• 전기학회논문지P
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• 제60권2호
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• pp.72-75
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• 2011

In this paper, the voltage across the LED system supplied by positive voltage of power supply system the power consumption of the LED itself, and uses a lot of transformers and analog devices, such as converter startup problems and constant temperature even when the voltage driving abnormally LED current in the destruction caused by the flow of a lot of problems can occur. In this paper, we obtain the technology of consistent current using PWM(pulse width modulation) mode in order to minimize analog devices and eventually discuss the technology to develop consistent output converter using power drive IC.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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• pp.118-121
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• 1995

Fabrication and a new analytical expression for the capacitance characteristics of hydrogenerated amorphous silicon thin film transistors(a-Si:H TFTs) is presented and experimentally verified. The results show that the experimental capacitance characteristics are easily measeured. Measured transfer and DC output characteristic curves of a-Si:H TFT are similar to those of the standard MOSFET-IC. The capacitances on bias voltages are in good agreement with experimental data. This capacitance characteristics is suitable for incorporation into a circuit simulator and can be used for computer-aided design of a-Si thin film transistor integrated circuits.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2001년도 추계학술대회논문집A
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• pp.129-136
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• 2001

The remaining life estimation for the aged components in power plants as well as chemical plants are very important beacuse mechanical properties of the components are degraded with time of service exposure in high temperature. Since it is difficult to take specimens from the operating components to evaluate mechanical properties of components, nondestructive techniques are needed to estimate the degradation. In this study, test materials with 4 different degradation levels were prepared by isothermal aging heat treatment at $630^{\circ}C$. And the DC potential drop method and destructive methods such as tensile, $K_{IC}$ and hardness tests were used in order to evaluate the degradation of 1Cr-1Mo-0.25V steels. The objective of this study is to investigate the possibility of the application of DCPD method to estimate the material degradation, and to analyse the relationship between the electrical resistivity and the degree of material degradation.

• 전자공학회논문지B
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• 제32B권12호
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• pp.1644-1651
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• 1995

A data and clock recovery integrated circuit for MAC (Multiplexed Analog Component) TV standard is described. The chip performs the recovery of a system clock from a digitally encoded voice signal, clamping of a video signal for DC-level restoration, and precise gain control of a video signal in the presence of a large amplitude variation. A PLL (Phase Locked Loop) is used for timing recovery and a new gain control circuit is proposed which enhances its accuracy and dynamic range by employing two identical four-quadrant analog multipliers. The chip is designed in full custom with 1.5um BiCMOS technology, and layout verification is completed by post-simulation with the extracted circuit.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.172-175
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• 2005

a-Si TFT는 TFT-LCD의 화소 스위칭(swiching) 소자로 폭넓게 이용되고 있다. 현재는 a-Si을 이용하여 gate drive IC를 기판에 집적하는 기술이 연구, 적용되고 있는데 이때 가장 큰 제약은 문턱 전압의 이동이다. 펄스(pulse)형태로 인가되는 gate 전압에 의한 문턱 전압 이동은 a-Si:H gate에 인가되는 펄스의 크기, duty cycle, drain pulse의 크기 및 동작 온도에 기인하며 실험결과를 통해 입증된다. 초기의 DC Stress 측정 Data를 이용하여 문턱전압이동을 모델링/시뮬레이션한 결과 a-Si:H gate 회로설계 및 펄스 조건에 따라 stress시간에 따른 gate의 출력 파형 예측이 가능하고 상온에서 Von=21V를 인가한 결과, 약 4년후에서 시프트레지스터 출력 파형이 열화되기 시작한다.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제4권2호
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• pp.55-62
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• 1990

I본 연구에서는 마이크로프로세서에 의한 3상 전파 제어정류기의 점호각 제어회로를 설계하였다. 제어회로는 8비트 마이크로프로세서, 점호신호 발생 ROM, Presettable카운터, N분주 카운터와 PLL IC 등으로 구성되어 있다. PLL 원리를 이용하여 주파수 체배회로를 구성하였기 때문에 점호각이 넓은 범위의 전원 주파수에서 제어될 수 있고 간단한 제어알고리즘으로 인해 처리시간이 줄어들므로 빠른 응답특성을 가질 수 있었다. 본 연구에서는 기본 동작원리와 회로의 동작 특성에 대하여 설명하였고 좋은 동작 특성을 실험을 통해서 확인하였다. 이러한 동작원리는 싸이클로컨버터, 3상 교류 전압 조정기, dc 서보제어기와 다른 제어 시스템 등에도 적용이 가능할 것으로 생각된다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -3
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• pp.1984-1987
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• 2002

This paper describes the design and implementation of a single-chip digitally synthesized 0-35MHz agile function generator. The chip comprises an integrated direct digital synthesizer (DDS) with a 10-bit on- chip digital-to-analog converter (DAC) using an n-well single-poly triple-metal 0.5-$\mu\textrm{m}$ CMOS technology. The main features of the chip include maximum clock frequency of 100 MHz at 3.3-V supply voltage, 32-bit frequency tuning word resolution, 12-bit phase tuning word resolution, and an on-chip 10-bit DAC. The chip provides sinusoidal, ramp, saw-tooth, and random waveforms with phase and frequency modulation, and power-down function. At 100-MHz clock frequency, the chip covers a bandwidth from dc to 35 MHz in 0.0233-Hz frequency steps with 190-ns frequency switching speed. The complete chip occupies 12-mm$^2$die area and dissipates 0.4 W at 100-MHz clock frequency.

• 대한전자공학회논문지
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• 제24권5호
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• pp.794-803
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• 1987

In this paper, the SPICE 2.G6 JFET subroutine and other related subroutines are modified for circuit simulation of GaAs MESFET IC's. The hyperbolic tangent model is used for the drain current-voltage characteristics of GaAs MESFET's and derived channel-conductance and drain-conductance model from the above current model are implemented into small-signal model of GaAs MESFET's. And, device capacitance model which consider after-pinch-off state are modified, and device charge model for SPICE 2G.6 are proposed. The result of modification is shown to be suitable for GaAs circuit simulator, showing good agreement with experimetal results. Forthermore the DC convergence of this paper is better than that of SPICE 2.G JFET subroutine. GaAs MESFET model in this paper is applied for both depletion mode GaAs MESFET and enhancement-mode GaAs MESFET without difficulty.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2007년도 하계학술대회 논문집
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• pp.359-361
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• 2007

본 논문은 CNT(Carbon Nano Tube) FEL(Field Emission Lamp)에서 애노드(Anode)-캐소드(Cathode) 구동용 고전압 구동 회로 구현에 관한 것이다. 본 논문에서 제안하는 고전압 DC 전원 회로는 턴비가 높은 고전압 트랜스포머의 Leakage 인덕턴스를 이용하는 Series-Resonant 형태의 Full Bridge 컨버터를 적용하고 고전압 트랜스포머와 Voltage Multiplier를 이용한다. 고전압 트랜스의 절연전압을 줄이기 위해서 두개의 트랜스포머와 Voltage Multiplier를 이용하여 애노드 전극에는 Positive 고전압, 캐소드 전극에는 Negative 고전압을 인가한다. 이 경우 애노드와 캐소드 사이의 아크 방전 시에도 구동 IC 및 스위칭 소자를 보호할 수 있는 장점이 있다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2015년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.227-228
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• 2015

본 논문에서는 Optocoupler 절연형 오프라인 플라이백 변환기 궤환 단의 직류 바이어스 해석 기법을 제안한다. 직류 바이어스 해석을 통해 목표한 Current Transfer Ratio(CTR)를 얻고 Junction Capacitance($C_j$)를 측정하여 제어기 설계에 적용시켜 안정도 및 성능을 측정하였다. NCP1230, PC817, TL431 IC를 이용하여 플라이백 변환기의 제어회로를 제작하였고, 시뮬레이션을 이용해 직류 바이어스 해석 기법의 타당성을 검증하였다.