• 대한두경부종양학회:학술대회논문집
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• 대한두경부종양학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.213-213
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• 2007

• 동의생리병리학회지
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• 제28권2호
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• pp.233-237
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• 2014

This case report that the therapeutic effects of traditional Korean medicine(TKM) treatment on the tumor response in a diffuse large B-cell lymphoma(DLBL) patient. A patient was treated by acupuncture, pharmacopuncture, moxibustion, cupping and herbal medicine once a week at least for 12 months. we evaluated the grade of chief complaints and performed blood tests and sonography, abdominal CT periodically. After 1 month administration with TKM treatment, the symptoms of the patient vanished obviously. the size of inguinal lymphoma decreased gradually through 3 months. then from 3 to 10 months, the size of inguinal lymphoma remained as it is. TKM treatment was maintained continuously. in the abdomino-pelvic CT performed after 12 months, the patient didn't complain any symptom and the size of inguinal lymphoma decreased a little again. This case study supports that TKM treatments may have a efficacy in treating diffuse large B-cell lymphoma(DLBL) patients.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권11호
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• pp.1-7
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• 2006

이상적인(ideal) 이중-게이트(double-gate) 벌크(bulk) FinFET의 3차원(3-D) 시뮬레이션을 수행하여 전기적 특성들을 분석하였다. 3차원 시뮬레이터를 이용하여, 게이트 길이($L_g$)와 높이($H_g$), 핀 바디(fin body)의 도핑농도($N_b$)를 변화시키면서 소스/드레인 접합 깊이($X_{jSDE}$)에 따른 문턱전압($V_{th}$), 문턱전압 변화량(${\Delta}V_{th}$), DIBL(drain induced barrier lowering), SS(subthreshold swing)의 특성들을 살펴보았다. 게이트 높이가 35 nm인 소자에서 소스/드레인 접합 깊이(25 nm, 35 nm, 45 nm) 변화에 따라, 각각의 문턱전압을 기준으로 게이트 높이가 $30nm{\sim}45nm$로 변화 될 때, 문턱전압변화량은 20 mV 이하로 그 변화량이 매우 적음을 알 수 있었다. 낮은 핀 바디 도핑농도($1{\times}10^{16}cm^{-3}{\sim}1{\times}10^{17}cm^{-3}$)에서, 소스/드레인 접합 깊이가 게이트전극보다 깊어질수록 DIBL과 SS는 급격히 나빠지는 것을 볼 수 있었고. 이러한 특성저하들은 $H_g$ 아래의 ${\sim}10nm$ 위치에 국소(local) 도핑을 함으로써 개선시킬 수 있었다. 또한 local 도핑으로 소스/드레인 접합 깊이가 얕아질수록 문턱전압이 떨어지는 것을 개선시킬 수 있었다.