Magnetic and structural properties of $(CoFe_2O_4)_{1-x}(Y_3Fe_5O_{12})_x$ powders (0 $\leq$ x $\leq$ 1) grown by a conventional ceramic method were investigated using X-ray diffractormeter (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Mossbauer spectroscopy and vibrating sample magnetometer (VSM). The XRD results for the powders annealed at 120$0^{\circ}C$ indicated that no other peak was observed except for the ones from cobalt ferrite and the garnet powder. SEM micrographs indicated that cobalt ferrite and garnet powders were aggregated and completely formed together. It was hard to identify which part of the powders was the garnet or the cobalt ferrite. Mossbauer spectra for powders grown separately and mixed mechanically consisted of sub-spectra of cobalt ferrite and garnet, however, powders annealed together had an extra sub-spectrum, which was related with the interaction between iron ions at the grain surfaces of cobalt ferrite and the garnet: cobalt ferrite and garnet particles were located very closely. The value of the saturation magnetization measured by a VSM as a function of composition ratio agreed very well with the ones based on the theoretical calculation.
An, Sung-Yong;Shim, In-Bo;Kim, Chul-Sung;Lee, Seung-Wha
Journal of the Korean Magnetics Society
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v.13
no.1
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pp.21-28
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2003
M-type hexagonal BaF $e_{12-2x}$$Co_{x}$$Ti_{x}$$O_{19}$ (0$\leq$x$\leq$1.0) ferrite powders prepared by a sol-gel method. The crystallographic and magnetic properties were characterized with a x-ray diffraction (XRD), thermogravimetry (TG), differential thermal analysis (DIA), Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), vibrating sample magnetometer (VSM), and Mossbauer spectroscopy. The result of XRD measurements show that the a and c lattice parameters increase with increasing x from $\alpha$=5.882 and c=23.215 $\AA$ for $\chi$=0.0, to $\alpha$=5.895 and c=23.295 $\AA$ for $\chi$=1.0. From the Mossbauer results, the $Co^{2+}$- $Ti^{4+}$ site occupancies have been affected the changes in the magnetization and in the coercivity. The Curie temperature linearly decreases with increasing $Co^{2+}$- $Ti^{4+}$ concentration x.
Al$\^$3+/ substituted garnet Y$_3$Fe$\_$5-x/Al$\_$x/O$\_$12/ (x=0.0, 0.25, 0.5, 0.75, 1.0) was fabricated by sol-gel method. The crystallographic and magnetic properties of Y$_3$Fe$\_$5-x/Al$\_$x/O$\_$12/ have been studied with Mossbauer spectroscopy, x-ray diffraction (XRD), thermogravimetry analysis (TGA), differential thermal analysis (DTA), and vibrating samples magnetometer (VSM). The crystal structure of Y$_3$Fe$\_$5/O$\_$12/ is found to be a cubic with the lattice constant a$\_$0/= 12.381$\pm$0.005 $\AA$. The lattice constants a$\_$0/ decreases linearly from 12.381 to 12.304 A as the Al concentration (x) increases from x=0.0 to 1.0. Mossbauer spectra of measured at Y$_3$Fe$\_$5-x/A1$\_$x/O$\_$12/ various absorber temperatures of 13 to 600 K. Mossbauer spectrum for x = 0.0 is consist of well resolved two sets of six line patterns. While with increasing Al concentration outer sextet patters, which is originating from octahedral sites, broadens widely. These phenomena are interpreted in terms of random probability distributions of Fe$\^$3+/ and Al$\^$3+/ in tetrahedral site.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.14
no.3
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pp.691-698
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2010
In this study Al-doped ZnO (AZO) thin films have been fabricated on Eagle 2000 glass substrates at various substrate temperature ($100{\sim}500^{\circ}C$) and working pressure (10 ~ 40 mTorr) by RF magnetron sputtering in order to investigate the structural, electrical, and optical properties of the AZO thin films. The obtained films were polycrystalline with a hexagonal wurtzite structure and preferentially oriented in the (002) crystallographic direction. The AZO thin films, which were deposited at $T=300^{\circ}C$ for 10 mTorr, shows the highest (002) orientation, and the full width at half maximum (FWHM) of the (002) diffraction peak is $0.42^{\circ}$. The lowest resistivity ($2.64{\times}10^{-3}\;{\Omega}cm$) with the highest cartier concentration ($5.29{\times}10^{20}\;cm^{-3}$) and a Hall mobility of ($6.23\;cm^2/Vs$) are obtained in the AZO thin films deposited at $T=300^{\circ}C$ for 10 mTorr. The optical transmittance in the visible region is approximately 80%, regardless of process conditions. The optical band-gap depends on the Al doping level as the substrate temperature increases and the working pressure decrease. The optical band-gap widening is proportional to cartier concentration due to the Burstein-Moss effect.
Dipropargyldiphenylmetane, $C_{19}H_{16}, crystallizes in a monoclinic space group $C2/_c$$ with a = 11304(3), b = 20.799(5), c = 6.622(2)${\AA}$, ${\beta} = 112.8(3)^{\circ}$, Z = 4, V = 1435.3${\AA}^3,\;F(000)\;=\;520,\;D_c\;=\;1.14g{\cdot}cm^{-3}$ and ${\mu}\;=\;0.32\;cm^{-1}$. The structure was solved by direct methods and all non-H atoms were identified in the E-map. The final refinement gave R = 0.055 from 1328 unique observed reflections with I $\geq$ -1.0 $\sigma(I).$ The molecule belongs to the point group $C_2$ of Symmetry by possessing the 2-fold axis which coincides witeh the crystallographic symmetry axis in the unit cell. The linear propargyl moiety is nearly $perpendicular(94.2)^{\circ}$ to the molecular plane of the benzene ring. The internal angle of methane carbon atoms in $108.1(1)^{\circ}$, bonding to the benzene and the propargyl moiety with the bond lengths of 1.530(2) and $1.560(2)\AA$, respectively. The shortest contant between the molecules is $3.538(2)\AA$ between C(9) and C(9) (-x, y, -1/2-z).
The microwave dielectric properties of $Zn_3Nb_2O_8\;with\;V_2O_5$ addition were investigated. The addition of $V_2O_5$ enhanced the sinterability of $Zn_3Nb_2O_8$, which resulted in high density of $Zn_3Nb_2O_8$ ceramic greater than 95% of the theoretical value when sintered at $900^{\circ}C$ for 4 hours. X-ray diffraction analysis of sintered $Zn_3Nb_2O_8$ ceramic showed no second phase with $V_2O_5$ addition. Dielectric permittivity(${\varepsilon}_r$) and quality factor($Q{\times}f$) varied with both density at different sintering temperature and $V_2O_5$ addition. Dielectric permittivity, quality factor and temperature coefficient($T_{cf}$) of the two mole of $V_2O_5\;added\;Zn_3Nb_2O_8$ that was sintered at $900^{\circ}C$ were 21.4, 40,000, $-54ppm/^{\circ}C$, respectively.
Y3Al5O2 and Nd: Y3Al5012 single crystals were grown by Czochralskl technique. The effectt of pulling rate rotation rate, and doping level of Nd3+ ion on the crystal quality were studied Various types of defects were analysed by photo-elastic effect and chemical etching method Finally, spectroscopic and laser poputies of grown crystal were measured. Optirmum pulling rate for good quality was dependant on the doping level of Nd3+ ion. It was found that the suitable pulling rates for pure Y3Al5O12 for 3.0∼3.5 a/o Nd3+ ion doped Y3Al5012 and for more than 40 a/o Nd3+ ion doped Y3Al5012 were 2∼4mm/hr, 0.6∼0.5mm/hr, and less than 0.4mm/hr respectively. Solid-liquid interface was convex at the rotation rate of 27∼60rpm, and concave at the rotation rate of 80∼100rpm. Growth axis was confired to <111> direction and lattice parameter was measured to 12.017A. Core (211) facets,striations, inclusions of metal particles, dislocations and optical inhonngeneities were detected. Four level laser transition of Nd3+ion in YIAls012 single crystal were identified by the spectroscopic measurements. Laser rod with tam diameter and 63mm length was fabricated from grown Nd3+ Y3Al5012 sin91e crystals. 1.8lJ of lasing threshould and 0.49% of soope efficiency were measured by the Pulsed laser action.
Beta-asarone is the well-known active ingredient of Rhizoma acori graminei. In this study, we investigated and compared the binding affinity of mosquito oviposition pheromone (MOP; (5R,6S)-6-acetoxy-5-hexadecanolide) and beta-asarone on the A domain of the mosquito odorant binding protein 1 (CquiOBP1) by in silico computational docking studies. The three-dimensional crystallographic structure of CquiOBP1 was obtained from the PDB database (PDB ID: 3OGN). In silico computational auto-docking analysis was performed using PyRx, Autodock Vina, Discovery Studio Version 4.5, and the NX-QuickPharm option based on scoring functions. The beta-asarone showed optimum binding affinity (docking energy) with CquiOBP1 as -6.40 kcal/mol as compared to the MOP (-6.00 kcal/mol). Among the interacting amino acids (LEU76, LEU80, ALA88, MET89, HIS111, TRP114, and TYR122), tryptophan 114 in the CquiOBP1 active site significantly interacted with both MOP and beta-asarone. Amino acids substitution (mutation) from non-polar groups to the polar (or charged) groups of the CquiOBP1 dramatically changed the X, Y, Z grid position and binding affinity of both ligands. These results significantly indicated that beta-asarone could be a more potent ligand to the CquiOBP1 than MOP. Therefore, the extract of Rhizoma acori graminei or beta-asarone can be applied to the fields of insecticidal and repellant biomaterial development.
Yin, Yongyi;Sahu, B.B.;Lee, J.S.;Kim, H.R.;Han, Jeon G.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.341-341
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2016
The discovery of light emission in nanostructured silicon has opened up new avenues of research in nano-silicon based devices. One such pathway is the application of silicon quantum dots in advanced photovoltaic and light emitting devices. Recently, there is increasing interest on the silicon quantum dots (c-Si QDs) films embedded in amorphous hydrogenated silicon-nitride dielectric matrix (a-SiNx: H), which are familiar as c-Si/a-SiNx:H QDs thin films. However, due to the limitation of the requirement of a very high deposition temperature along with post annealing and a low growth rate, extensive research are being undertaken to elevate these issues, for the point of view of applications, using plasma assisted deposition methods by using different plasma concepts. This work addresses about rapid growth and single step development of c-Si/a-SiNx:H QDs thin films deposited by RF (13.56 MHz) and ultra-high frequency (UHF ~ 320 MHz) low-pressure plasma processing of a mixture of silane (SiH4) and ammonia (NH3) gases diluted in hydrogen (H2) at a low growth temperature ($230^{\circ}C$). In the films the c-Si QDs of varying size, with an overall crystallinity of 60-80 %, are embedded in an a-SiNx: H matrix. The important result includes the formation of the tunable QD size of ~ 5-20 nm, having a thermodynamically favorable <220> crystallographic orientation, along with distinct signatures of the growth of ${\alpha}$-Si3N4 and ${\beta}$-Si3N4 components. Also, the roles of different plasma characteristics on the film properties are investigated using various plasma diagnostics and film analysis tools.
A single crystla of zeolite $Na_{78}Rb_{28}-X$ (approximate composition) was prepared by exposing $Na_{92}-X$ at $350^{\circ}C$ to 0.1 Torr of rubidium vapor, and its structure was determined by single-crystal x-ray diffraction methods in the cubic space group, Fd3, ${\alpha}=25.045(4){\AA}$. The structure was refined to the final error indices $R_1=0.082$ and $R_2=0.084$ with 353 for which I>$3{\sigma}(I)$. Only about 28 of the 92 $Na^+$ ions per unit cell were reduced and only about 14 of the 28 $Na^0$ atoms produced were retained within the zeolite. A $Na_5{^{4+}}$ cluster is present within each sodalite cavity. It is a centered tetrahedron (like $CH_4$) with bond $length=2.80(2){\AA}$ and angle tetrahedral by symmetry, and shows the full symmetry of its site. $T_d$, at the center of the sodalite cavity. Each of the four terminal atoms of the $Na_5{^{4+}}$ cluster bond to three framework oxygens at $2.36(2){\AA}$. At the centers of some double 6-rings are sodium atoms which bridge linearly between $Na_5{^{4+}}$ clusters to form agglomerations such as short zig-zag chains $Na_5{^{4+}}$ clusters. Delocalized electrons, located primarily on the sodiums at centers of the sodalite and (likely) double-six-ring cavities, contribute to the stability of the clusters.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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