본 논문에서는 최근 5G 통신기술의 발전으로 인해 LTE와 5G 대역을 모두 커버할 수 있는 안테나가 필요로 하고 있으며, 각 대역에서 공진 주파수 대비 10%이상의 대역폭을 만족하기 위해 통합공공망(LTE)과 5G 주파수 이중대역 커버용 단일 급전 안테나를 설계, 제작하였다. 기본형 다이폴 안테나의 방사소자를 평면형 구조를 채택하였으며, 설계된 안테나는 700 MHz 안테나의 경우 동축케이블 급전 및 balun을 형성시켜 설계되었으며, 3.5GHz의 경우는 700 MHz 방사소자 급전부로부터 각각 수직 연장 후 'ㄷ'자 모양으로 접은 형태로 balun이 필요 없고 700 MHz 대역의 방사소자가 3.5 GHz 대역 방사소자의 반사판 역할을 하도록 설계하였다. 이로써, 700MHz 대역 -10 dB 대역폭 104 MHz(14.8%)과 3.5GHz 대역 -10 dB 대역폭 660 MHz(18.8%)을 나타내었고, 방사패턴 특성으로 700 MHz대역에서는 이득 8.46 dBi, 빔폭 E-plane 55°, H-plane 81°와 3.5 GHz 대역에서는 이득 6.14 dBi, 빔폭 E-plane 79°, H-plane 49°를 각각 얻었다.
In this paper, a dual band LNA (Low Noise Amplifier) with a LC-tank matching circuit is designed for 912MHz and 2.45GHz RFID reader. The operating frequency is decided by the LC-tank resonance. The simulated results demonstrate that S21 parameter is 11.683dB and 5.748dB at 912MHz and 2.45GHz, respectively, and the S11 are -10.796dB and -21.261dB, the S22 are -7.131dB and -14.877dB at the same frequencies. The measured NF (Noise Figure) is 0.471 and 1.726 at 912MHz and 2.45GHz, respectively.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제15권4호
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pp.437-444
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2015
A high output power voltage controlled oscillator (VCO) in the U-band was implemented using a 65 nm CMOS process. The proposed VCO used a transmission line to increase output voltage swing and overcome the limitations of CMOS technologies. Two varactor banks were used for fine tuning with a 5% frequency tuning range. The proposed VCO showed small variation in output voltage and operated at 51.55-54.18 GHz. The measured phase noises were -51.53 dBc/Hz, -91.84 dBc/Hz, and -101.07 dBc/Hz at offset frequencies of 10 kHz, 1 MHz, and 10 MHz, respectively, with stable output power. The chip area, including the output buffer, is $0.16{\times}0.16mm^2$ and the maximum output power was -0.11 dBm. The power consumption was 33.4 mW with a supply voltage of 1.2-V. The measured $FOM_P$ was -190.8 dBc/Hz.
In this paper, we proposed an internal multi-band monopole antenna for mobile phone that can be used for smart phones. The proposed antenna has a small volume of $38{\times}8.5{\times}5\;mm^3$, ground size is $100{\times}60\;mm^2$, and covers the GSM900 (Global System for Mobile communications : 880-960 MHz), DCS (Digital Communications System : 1710-1880 MHz), K-PCS (Korea-Personal Communications Service : 1750-1870 MHz), US-PCS (US Personal Communications Service : 1850-1990 MHz), Bluetooth (2400-2483 MHz), Wibro (2300-2390 MHz) and WLAN (Wireless Local Area Network : 2400-2483.5 MHz) bands. The measured peak gains of the implemented antenna are 1.15 dBi at 920 MHz, 3.58 dBi at 1795 MHz, 3.46 dBi at 1810 MHz, 2.91 dBi at 1920 MHz, 5.18 dBi at 2345 MHz, 3.37 dBi at 2442 MHz.
본 논문에서는 우수한 OIP3(ouput intercept point) 특성을 가지는 평형전력증폭단을 설계하고 이를 적용하여 K-band 상향변환기를 설계 및 제작하였다. 상향변환기의 구성은 전력 증폭기단, 국부발진신호 제거필터, 주파수혼합기및 IF단으로 구성하였으며 RF 경로의 동작 유무를 판단하기 위한 국부 루프 경로와 출력 전력을 감시하기 위한 감시 단자로 구성하여 소요되는 전력을 예측하였다. K-대역 MMIC를 이용하여 평형전력증폭단을 제작하였으며 전력 예측값에 의하여 상향변환기를 설계 제작하였다. 설계된 상향변환기의 이득은 $40\pm$2dB, PldB는 29dBm의 특성을 가지며, OIP3는 37.25dBm의 높은 특성이 나타내었다. 특히 전력증폭단의 MMIC를 조정하여 30dB이상의 이득을 제어하였다. 본 논문에서 제작한 상향변환기는 PTP 및 PTMP용 트랜시버에 사용할 수 있으며, QAM 및 QPSK 변조방식을 이용하는 디지털 통신 시스템 및 BWA(Broad Wireless System)에도 적용할 수 있다.
본 논문에서는 Ka-band에서 동작하는 스칼라 급전 혼을 가진 카셋그레인 안테나를 개발하였다. 카셋그레인 안테나의 효과적인 EM 시뮬레이션을 위해 계산된 급전 혼의 근거리장을 표면 등가 이론을 이용하여 카셋그레인의 등가 전원으로 사용하였다. 급전 혼은 $HE_{11}$ 모드로 동작하는 주름 원형 혼 안테나를 사용하였으며, 카셋그레인의 주 부경 각도 및 급전 중심점을 안테나 효율이 최대가 되도록 설계하였다. 제안된 급전 혼 안테나는 33 GHz에서 19 dBi 이득을 보이며, 부엽의 크기는 -25dB 이하, $20^{\circ}$의 반전력 빔 폭을 가졌다. 카셋그레인 안테나는 33GHz에서 41 dBi 이득을 가져 60%의 안테나 효율을 보이며 부엽기 크기는 -20dB 이하, $1.2^{\circ}$의 반전력 빔 폭을 보였다.
본 논문에서는 FG-CPW (Finite-Ground Coplanar Wave-Guide) 구조의 평형 다이오드 혼합기에 대해서 논의 된다. 주파수 대역 C-band로 선택하였고, RF는 5.72~5.82GHz, LO는 5.58~5.68GHz, 그리고 If 신호는 140 MHz가 사용되며, 이와 동일한 조건에서 마이크로스트립 혼합기를 제작하여 그 특성들을 비교하여 C-band 대역에서의 FG-CPW 의 응용 가능성을 제시한다. 단일 평형 형태를 위해 rat-race 결합기가 이용된다. CPW 구조를 갖는 LPF(low pass filter) 가 우수한 변환 손실 특성과 불필요한 하모닉들의 억제를 위해 사용된다. 5.635 GHz에서 4 dBm의 출력을 갖는 LO 신호가 입력될 때 6.2dB의 혼합기 변환 손실을 얻는다. 또한, LO-RF 격리특성과 LO-IF 격리 특성은 각각 30 dB와 40dB의 특성을 얻는다. 제시된 혼합기는 무선 LAN 분야에 응용될 수 있으리가 기대된다.
We propose a Ku-band driver and high-power amplifier monolithic microwave integrated circuits (MMICs) employing a compensating gate bias circuit using a commercial 0.5 ${\mu}m$ GaAs pHEMT technology. The integrated gate bias circuit provides compensation for the threshold voltage and temperature variations as well as independence of the supply voltage variations. A fabricated two-stage Ku-band driver amplifier MMIC exhibits a typical output power of 30.5 dBm and power-added efficiency (PAE) of 37% over a 13.5 GHz to 15.0 GHz frequency band, while a fabricated three-stage Ku-band high-power amplifier MMIC exhibits a maximum saturated output power of 39.25 dBm (8.4 W) and PAE of 22.7% at 14.5 GHz.
본 논문에서는 $0.15{\mu}m$ GaAs pHEMT 기술을 이용하여 FMCW(Frequency-modulated continuous-wave) 레이더용 W-band 단일칩 수신기 MMIC를 구현하였다. 제작된 수신기는 4 단 저잡음 증폭기, 하향 변환 혼합기, 3 단 LO 버퍼 증폭기로 구성되어 있다. 수신기의 저잡음 특성과 선형성 향상을 위해 저잡음 증폭기의 성능을 최적화시켰다. 혼합기는 선형성 특성 및 낮은 IF 주파수에서 저잡음 특성을 위하여 저항성 혼합기로 설계하였다. W-대역에서 혼합기를 구동시키기 위해서는 높은 LO 입력이 요구되므로 추가적인 LO 버퍼 증폭기를 설계하였다. 단일칩 수신기의 측정 결과, RF 주파수 $f_0$ GHz, LO 입력 전력 -1 dBm, 그리고, IF 주파수 100 MHz에서, 6.2 dB의 변환 이득, 5.0 dB의 잡음 지수, 그리고, -12.8 dBm의 1-dB 이득 감쇄 입력 전력($P_{1dB,in}$) 등의 우수한 특성을 얻었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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