The aim of the present study was to improve the radiative heat dissipation of aluminum alloy, Al 1050. Resin/CuO coating and Cu/CuO composite plating were applied on aluminum alloy to improve the radiative heat dissipation. Resin/CuO coating was made using thermosetting silicon resin and Cu/CuO composite plating was made in pyrophosphate copper plating bath. Radiant heat flux($W/m^2$) was measured by self-produced radiant heat measurement device to compare each specimen. The cross section of specimen and chemical bonding of surface were analyzed by FE-SEM, XPS and FT-IR. As a result, radiant heat of Resin/CuO coating was higher than Cu/CuO composite plating due to the adhesion with aluminum plate and the difference in chemical bonding. But, Both of them were higher than aluminum alloy. In order to confirm the result of experiment, aluminum plate, Resin/CuO coating and Cu/CuO composite plating sample were applied LED and measured the LED temperature. As a result, LED temperature of samples were matched previous results and confirmed coated samples were lower about 10 degrees than the aluminum alloy.
Alumina dispersion strengthening copper(ADSC) alloy has great potential for use in many industrial applications such as contact supports, frictional break parts, electrode materials for lead wires, and spot welding with relatively high strength and good conductivity. In this study, we investigated the oxidation behavior of ADSC alloys. These alloys were fabricated in forms of plate and round type samples by surface oxidation reaction using Cu-0.8Al, Cu-0.4Al-0.4Ti, and Cu-0.6Al-0.4Ti(wt%) alloys. The alloys were oxidized at $980^{\circ}C$ for 1 h, 2 h, and 4 h in ambient atmosphere. The microstructure was observed with an optical microscope(OM) and a scanning electron microscope(SEM) equipped with energy-dispersive X-ray spectroscopy(EDS). Characterization of alumina was carried out using a 200 kV field-emission transmission electron microscope(TEM). As a result, various oxides including Ti were formed in the oxidation layer, in addition to ${\gamma}$-alumina. The thickness of the oxidation layer increased with Ti addition to the Cu-Al alloy and with the oxidation time. The corrected diffusion equation for the plate and round type samples showed different oxidation layer thickness under the same conditions. Diffusion length of the round type specimen had a value higher than that of its plate counterpart because the oxygen concentration per unit area of the round type specimen was higher than that of the plate type specimen at the same diffusion depth.
In order to disseminate the IEC international standard of RRR measurement of Cu/Nb/-Ti composite superconductors, a measuring system was developed at KRISS. The system consisted of helium reservoir, base plate, thermometer, voltmeter and current source. The helium reservoir and base plate provided a stable temperature of a range from 4.2 K to 300 K and the voltmeter measured several order of $mutextrm{V}$ on specimen for obtaining RRR of the Cu/Nb-Ti composite superconductor. Three specimens of the Cu/Nb-Ti composite superconductors were measured using this system for characterizing their RRR. The resistance-temperature curves ortho specimens showed 10/sup -6/ to 10/sup -5/ Ohms near transition temperature and 10/sup -4/ to 10/sup -3/ Ohms at 293 K. The RRR values of the specimens were 145, 71 and 140, respectively.
본 연구에서는 계면활성제를 이용하여 초임계이산화탄소와 전해도금액의 매크로에멀젼을 형성한 후 양극과 음극을 통해 통전시켜 초임계에멀젼 전해도금을 수행하였다. 계면활성제로는 친이산화탄소기와 친수기를 동시에 지닌 sodium salt of bis (2,2,3,3,4,4,5,5-octafluoro-1-pentanol) sulfosuccinate를 사용하였으며 (+)극과 (-)극으로 니켈판과 구리판을 각각 사용하였다. 초임계매크로에멀젼 상태에서 도금된 니켈표면과 기존의 상압 상태에서 도금된 니켈표면을 비교해 본 결과 이산화탄소/니켈도금액 매크로에멀젼에 의해 도금된 니켈표면은 기존 방법에 의한 것보다 더 균일하였다. 계면활성제의 농도와 도금액 양이 도금에 미치는 영향을 살펴보기 위하여 도금액에 첨가한 계면활성제의 농도를 2, 4, 7 wt% 변화시켰으며 도금 반응셀 내에서 차지하는 도금액의 부피를 10 vol%에서 70 vol%까지 증가시켰다. 그리고 연속상의 영향을 알아보기 위하여 초임계이산화탄소 대신에 프로판을 사용하여 그 결과를 살펴보았다. 매크로에멀젼이 형성되는 농도 이상에서는 계면활성제의 농도가 높아질수록 전류량과 도금되는 니켈 양이 모두 감소하였으며, 도금액의 부피가 증가할수록 전류량과 전기전도도가 높아지고 도금되는 니켈 양이 증가하였다. 또한, 연속상의 경우, 프로판보다 이산화탄소가 우수한 도금효과를 보임을 알 수 있었다.
For the development of a low-melting point filler metal for brazing aluminum alloy, we analyzed change of melting point and wettability with addition of Sn into Al-20Cu-10Si filler metal. DSC results showed that the addition of 5 wt% Sn into the Al-20Cu-10Si filler metal caused its liquidus temperature to decrease by about 30 oC. In the wettability test, spread area of melted Al-Cu-Si-Sn alloy is increased through the addition of Sn from 1 to 5 wt%. For the measuring of the mechanical properties of the joint region, Al 3003 plate is brazed by Al-20Cu-10Si-5Sn filler metal and the mechanical property is measured by tensile test. The results showed that the tensile strength of the joint region is higher than the tensile strength of Al 3003. Thus, failure occurred in the Al 3003 plate.
$Cu_2O$ nanowires were synthesized at large scale on copper plate by thermal oxidation in air. The effect of oxidation time and temperature on the morphology of the nanowires was examined. The oxidation time had no effect on the diameter of the nanowires, while it had a great effect on the density and the length of the nanowires. The density and the length of the nanowires increased, and then decreased, with increasing oxidation time. The oxidation temperature had a tremendous effect on the size-distribution as well as the density of the nanowires. When the oxidation temperature was $700^{\circ}C$, uniform size-distribution and high density of the nanowires was achieved. At lower and higher temperatures, the density of the nanowires was lower, and they displayed a broader size-distribution. It is suggested that the $Cu_2O$ nanowires were grown via a vapor-solid mechanism because no catalyst particles were observed at the tips of the nanowires.
[ $Ca(OH)_2/CaO$ ]계 가역반응 싸이클을 이용하는 화학축열에서 열전도도가 낮은 고체입자 충전층의 전열성능을 개선하여 축열장치의 효율을 높이고자 한다. 본 연구에서는 반응기내의 CaO 입자 충전층의 전열성능 향상을 도모하기 위해 반응기 속에 구리판으로 된 전열핀을 설치하고 수화발열 반응시의 방열특성을 조사 하였다. 이 때 반응조건의 변화에 따른 반응층내의 온도 분포를 조사하고 전열촉진 효과에 대해 검토하였다. 그 결과 구리판 전열핀의 방열촉진 효과로 인하여 수화발열반응의 방열시간이 전열핀을 사용하지 않은 때보다 1/2 이상 단축되었으며, 방열시간은 전열핀의 매수에 가장 많은 영향을 받았다.
An attempt was made to grow Y-Ba-Cu-O single crystals by skull method(cold crucible process). Grown YBa2Cu3O7-x(YBC) single crystals were obtained from the upper part of the YBC solid mixture. There were plate-like YBC single crystals aligned with solidified flux along the crystal growth direction. Single crystal size was (5$\times$2$\times$0.2㎣) and was grown to a-b plane of YBC crystal structure which can flow super currents. Optical microscope and X-ray diffraction were employed characterize these microstructure and YBC single crystals.
한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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pp.388-391
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1999
Well oriented Bi2212 superconductor thick films were formed successfully on a copper substrate by liquid reaction between a Cu-free precursor and Cu tape method in which Cu-free BSCO powder mixture was' printed on copper plate and heat-treated. And we examined the effect of heat-treatment atmosphere for the superconducting properties and microstructure of Bi2212. The composition of Cu-free BSCO powder mixture was Bi$_2O_3$ : SrCO$_3$ : CaCO$_3$ = 1.2~2 : 1 : 1 and the heat-treatment for the superconducting formation reaction was performed in air, oxygen, nitrogen and low oxygen pressure. At heat-treatment temperature, the printing layer partially melt by reacting with CuO of the oxidizing copper plate, and the nonsuperconducting phases present in the melt are typically Bi-free phases and Cu-free phases. Among the nonsuperconducting phases, it is known that the (Sr,Ca)CuO$_3$ phase restrain the formation of the Bi2212 superconducting phase. Because a kind of the nonsuperconducting phases is controled by the oxygen partial pressure, the optimum condition in which the remnants of the second phases don't leave in the fully processed conductor was determined by XRD and the critical tempera to re (Tc) analysis.
Ko, Young Min;Kim, Sung Tae;Ko, Jae Hyuck;Ahn, Byung Tae;Chalapathy, R.B.V.
Current Photovoltaic Research
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제10권2호
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pp.39-48
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2022
A Se-containing Cu/SnSe2/ZnSe precursor was employed to introduce S to the precursor to form Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) film. The morphology of CZTSSe films strongly varied with two different pre-annealing environments: S and N2. The CZTSSe film with S pre-annealing showed a dense morphology with a smooth surface, while that with N2 pre-annealing showed a porous film with a plate-shaped grains on the surface. CuS and Cu2Sn(S,Se)3 phases formed during the S pre-annealing stage, while SnSe and Cu2SnSe3 phases formed during the N2 pre-annealing stage. The SnSe phase formed during N2 pre-annealing generated SnS2 phase that had plate shape and severely aggravated the morphology of CZTSSe film. The power conversion efficiency of the CZTSSe solar cell with S pre-annealing was low (1.9%) due to existence of Zn(S.Se) layer between CZTSSe and Mo substrate. The results indicated that S pre-annealing of the precursor was a promising method to achieve a good morphology for large area application.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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