• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권7호
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• pp.13-19
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• 2006

5Gb/s대역 크로스커플 구조의 트랜스임피던스 증폭기 및 제한증폭기가 연결된 광 수신기를 광 PCB에 응용하기 위해 설계 하였다. 회로는 0.18um CMOS 공정으로 구현되었다. 광 수신기는 0.5pF 광 다이오드 기생 캐퍼시턴스에서 $92.8db{\Omega}$ 임피던스 이득과 5Gbps의 주파수 대역을 갖는다. 그리고 1.8V, 2.4V 공급전압에서 9.74mV의 전력소모를 보인다. 입력단의 임피던스는 $50{\Omega}$ 이다. 회로를 광 PCB기판에 올려 광신호 송신 실험하여 5Gb/s 데이터의 수신을 확인하였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2002년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.244-247
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• 2002

The performance of the precision micro-positioning 4-dof stage is presented. The compact design utilizes the monolithic mechanism to achieve the translation in the Z axis and rotation in the $\theta$ z, $\theta$ x and $\theta$ y axes with high stiffness and high damping. Hysteresis, nonlinearity, and drift of the piezoelectric effects are improved by incorporating the sensors in a feedback control. Experiments demonstrate that the micro-positioning stage is capable of 2nm resolution over the travel range of 25$\mu\textrm$ m in the Z axis, 0.0l7 $\mu\textrm$ rad resolution over the 170$\mu\textrm$ rad in the $\theta$ z and 0.011 $\mu\textrm$ rad resolution over the $\mu\textrm$ rad in the $\theta$ x and $\theta$ y axes. The cross-axis interferences among the axes are at a noise range. This stage is available for positioning error compensation of the XY stage with large stroke.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제39권2호
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• pp.81-91
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• 2002

본 논문에서는 고품질 본드와이어 집적 트랜스포머를 제안하고 제작하였다. 본드와이어 트랜스포머는 본드와이어의 넓은 단면적으로 인하여 도체손실이 작으며 수직적인 구조로 인해 기판효과를 감소시킬 수 있으므로 적은 기생 캐패시턴스 값을 갖는다 또한 자동화된 와이어 본딩장비로 쉽게 제작 가능하다. 제작된 본드와이어 트랜스포머의 전기적 특성을 나선형 트랜스포머 비교하였다. 고품질 본드와이어 집적 트랜스포머는 RFIC와 MMIC의 MIXER, 평형 증폭기, VCO, LNA등 다양한 회로에 적용되어 전체 성능향상에 기여할것으로 기대된다.

• 한국자기학회지
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• 제4권2호
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• pp.179-183
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• 1994

자왜 또는 자기이방성의 측정에 사용되는 전자석의 여자전류를 측정에 필요한 수초간만 흘려서 에너지 소모 및 측정시의 최대난점인 시료의 온도변화의 문제를 극소화하였다. 따라서 전자석의 냉각장치는 생략되고 크기와 전원의 용량도 극소화되었다. 공기간격 22 mm, 자극의 단면적 $40{\times}25mm^{2}$에서 0.5 T의 자장발생에는 180 W의 전원으로 족하였다. 시료의 자왜와, 자기이방성에 의한 토크를 전기용량센서에 의하여 측정하여 $10^{-8}$의 자왜분해능과 1 nJ의 토크 분해능을 얻었다. $0.02{\times}0.8{\times}10mm^{2}$의 연자성 리본의 형상이방성을 이용하여 이방성 측정시의 토크값을 교정하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권6호
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• pp.781-792
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• 2016

This paper presents a new approach to enhance the data retention of logic-compatible embedded DRAMs. The memory bit-cell in this work consists of two logic transistors implemented in generic triple-well CMOS process. The key idea is to use the parasitic junction capacitance built between the common cell-body and the data storage node. For each write access, a voltage transition on the cell-body couples up the data storage levels. This technique enhances the data retention and the read performance without using additional cell devices. The technique also provides much strong immunity from the write disturbance in the nature. Measurement results from a 64-kbit eDRAM test chip implemented in a 130 nm logic CMOS technology demonstrate the effectiveness of the proposed circuit technique. The refresh period for 99.9% bit yield measures $600{\mu}s$ at 1.1 V and $85^{\circ}C$, enhancing by % over the conventional design approach.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제23권5호
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• pp.9-17
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• 2009

본 논문은 발전소 보일러 및 제철소 고로의 미분탄 연소방식에 적용이 가능한 유량계 개발에 관한 연구로서 분체의 밀도와 속도로 미분탄의 유량을 측정하는 시스템을 개발하였다. 관에 흐르는 미분탄의 밀도는 관의 표면에 전극을 설치하여 기준극과 측정극사이의 커패시터를 이용하여 측정한다. 속도는 일정 거리에 두 개의 전극을 설치하고 이 전극으로부터 두 개의 파형을 교차 상관관계 알고리즘을 이용하여 계산하였다. 분체의 유량을 측정된 밀도와 속도에 의하여 계산한다. 이 시스템에 설치된 로드셀에 의한 데이터와 개발한 유량 측정 시스템의 데이터를 비교하여 신뢰성을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권8호
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• pp.555-559
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• 2003

본 논문에서는 CMOS 소자의 RF 동작을 정확히 예측하기 위해 Si 표면에서의 메탈 라인 사이의 커패시턴스 효과와 표피효과 및 근접효과를 포함한 RF IC 설계를 위한 새로운 CMOS RF 모델을 처음으로 제시하였다. Si 표면에서의 메탈 라인 사이의 커패시턴스는 레이아웃에 기초하여 모델링하였으며, 표피효과는 메탈 라인의 등가회로에 병렬회로를 부가하여 사다리꼴 등가회로로 구현하였다. 근접효과는 사다리꼴 등가회로에서 교차 결합된 인덕턴스 사이의 상호 인덕턴스를 부가함으로써 모델링하였다. 제안된 RF 모델은 BSIM 3v3에 비해 측정 데이터와 잘 일치하였으며, GHz 영역에서 소자 동작의 주파수 종속성을 잘 보여주었다.

• 한국광학회지
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• 제4권1호
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• pp.57-65
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• 1993

용량 이행형 방전여기에 의한 소형 XeCl레이저를 제작하고, 가스 혼합비에 따른 출력특성을 조사하였다. 내자형 capacitor에 의한 자동 예비전리 방식과 2.7 cm 간격의 Chang형상으로 가공된 전극구조의 레이저를 구성하여 2.7cm${\times}$1.5cm 크기의 출력 빔을 얻었고, Xe과 HC1의 농도 변화 및 완충 기체의 종류에 따른 최대 출력 에너지 및 최대 효율 조건을 조사하였다. 최대 레이저 펄스 에너지는 Ne 완충기체를 사용시 230mJ이며, 단위 방전 체적당 1.1 J/l의 에너지를 얻었으며, 최대 에너지 효율은 1.6%이었다. 1:3의 낮은 비율의 피-킹 캐패시턴스의 구성에 의해 레이저 펄스폭은 장펄스 효과를 나타내 foot-to-foot 200 ns로 측정되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제32권5호
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• pp.382-386
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• 2019

The alignment characteristics of liquid crystal (LC) molecules on a solution-derived lanthanum zinc oxide (LZO) film under ion-beam irradiation were demonstrated. Using the solution process, an LZO film was fabricated on the glass substrate and cured at $100^{\circ}C$. Afterwards, ion-beam irradiation was performed following the LC alignment method. Using this film, an LC cell was fabricated and the characteristics of the LC alignment were verified. Cross polarizing microscopy and the crystal rotation method were used to investigate the alignment state of the LC molecules on the LZO films. Furthermore, field emission scanning electron microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy were used to explore the effect of the ion-beam irradiation on the LZO film. Through these, it was confirmed that the ion-beam irradiation induced surface modification, which demonstrated anisotropic physical and chemical surface characteristics. Due to this, uniform LC alignment was achieved. Finally, the residual DC and anchoring energy of the LC cell based on the LZO films were measured using a capacitance-voltage curve.

• 한국전자파학회논문지
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• 제21권6호
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• pp.591-600
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• 2010

본 논문에서는 TSMC 0.13 ${\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 3가지 종류의 근거리 레이더용 저전력 교차 결합 전압 제어 발진기를 설계, 제작하였다. 기본적인 교차 결합 전압 제어 발진기는 24.1 GHz를 중심으로 발진하도록 설계되었고, 이를 기본으로 저전력 동작을 위한 subthreshold 발진기가 설계되었다. 특히 큰 트랜지스터를 사용해야 하는 subthreshold 발진기에서 기생 캐패시터에 의해 발진 주파수가 낮아지는 문제점을 개선하기 위해 이중 공진 회로 구조를 발진기에 사용하는 것이 시도되었다. 제작된 CMOS 전압 제어 발진기는 종류에 따라 1 MHz offset 주파수에서 -101~-103.5 dBc/㎐의 위상 잡음, -11.85~-15.33 dBm의 출력 전력, 그리고 475~852 MHz의 주파수 조정 범위들을 보였다. 전력 소모 측면에서는 기본적인 발진기가 5.6 mW를 사용하였고, 저 전력 subthreshold 회로는 3.3 mW를 사용하였다. 이중 공진 회로 구조의 subthreshold 발진기는 기본 발진기와 유사한 주파수 조정 범위를 유지하면서 상대적으로 작은 전력을 소모하고 개선된 위상 잡음 특성을 보였으며, 1 mW DC 전력 기준의 figure-of-merit(FOM)이 약 3 dB 가량 개선되어 -185.2 dBc의 값을 가졌다.