이 연구는 AP-PCR 기법을 이용하여 Salmonella 균주의 유전적 다양성과 근연관계를 비교하고자 수행하였다. 18종의 Salmonella 균주에 대해 8종류의 primer를 이용하여 각 균주에 대한 DNA 밴드를 검출한 결과 총 AP-PCR 단편의 수는 39에서 52개의 범위였으며 평균 43.6개가 검출되었다. 총 349개의 표지인자가운데 다형성을 나타내는 단편들은 185개로서 53.0%의 다형성 수준을 보여주었다. 살모넬라균주들은 GEN 703과 GEN 708 primer에서 각각 0.682와 0.676의 높은 다형성 수준을 보여주었으나 GEN 603, GEN 604, 및 GEN 607 primer에서는 각각 0.404, 0.460 및 0.472의 비교적 낮은 수준의 다형성을 나타냄으로써 살모넬라균주간 상동성 비율이 높음을 시사해 주고 있다. 따라서, 이들 primer들은 Salmonella 균주들의 AP-PCR 분석에 대단히 효율적임을 확인할 수 있었다. S typhimirium CU 2001의 다형성 수준은 77%로 S typhimirium CU 2002와 가장 근연관계가 가까운 것으로 나타났으며 다음이 S typhimirium CU 2003으로 63%, S typhimirium ATCC 14028이 50%, 그리고 S typhimirium CU 2004가 43%의 근연관계를 나타내었다. S enteritidis ATCC 13076의 다형성 수준은 83%로 S enteritidis CU 2005와 근연관계가 가장 가깝게 나타내었으며 다음이 S enteritidis CU 2006으로 63%, S enteritidis CU 2007이 58%의 근연관계를 나타내었다. S choleraesuis CU 2009의 다형성 수준은 67%로 S choleraesuis CU 2010과 가장 가까운 근연관계를 나타내었으며 S choleraesuis CU 2008은 53%의 근연관계를 나타내었다. S gallinarum CU 2011과 S gallimarum CU 2012의 다형성 수준은 70%로 근연관계가 가장 가깝게 나타났으며 S gallinarum ATCC 9184는 60%의 근연관계를 나타내었다. 마지막으로 S pullorum CU 2013과 S pullorum CU 2014의 다형성 수준은 80%로 매우 높은 근연관계를 나타낸 반면 S pullorum No 11은 53%로 근연관계가 먼 것으로 나타났다. 따라서, AP-PCR 분석은 Salmonella 균주의 유전적 다양성 및 근연관계를 추정하기 위한 강력한 도구로서 이용할 수 있을 것이다.
깨끗한 Cu(110)와 산소가 흡착된 Cu(110) 표면에 Cu 성장에 의한 광학적 이방성의 변화를 RDS를 이용하여 연구하였다. 250K에서 Cu를 성장하면서 성장 모드와 산소의 계면활성제 효과를 확인하였다. 두 표면에 Cu를 성장하면서 4,25eV 봉우리의 규칙적인 변화를 확인하여 layer-by-layer 모드를 확인하였다.
이번 연구에서는 저온 용액공정을 이용하여p-type 반도체로 많이 사용되고 있는 $Cu_xS$를 기판 위에 증착하여 그 특성을 분석하였다. $Cu_xS$는 x의 값에 따라 다섯가지의 결정구조를 가지는데 CuS, $Cu_{1.75}S$, $Cu_{1.8}S$, $Cu_{1.95}S$, $Cu_2S$ 들이 그것이다. 태양전지에서 p형 반도체로 중요한 역할을 담당하고 있는 $Cu_xS$는 cell에서 사용되었을 때 energy bandgap이 1.2-2.5eV일 때 가장 좋은 특성을 나타낸다. 이번 연구에서는 특히 조성에 따라서 물리적, 광학적으로 어떤 특성을 나타내는지에 대하여 XRD, SEM, Uv-vis 등의 분석을 해보았다. XRD의 경우 농도가 높아질수록 peak의 intensity는 커지지만 어느 농도 이상부터는 Cu가 Oxide화 되는 것을 관찰할 수 있었다. SEM image의 경우에는 조성에 따른 포면의 상태를 분석해보았다. 조성에 따른energy bandgap을 알아보기 위해서는 Uv-vis을 측정하였으며 이를 이용하여 증착된 박막의 투과도 역시 함께 분석해보았다.
CuInS$_2$thin film was prepared by heat treatment at vacuum 10$\^$-3/ Torr of S/In/Cu stacked layer which was deposited by sequential. And so, the polycrystalline CuInS$_2$with chalcopyrite structure was well made at heat treatment temperature of 250$^{\circ}C$ and heat treatment time of 60 min. Single phase of CuInS$_2$was formed from Cu/In composition ratio of 0.84 to 1.3. p conduction type of CuInS$_2$thin film was appeared from Cu/In competition ratio of 0.99. The highest resistivity of CuInS$_2$with p type was 1.608${\times}$10$^2$$\Omega$cm at Cu/In composition ratio of 0.99 and The lowest resistivity was 5.587${\times}$10$\^$-2/$\Omega$cm at Cu/In composition ratio of 1.3.
[ $CuInS_2$ ] filims were appeared from 0.84 to 1.27 of Cu/In composition ratio and sulfur composition ratios of $CuInS_2$ thin films fabricated, Also when Cu/In composition ratio was 1.03, $CuInS_2$ thin film with chalcopyrite structure had the highest XRD peak (112). And lattice constant (a) of and grain size of the film tin s ambient were appeared a little larger than those in only Vacuum The films in S ambient were p-type with resistive of around $10^{-1}{\Omega}cm$ and optical energy band gaps of the films in S ambient were appeared a little larger than those in only Vacuum. Analysis of the optical energy band gap of $CuInS_2$ thin films a value of 1.53eV.
전자빔 증착 장비를 이용하여 SrS:CuCl TFEL 소자를 제작한 후, 발광특성을 조사하였다. 형광체 모체는 SrS 분말을 사용하였고, 발광중심체로는 CuCl 분말을 0.05 ~ 0.6 at% 범위에서 첨가하였다. 증착 온도 500℃, 전자빔 전류 20 ~ 40 mA 및 증착율 5 ~ 10 /sec의 조건에서 형광층 두께를 6000 으로 증착시켰다. CuCl 농도가 낮을 때에는 monomer, dimer, trimer 및 tetramer 발광센터에 의한 청색 발광을 확인할 수 있었으나 휘도가 낮았다. CuCl 농도가 높을 때에는 dimer와 trimer 발광센터에 의한 밝은 녹청색 빛을 방출하였다. 최적의 발광특성은 CuCl 농도를 0.2 at% 첨가한 SrS:CuCl TFEL 소자에서 관찰되었으며, 문턱전압, 휘도(L/sub 40/), 효율(η/sub 20/) 및 CIE 색좌표는 각각 55 V, 728 cd/㎡, 0.49 lm/W 및 (0.21, 0.33)을 나타내었다.
EBE법으로 S,In과 Cu를 순차적으로 증착하여 S/In/Cu 적층막을 제작하고, 진공 및 별도 S(Sulphur)공급하면서 열처리하여 다결정 $CuInS_{2}$ 박막을 제작하였다. 진공중에서 열처리한 박막은 chalcopyrite 구조를 갖는 n형 $CuInS_{2}$ 이었고 이때 최저 저항율은 $142{\Omega}Cm$이었다. 또한 별도 S 공급하면서 열처리한 박막은 p형으로 chalcopyrite 구조를 갖고 성장되었으며 최저 저항율은 $137{\Omega}Cm$ 이었다.
The glasses were prpared in the system CuI-CuS12TS-CuS12TO-MoOS13T by rapid quenching technique. These glasses have high ionic conductivities at 2$0^{\circ}C$ in the range of 10S0-1T[S/m], and the conductivities increase with increasing CuI and CuS12TS content. The value of activation energy for dielectric relaxation is nearly identical with that for conductivity. The cole-Cole parameter $\beta$ for representation of the distribution of dielectric relaxation times varies the range from 0.92 to 0.96. This parameter has a weak dependence on the composition of glass, and is independent of temperature. The correlation factors P for the glasses shows from 1.1 to 1.7.
청동으로 주조된 공예품의 금속 조직학적 연구를 통해 그 내부에 관찰되는 불순물을 추측하고, 그 물질의 특성을 파악하여 향후 제련 및 과거 청동 주물 제조 방법 및 재료 연구의 기초데이터를 제공하는 것을 목적으로 한다. 분석에는 SEM-EDS, XRD, 광학현미경을 이용하였다. 분석 결과, 3점의 시료는 ${\alpha}$상, ${\delta}$상, Pb, 불순물 입자인 $Cu_2S$의 4개의 상으로 이루어져 있으며, $Cu_2S$입자는 황동광을 제련하였을 때 생기는 제련 중간 발생물로 추측된다. 이 입자는 Pb와 인접하여 주로 관찰되며, ${\delta}$상 내부에서 관찰되는 경우도 있었다. $Cu_2S$의 입자 특성을 파악하기 위하여 1) 고려경 파편 및 2) $Cu_2S$와 Pb을 1273 K에서 녹여 $10^{\circ}C/min$의 속도로 냉각시켰다. 두 가지 실험으로 공통적으로 검은색 연기가 발생하였으며, 이 연기를 분석한 결과 PbS이었다. $Cu_2S$와 Pb을 반응 시킨 실험에서는 $Cu_2S+Pb{\rightarrow}PbS{\uparrow}+2Cu$의 반응식을 얻었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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