The photosensitive properties and spectroscopic characteristics in the organic photoconductor(OPC) with carrier generation layer(CGL) of poly(vinylbutyral)(PVB) and polycarbonate(PC) doped with titanyl phthalocyanine(TiOPc) were investigated. The change of crystal structure of TiOPc dispersed with PVB and PC was shown by UV-visible reflective spectrum and FT-IR spectrum and mainly caused by the difference of solubility of solvent and the interaction between TiOPc and binder. The particle size of TiOPc dispersed with PVB measured by SEM was smaller than in PC. The crystal structure of TiOPc dispersed with PVB was amorphous type and in PC was $\alpha$type. It was found that the photosensitive properties of OPC were dependent on the change of absorbance and ionization potential of TiOPc occurred from the difference of crystal structure. In this work, the photosensitivity of OPC of TiOPc dispersed with PVB was better than PC due to the crystal type and the smaller particle size.
The role of microstructure is quite significant in fretting of Ti-6Al-4V since its material properties depend strongly on crystallographic texture. In this study, we adopt crystal plasticity theory with a 2-D planar triple slip idealization to account fur microstructure effects such as grain orientation distribution, grain geometry, as well as $\alpha$ colony size. Crystal plasticity simulations suggest strong implications of microstructure effects at fretting contacts.
The CSD (crystal size distribution) of diopside crystals in the calc-silicate hornfels of the Hwanggangni Formation intruded by the Cretaceous Daeyasan granite shows the patterns of continuous nucleation and growth. There is correlation between the distance from the intrusion contact and the slopes from the linear part of log(population density) vs. size diagrams. In the log(population density) vs. size diagrams of the samples systematically collected from the intrusion contact, two different groups are recognized; the slopes for the samples near the intrusion contact (horizontal distance from the contact less than 50m) are gentler (1500$cm^{-1}$) than those for the samples away from the intrusion contact (2500$cm^{-1}$, distance from the contact greater than 100 m). These differences may reflect the differences in growth rates and crystallization time, or the differences in diopside-forming reactions. All of the log(population density) vs. size diagrams show depletion of smaller crystals. The observed depletion may be due to Ostwald ripening or the changes in nucleation rates as the reactant phases diminishes. Similar grouping is also possible for the observed degree of depletion of smaller crystals; the depletion decreases with increasing distance from the intrusion contact, suggesting temperature-dependent rates of Ostwald ripening.
So far, the design methods of quartz crystal resonator have been developed. Recently, as the electronic package and semiconductor modules become smaller, the need to minimize the sizes of crystal components grows larger. but Minimizing crystal plate sizes has limitations because its temperature-frequency characteristics is worse and unwanted resonances occur. so appropriate design of electrode size and crystal plates is necessary. In this palter, Two-dimensional governing equations for electroded piezoelectric crystal plates with general symmetry have been solved from deduced equations from three-dimensional equations of linear piezoelectricity in most cases. In practice, electroded piezoelectric crystal plates have three-dimensional geometry, so simplified 2-dimensional equations and 2-D modeling are insufficient for explaining its resonance modes and characteristics. So, three-dimensional FEM(finite element method) analysis is done and its effectiveness is verified from analyzing practical crystal resonator model.
Progress in Si crystal and wafer technologies is discussed on single crystal growth, wafer fabrication, epitaxial growth, gettering, 300 mm and SOI. As for bulk crystal growth, the mechanism of grown-in defects (voids) formation, the succes of grown-in defect free crystal growth technology and nitrogen doped crystal are shown. New wafer fabrication technologies such as both-side mirror polishing and etchingless process have been developed. The epitaxial growth of SiGe/Si heterostructure for high speed bipolar device is treated. Gettering technology under low temperature process such as RTP is important, and also it is shown that IG effect for Ni could be predicted using computer simulation of precipitate density and size. The development of 300 mm wafer and SOI has made progress steadily.
Kim, Seul-Gi;Seo, Young-Gon;Cho, Young-Jin;Shin, Jin-Sub;Gil, Seung-Chul;Lee, Won-Mok
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제31권7호
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pp.1891-1896
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2010
Submicron-sized polymeric colloidal particles can self assemble into 3-dimensional (3D) opal structure which is a useful template for photonic crystal. Narrowly dispersed polymer microspheres can be synthesized by emulsion polymerization in water using water-soluble radical initiator. In this report, we demonstrate a facile and reproducible emulsion polymerization method to prepare various polymeric microspheres within 200 - 400 nm size ranges which can be utilized as colloidal photonic crystal template. By controlling the amount of monomer and surfactant, monodisperse polymer colloids of polystyrene (PS) and acrylates with various sizes were successfully prepared without complicated synthetic procedures. Such polymer colloids self-assembled into 3D opal structure exhibiting bright colors by reflection of visible light. The colloidal particles and the resulting opal structures were rigorously characterized, and the wavelength of the structural color from the colloidal crystal was confirmed to have quantitative relationship with the size of constituting colloidal particles as predicted by Bragg equation. The tunability of the structural color was achieved not only by varying the particle size but also by infiltration of the colloidal crystal with liquids having different refractive indices.
소다 공정에서 탄산칼슘 결정의 평균입경과 형상 변화를 온도변화와 PAA 용액의 첨가에 대하여 연구하였다. 낮은온도($30^{\circ}C$, $60^{\circ}C$)에서는 Calcite 결정을, 높은 온도($80^{\circ}C$)에서는 Aragonite 결정을 얻었다. $30^{\circ}C$와 $80^{\circ}C$에서 용액에 PAA 용액을 첨가하여도 결정의 형상변화는 없었다. 중간온도($60^{\circ}C$)에서 PAA 용액을 첨가하여 Aragonite 결정을 얻었다. 결정의 형상변화가 PAA 분자 첨가로 인하여 일어났다. PAA 용액의 농도가 높을수록, 더 많은 Aragonite 결정을 얻었다. PAA 수용액의 농도가 높고 분자량이 클수록 탄산칼슘 결정의 평균입경은 증대하였으며, 형상변화가 일어나는 영역에서는 PAA의 분자량이 평균입경변화에 중요한 변수가 된다.
한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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pp.921-923
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2002
Vertically Aligned (VA) technology is an advanced technology for TFT-LCDs, which is mainly used in larger size displays like monitors for desktop computers and even for TVs. We will review our recent developments of Liquid Crystal (LC) mixtures for VA display modes.
Gradient enhanced theories of crystal plasticity enjoy great research interest. The focus of this work is on thermodynamically consistent modeling of grain size dependent hardening effects. In this contribution, we develop a model framework for damage coupled to gradient enhanced crystal thermoplasticity. The damage initiation is directly linked to the accumulated plastic slip. The theoretical setting is that of finite strains. Numerical results on single-crystalline metal showing the development of damage conclude the paper.
실리콘 단결정은 반도체 소자 제조에 널리 쓰이는 중요한 재료로서 이 결정 성장 기술은 결정의 고품질화, 대구경화를 이룩하기 위하여 꾸준히 발전되어 왔다. 본 보는 생산성의 경제적인 효율 측면에서 각종 결정 인상 기술이 장, 단점을 간략히 소개하고, 이 기술 및 공정의 장래에 대하여 기술하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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