Effect of Film thickness on the sensing behavior of thin-film-type ags sensor has been analyzed by deriving an equation form a simple model, and the equation was applied to the sensing behavior of ${SnO}_{2}$ and CuO-${SnO}_{2}$ thin-film sensors. It was revealed, from the equation,that the gas sensing property was closely related to gas diffusivity into the film which was a function of film thickness, reactivity of the gas detected with sensing material, operating temperature, etc. The equation derived was well consistent with the experimental results from ${SnO}_{2}$ and CuO-${SnO}_{2}$ thin-film sensors and explained their different ${H}_{2}S$ sensing behaviors. Finally, a medel was suggested, explainning the effect of gas diffusivity on sensing be havior of oxide semiconductor sensor.
To establish the coating conditions for $^{57}Co$, non-radioactive Co ions are dissolved in an acid solution and electroplated on to a copper plate. Then, the thermal diffusion of electroplated Co into a copper matrix was studied to apply a $^{57}Co$$M{\ddot{o}}ssbauer$ source. Nanocrystalline Co particles were coated on a Cu substrate using DC electro-deposition at a pH of 1.89 to 5 and $20{\sim}30mA/cm^2$. The average grain size was up to 54 nm as the pH increased to 5. The second phase of Co-oxide was formatted as the pH was increased above 4. The diffusion degree was evaluated by mapping using scanning electron microscopy (SEM). The influence of different annealing conditions was investigated. The diffusion depth of Co depends on the annealing temperature and time. The results obtained confirm that the deposited Co diffused almost completely into a copper matrix without substantial loss at an annealing temperature of $900^{\circ}C$ for 2 hours.
Kim, Jung-Hun;Kim, Ji-Heon;Park, In-Gil;Lee, Sang-Heon;Bae, Sun-Gi;Lee, Young-Hie
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.320-321
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2005
The $ZnNb_2O_6$ ceramics with 5wt% CuO and 5wt% $B_2O_3$ were prepared by the conventional mixed oxide method. The ceramics were sintered at the temperature of $950^{\circ}C\sim1025^{\circ}C$ for 3hr. in air. The structural properties were investigated with sintering temperature by XRD and SEM. Also, the microwave dielectric properties were investigated with sintering temperature. Increasing the sintering temperature, the peak of second phase ($Cu_3Nb_2O_8$) was increased. But no significant difference was observed as sintering temperature. In the $ZnNb_2O_6$ ceramics with 5wt% CuO and 5wt% $B_2O_3$ sintered at $975^{\circ}C$ for 3hr, the dielectric constant, quality factor and temperature coefficient of the resonant frequency were 19.30, 14,662GHz, +4.1$8ppm/^{\circ}C$, respectively.
The effects of the cooling and annealing conditions on the microstructures and corrosion properties were investigated for the Cu-contained Zr-Nb alloy (Zr-1.1Nb-0.07Cu). After annealing at $1050^{\circ}C$ for 15 min, the specimens were cooled by three methods of water quenching, air cooling, and furnace cooling. Widmanstatten structures were developed in both air- and furnace-cooled specimens, and the Widmanstatten plate width of the furnace-cooled specimens was wider than that of the air-cooled ones. The weight gain in the furnace-cooling case was higher than that in the air-cooling case. This could be the reason why the diffusion time was more enough during the furnace cooling than the air cooling. The oxide of the furnace-cooled specimen was nonunformly formed just beneath the Widmanstatten plate boundaries, where ${\beta}_{Zr}$ phases were exised concentrately. Compared with the $640^{\circ}C$ annealing after the water quenching, the $570^{\circ}C$ annealing could make the ${\beta}_{Nb}$ phases and a concomitant reduction of the Nb in the matrix, and then it could improve the corrosion resistance with the increase of the annealing time. It would be concluded that the corrosion resistance of the Zr-1.1Nb-0.07Cu was good when the Nb concentration in the matrix was reached at an equilibrium level and then the ${\beta}_{Nb}$ phase was formed.
Copper powder dispersed with 4 vol.% of $Cr_2O_3$ was successfully produced by a simple milling at 210 K with a mixture of $Cu_2O$, Cu and Cr elemental powders, followed by Hot Pressing (HP) at 1123 K and 50 MPa for 2h to consolidate the milled powder. The microstructure of the HPed material was characterized by standard metallographic techniques such as XRD (X-ray Diffraction), TEM and STEM-EDS. The results of STEMEDS analysis showed that the HPed materials comprised a mixture of nanocrystalline Cu matrix and $Cr_2O_3$ dispersoid with a homogeneous bimodal size distribution. The mechanical properties of the HPed materials were characterized by micro Vickers hardness test at room temperature. The thermodynamic considerations on the heat of formation, the incubation time to ignite MSR (Mechanically induced Self-sustaining Reaction), and the adiabatic temperature for the heat of displacement reaction between the oxide-metal are made for the delayed formation of $Cr_2O_3$ dispersoid in terms of MSR suppression. The results of TEM observation and hardness test indicated that the relatively large dispersoids in the HPed materials are attributed to the significant coarsening for the high temperature consolidation; this leads to the low Vickers hardness value. Based on the thermodynamic calculation for the operating processes with a limited number of parameters, the formation kinetics and coarsening of the $Cr_2O_3$ dispersoid are discussed.
The powder preparation by using emulsion drying method, one of the chemical powder fabrication methods has the advantages; easy to control the chemical stoichiometry and to fabricate homogeneously fine particles. In the present study, the initial morphology and size distribution of the powder fabricated by using emulsion dry-ing method were controlled and were improved the homogeneity. By carefully controlling the mixing ratio of oil phase and aqueous solution and surfactant of preventing emulsion separation, the Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O su-perconducting powders were prepared. The properties of the superconducting powder fabricated by this method and the microstructures and superconducting properties of the pelletized samples were investigated. The microstructures and electric properties of the tapes prepared by oxide powder-in-tube method were in-vestigated. The fabricated powder was spherical with less than 1$\mu$m but most of them was agglomerated with 2~5$\mu$m in size. The critical temperature of the pelletized sample annealed at 84$0^{\circ}C$ for 72 hours in oxygen par-tial pressure of 1/13atm in Ar atmosphere was 108K. And the critical current of the first and second annealed tapes in air prepared by oxide powder-in-tube process were 0.4A and 1.5A, respectively.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.5
no.4
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pp.378-385
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1995
The growth processes of improved methods for MBE, LPE and $\mu$ - PD methods are discussed taking the oxide materials, especially those of Bi - Sr - Ca - Cu family $LiNbO_3$ and $K_3Li_2Nb_5O_{15}$ family as examples. It is suggested that the crystal growth far from equilibr iu m including composition homogeneity has been achieved to satisfy in understanding and controlling the atomic interfaces.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.5
no.4
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pp.143-147
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2004
Surface defects and bulk defects on SOI wafers are studied. Two new metrologies have been proposed to characterize surface and bulk defects in epitaxial layer transfer (ELTRAN) wafers. They included the following: i) laser scattering particle counter and coordinated atomic force microscopy (AFM) and Cu-decoration for defect isolation and ii) cross-sectional transmission electron microscope (TEM) foil preparation using focused ion beam (FIB) and TEM investigation for defect morphology observation. The size of defect is 7.29 urn by AFM analysis, the density of defect is 0.36 /cm$^2$ at as-direct surface oxide defect (DSOD), 2.52 /cm$^2$ at ox-DSOD. A hole was formed locally without either the silicon or the buried oxide layer (Square Defect) in surface defect. Most of surface defects in ELTRAN wafers originate from particle on the porous silicon.
MF is a half shaft blast furnace which has been developed at Mitsui Miike Smelter in the 1960’s to treat vertical retort residue. The MF has also been tested for treatment of various recycling materials and wastes. Now various secondaries and wastes (EAF dust, zinc leaching residue, Cu sludge, etc ) are mainly treated. Powder materials are briquetted with reductant before being fed to the furnace. Products are crude zinc oxide, matte, non-hazardous slag and steam. Zinc and lead are recovered in oxide dust, and copper and silver are recovered in matte. The MF can be widely applied to many kinds of materials which contain such non-ferrous metal-valuables. In addition, the improvement in operation and technology has effectively made the unit capacity much larger. The MF now has many advantages for these treatment processes.
Proceedings of the Korean Society of Soil and Groundwater Environment Conference
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2003.09a
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pp.379-381
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2003
Metal sorption onto the ICS (Iron oxide coated sand) was studied in batch experiments. Heavy metal cations such as Cd, Pb, and Cu, and a metal anion, As, which sporadically exist in mine sites, were tested for the sorptive removal by ICS. In low pH conditions As showed the highest removal efficiency compared to the other metal cations. And the sorption removal of As was apparently pH-independent reaction. However, removal of metal cations increased with pH and above pH 7 most metal cations showed very low soluble concentrations after treatment. Such a high removal ratio of metal cations above the neutral pH appeared predominantly due to precipitation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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