Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1996.05a
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pp.123-128
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1996
As electrode materials like as Cu-Pb, Cu-Bi, WC-Ag, W-Ag for vacuum circuit breaker have high chopping current or bad insulation-recovery characteristics, it can affect induction machinery like as transformer and motor. To produce low surge electrode material, it have been suggested Co-Ag-Te electrode which were infiltrated with Ag-Te intermetallic compound into sintered Co matrix in vacuum. In this paper, we would like to represent that production method and microstructure of Co-Ag-Te electrode material in each condition. The microstructure and characteristics of Ag-Te intermetallic compound and Co-(Ag-Te) electrode were investigated by using optical microscope, SEM, XRD, EPMA.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2003.11a
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pp.76-79
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2003
본 실험에서는 $S0.7wt\%Cu,\;Sn3.8wt\%Ag0.7wt\%Cu$ solder와 금속층으로서의 좋은 특성을 가지고 있지만 아직 연구 보고 된 적 없는 Pt층과의 리플로 반응에 의해 형성되는 계면금속간화합물의 상 분석을 시도 하였다 또한 솔더내 Cu함량에 따른 계면금속간화합물의 변화에 대하여 연구하기 위해 $Sn1.7wt\%Cu$솔더와 Pt층의 계면반응 현상에 대한 연구도 수행하였다. $Sn0.7(1.7)wt\%Cu$솔더는 순수한 Sn과 Cu를 이용하여 중량비로 제조하였고, $Sn3.8wt\%Ag0.7wt\%Cu$솔더는 솔더페이스트를 사용하였다. 분석은 SEM, EDS, XRD를 이용하였다. 분석 결과 세 가지 무연솔더 모두에서 $PtSn_4$가 계면 금속간화합물로 존재함을 발견하였으며 $1.7wt\%Cu$를 포함한 솔더와 Pt와의 반응에서는 고용도 이상으로 첨가된 Cu에 의해 솔더 내부에 조대한 형상의 $Cu_6Sn_5$가 존재함을 SEM 및 EDS분석을 통하여 발견 하였다.
In this study, three solders, Sn-37Pb, Sn-3.5Ag, and Sn-3.8Ag-0.7Cu were screen printed on both electroless Ni/Au and OSP metal finished micro-via PCBs (Printed Circuit Boards). The interfacial reaction between PCB metal pad finish materials and solder materials, and its effects on the solder bump joint mechanical reliability were investigated. The lead free solders formed a large amount of intermetallic compounds (IMC) than Sn-37Pb on both electroless Ni/Au and OSP (Organic Solderabilty Preservatives) finished PCBs during solder reflows because of the higher Sn content and higher reflow temperature. For OSP finish, scallop-like $Cu_{6}$ /$Sn_{5}$ and planar $Cu_3$Sn intermetallic compounds (IMC) were formed, and fracture occurred 100% within the solder regardless of reflow numbers and solder materials. Bump shear strength of lead free solders showed higher value than that of Sn-37Pb solder, because lead free solders are usually harder than eutectic Sn-37Pb solder. For Ni/Au finish, polygonal shaped $Ni_3$$Sn_4$ IMC and P-rich Ni layer were formed, and a brittle fracture at the Ni-Sn IMC layer or the interface between Ni-Sn intermetallic and P-rich Ni layer was observed after several reflows. Therefore, bump shear strength values of the Ni/Au finish are relatively lower than those of OSP finish. Especially, spalled IMCs at Sn-3.5Ag interface was observed after several reflow times. And, for the Sn-3.8Ag-0.7Cu solder case, the ternary Sn-Ni-Cu IMCs were observed. As a result, it was found that OSP finished PCB was a better choice for solders on PCB in terms of flip chip mechanical reliability.
Kim, Eun-Min;Lee, Seung-Hwan;Cho, Dae-Kweon;Kim, Shin-Hyo
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.63
no.8
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pp.1070-1074
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2014
With the development of the electronics industry and widespread supply of many different electrical appliances, the factors of the electrical fires are also diversified. For this reason, the fuse, safety-critical component, needs accurate and stable operating characteristics for preventing various fire factor, and also needs various operating characteristics. Especially when the all electrical resistance are dropped by internal short of circuit, high current inrushes and makes the fire. In order to prevent this, very fast acting fuses should be applied. However, existing very fast acting characteristics fuse has less wire dimension of element Ag100% metal than that of fast acting fuse, and it is made of plating with low melting point metals, so it satisfy very fast acting but it can't satisfy durability and safety. For this reason, in this study, through the analyzing fusing characteristics of Ag-Cu alloy composition, the new alloy composition, which implement to very fast acting fuse without decrease of fuse elements dimension, is suggested. And this study classify the operating characteristics changes, a resistance change, and the rated current of the fuse in the overall composition change of Ag-Cu alloying. and it can be utilized for designing fuse.
Kim, Jong-Min;Cho, Kyeong-Yeon;Lee, Ji-Hun;Lee, Soo-Hong
한국태양에너지학회:학술대회논문집
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2009.04a
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pp.230-234
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2009
It is significant technique to increase competitiveness that solar cells have a high energy conversion efficiency and cost effectiveness. When making high efficiency crystalline Si solar cells, evaporated Ti/Pd/Ag contact system is widely used in order to reduce the electrical resistance of the contact fingers. However, the evaporation process is no applicable to mass production because high vacuum is needed. Furthermore, those metals are too expensive to be applied for terrestrial applications. Ni/Cu/Ag contact system of silicon solar cells offers a relatively inexpensive method of making electrical contact. Ni silicide formation is one of the indispensable techniques for Ni/Cu/Ag contact sytem. Ni was electroless plated on the front grid pattern, After Ni electroless plating, the cells were annealed by RTP(Rapid Thermal Process). Ni silicide(NiSi) has certain advantages over Ti silicide($TiSi_2$), lower temperature anneal, one step anneal, low resistivity, low silicon consumption, low film stress, absence of reaction between the annealing ambient. Ni/Cu/Ag metallization scheme is an important process in the direction of cost reduction for solar cells of high efficiency. In this article we shall report an investigation of rapid thermal silicidation of nickel on silngle crystalline silicon wafers in the annealing range of $350-390^{\circ}C$. The samples annealed at temperatures from 350 to $390^{\circ}C$ have been analyzed by SEM(Scanning Electron Microscopy).
Recent ULSI and multilevel structure trends in microelectronic devices minimize the line width down to less than $0.25{\mu}m$, which results in high current densities in thin film interconnections. Under high current densities, an EM(electromigration) induced failure becomes one of the critical problems in a microelectronic device. This study is to improve thin film interconnection materials by investigating the EM characteristics in Ag, Cu, Au, and Al thin films, etc. EM resistance characteristics of Ag, Cu, Au, and Al thin films with high electrical conductivities were investigated by measuring the activation energies from the TTF (Time-to-Failure) analysis. Optical microscope and XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) analysis were used for the failure analysis in thin films. Cu thin films showed relatively high activation energy for the electromigration. Thus Cu thin films may be potentially good candidate for the next choice of advanced thin film interconnection materials where high current density and good EM resitance are required. Passivated Al thin films showed the increased MTF(Mean-time-to-Failure) values, that is, the increased EM resistance characteristics due to the dielectric passivation effects at the interface between the dielectric overlayer and the thin film interconnection materials.
The purpose of this study Is to investigate the effect of $V_2$O$_{5}$ addition on the microstructures and magnetic properties of 7.7${\times}$4.5${\times}$1.0 mm sized multi-layer chip inductors prepared by the screen printing method using 0∼0.5 wt% $V_2O_{5}$-doped NiCuZn ferrite pastes. With increasing the $V_2O_{5}$ content, the exaggerated grain growth of ferrite layers was developed due to the promotion of Ag diffusion and Cu segregation into the grain boundaries oi ferrites, which affected significantly the magnetic properties of the chip inductors. After sintering at $900^{\circ}C$, the inductance at 10 MHZ of the 0.5 wt% $V_2O_{5}$-doped chip inductor was 3.7 ${\mu}$H less than 4.2 ${\mu}$H of the 0.3 wt% $V_2O_{5}$-doped one, which was thought to be caused by the residual stress at the ferrite layers increased with the promotion of Ag diffusion and Cu segregation. The quality factor of the 0.5 wt% $V_2O_{5}$-doped chip inductor decreased with increasing the sintering temperature, which was considered to be caused by the electrical resistivity of the ferrite layer decreased with the promotion of Ag/cu segregation at the grain boundaries and the growth of the mean grain size of ferrite due to exaggerated grain growth of ferrite layers.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2002.05a
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pp.98-103
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2002
BGA(Ball Grid Array) 패키지의 솔더볼 패드 중의 하나인 Au/Ni-Co/Cu 금속층 위에 Bi가 첨가된 Sn-3.5Ag-$\chi$Bi 솔더볼을 리플로우시켰다. 리플로우한 후 130 $^{\circ}C$에서 열처리함에 따른 계면상 및 솔더 내부의 상변화를 관찰하였다. 계면에는 (Ni,Co)$_3$Sn$_4$외에 (Au,Ni,Co,Bi)Sn$_4$가 생성되었음을 관찰할 수 있었고, 솔더 내부에는 (Au,Ni,Co,Bi)SH$_4$, Ag$_3$Sn, Bi 상이 혼재되어 있었다. Nano-indentation에 의한 경도 측정 결과, Bi 함량 증가에 따라 경도는 증가하였으나, 볼전단(Ball Shear) 테스트 결과는 Bi가 증가됨에 따라 오히려 볼전단 강도값이 감소하였다. 이는 파면 검사 결과, 파괴 경로가 주로 계면의 금속간 화합물과 솔더 사이에서 진행함에 기인한 것이다. 솔더 내부의 파괴 경로를 가진 2.5Bi가 가장 우수한 볼전단 강도값을 나타내었는데, 이는 솔더내의 Bi의 고용강화에 기인한 것으로 보인다.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.12
no.2
s.35
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pp.121-128
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2005
Solder joints in microelectronic devices are frequently operated at an elevated temperature in service. They also experience plastic deformation caused by temperature excursion and difference in thermal expansion coefficients. Deformed solders can go through a recovery and recrystallization process at an elevated temperature, which would alter their microstructure and mechanical properties. In this study, to predict the changes in mechanical properties of Pb-free solder joints at high temperatures, the high temperature microhardness of several Pb-free and composite solders was measured as a function of temperature, deformation, and annealing condition. Solder alleys investigated include pure Sn, Sn-0.7Cu, Sn-3.5Ag, Sn-3.8Ag-0.7Cu, Sn-2.8Ag-7.0Cu (composite), and Sn-2.7Ag-4.9Cu-2.9Ni (composite). Numbers are all in wt.$\%$ unless specified otherwise. Solder pellets were cast at two cooling rates (0.4 and $7^{\circ}C$/s). The pellets were compressively deformed by $30\%$ and $50\%$ and annealed at $150^{\circ}C$ for 2 days. The microhardness was measured as a function of indentation temperature from 25 to $130^{\circ}C$. Their microstructure was also evaluated to correlate with the changes in microhardness.
Samples with the nominal composition, B $i_{1.84}$P $b_{0.34}$S $r_{1.91}$C $a_{2.03}$C $u_{3.06}$$O_{10+}$$\delta$/ high $T_{c}$ superconductors containing As as an additive were fabricated by a solid-state reaction method. Samples with Ag of 10wt%, 30 wt% and 50 wt% each were sintered at 86$0^{\circ}C$~875$^{\circ}C$ for 24 hours. The structural characteristics, critical temperature and grain size with respect to Ag contents were analyzed by XRD(X-ray Diffraction) and SEM(Scanning Electron Microscope), respectively. As Ag contents increased, XRD peaks of g in Bi-2223 phase superconductors intensified and the proportion of the phase transition from Bi-2223 to Bi-2212 was increased.increased.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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