 제5권4호
• /
• pp.19-26
• /
• 2009

Recently, the Main Memory DBMS is gradually being expanded by the appearance of a large capacity of a Main Memory System, the increase in business area where it requires a real time process, and the rise of the users' required level. The Main Memory DBMS, which is able to go through a large capacity data process of the disk-based DBMS and guarantees a high efficiency, has domestically developed and has been put to a practical use. This paper presents an examination of the applied technologies and the limits of Altibase system, which is Main Memory DBMS. Moreover, it evaluated and performed a comparative analysis on the performance level of the Main Memory DBMS and the disk-based DBMS based on the same application. After five trials of the experiment based on the operating application, it was confirmed that the performance level of the Main Memory DBMS is enhanced and is higher by 4.13 to 7.89 times than the disk-based DBMS.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제21권4호
• /
• pp.353-357
• /
• 2017

엔터프라이즈 및 데이터센터환경에서 사용되는 수많은 서버시스템을 유지하기 위해서 가장 중요한 것은 각각의 서버시스템에서 UE(Uncorrectable Error)의 발생을 방지하는 것이다. 최근 클라우드 서비스의 발전으로 더 많은 용량의 메모리 모듈이 기존보다 더 많이 사용되고 있는 반면에 서버시스템의 동작 주파수는 높아지고 또한 메모리를 개발하기 위한 공정은 계속해서 축소되어 이전보다 불량이 발생될 확률이 매우 높아졌다. 이런 환경에서 서버시스템에서 직접 메모리 불량을 교체할 수 있는 방법이 제공되고 있지만 이를 효과적으로 사용할 수 있는 가이드라인이 현재 제공되지 않고 있다. 본 논문에서는 기존 시스템에서의 메모리 불량현상을 관찰하고 분석한 결과를 토대로 서버 시스템에서 효율적으로 메모리 불량을 방지하고 대처할 수 있는 방안을 제시하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.241-241
• /
• 2010

New non-volatile memory with high density and high work-function metal nano-dots, MND (Metal Nano-Dot) memory, was proposed and fundamental characteristics of MND capacitor were evaluated. In this work, nano-dot layer of FePt with high density and high work-function (~5.2eV) was fabricated as a charge storage site in non-volatile memory, and its electrical characteristics were evaluated for the possibility of non-volatile memory in view of cell operation by Fowler-Nordheim (FN)-tunneling. Here, nano-dot FePt layer was controlled as a uniform single layer with dot size of under ~ 2nm and dot density of ${\sim}\;1.2{\times}10^{13}/cm^2$. Electrical measurements of MOS structure with FePt nano-dot layer shows threshold voltage window of ~ 6V using FN programming and erasing, which is satisfied with operation of the non-volatile memory. Furthermore, this structure provides better data retention characteristics compared to other metal dot materials with the similar dot density in our experiments. From these results, it is expected that this non-volatile memory using FePt nano-dot layer with high dot density and high work-function can be one of candidate structures for the future non-volatile memory.