$(C_{10}H_8N_2H)_2Cr_2O_7$ was synthesized by reacting 4,4'-bipyridine and chromium (VI) trioxide. The structure of the product was characterized with FT-IR (infrared spectroscopy) and elemental analysis. The oxidation of benzyl alcohol using $(C_{10}H_8N_2H)_2Cr_2O_7$ in various solvents showed that the reactivity increased with the increase of the solvent dielectric constant, in the order of DMF (N,N'-dimethylformamide) > acetone > chloroform > cyclohexane. In the presence of DMF, an acidic catalyst such as $H_2SO_4$$(C_{10}H_8N_2H)_2Cr_2O_7$ oxidized benzyl alcohol (H) and its derivatives ($p-OCH_3$, $m-CH_3$, $m-OCH_3$, m-Cl, $m-NO_2$). Electron donating substituents accelerated the reaction rate, whereas electron acceptor groups retarded the reaction rate. Hammett reaction constant (${\rho}$) was -0.70 (308 K). The observed experimental data were used to rationalize the hydride ion transfer in the rate determining step.
The AISI 216L stainless steel with a composition of Fe-16Cr-6Ni-6Mn-1.7Mo (wt.%) was oxidized at $700{\sim}900^{\circ}C$ in air for 100 h. At $700^{\circ}C$, a thin $Mn_{1.5}Cr_{1.5}O_4$ oxide layer with a thickness of $0.4{\mu}m$ formed. At $800^{\circ}C$, an outer thin $Fe_2O_3$ oxide layer and a thick inner $FeCr_2O_4$ oxide layer with a total thickness of $30{\mu}m$ formed. The non-adherent scale formed at $800^{\circ}C$ was susceptible to cracking. At $900^{\circ}C$, an outer thin $Fe_2O_3$ oxide layer and a thick inner $Mn_{1.5}Cr_{1.5}O_4$ oxide layer formed, whose total thickness was $10{\sim}15{\mu}m$. The scales formed at $900^{\circ}C$ were non-adherent and susceptible to cracking. 216 L stainless steel oxidized faster than 316 L stainless steel, owing to the increment of the Mn content and the decrement of Ni content.
Moon, S.-Y.;Choi, K. S.;Jung, K. W.;Lee, H.;Jung, D.
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.23
no.10
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pp.1463-1482
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2002
Partially doped Aurivillius phases SrBi2N$b_{2-x}M_xO_9$ (M=Cr and Mo) were successfully synthesized and characterized. The extent of the substitution was limited at ~20 mole % because of the size differences between $Nb^{5+}$ and $Cr^{6+}$, and between $Nb^{5+}$ and $Mo^{6+}$. When the amount of substitution exceeded ~20 mole%, the phases began to collapse and the second phases were made. The dielectric constants of substituted compounds were enlarged nevertheless Cr or Mo is substituted. The increment is bigger in the Mo substituted compound than in the Cr doped one although the Nb(Cr)$O_6$ octahedra could be more strongly distorted than the Nb(Mo)$O_6$ octahedra since the ionic size difference between $Nb^{5+}$ and of $Cr^{6+}$ is much bigger than that between $Nb^{5+}$ and $Mo^{6+}$. Consequently, the dielectric constant of the substituted Aurivillius phase $Bi_2$A_{n-1}B_{n-x}M_xO_{3n+1}$$ depends on the extent of distortion of the B$O_6$ octahedra and more strongly on the polarizability of the metal.
A non-volatile resistive random access memory (RRAM) device with a Cr-doped $SrZrO_3/SrRuO_3$ bottom electrode heterostructure was fabricated on $SrTiO_3$ substrates using pulsed laser deposition. During the deposition process, the substrate temperature was $650^{\circ}C$ and the variable ambient oxygen pressure had a range of 50-250 mTorr. The sensitive dependences of the film structure on the processing oxygen pressure are important in controlling the bistable resistive switching of the Cr-doped $SrZrO_3$ film. Therefore, oxygen pressure plays a crucial role in determining electrical properties and film growth characteristics such as various microstructural defects and crystallization. Inside, the microstructure and crystallinity of the Cr-doped $SrZrO_3$ film by oxygen pressure were strong effects on the set, reset switching voltage of the Cr-doped $SrZrO_3$. The bistable switching is related to the defects and controls their number and structure. Therefore, the relation of defects generated and resistive switching behavior by oxygen pressure change will be discussed. We found that deposition conditions and ambient oxygen pressure highly affect the switching behavior. It is suggested that the interface between the top electrode and Cr-doped $SrZrO_3$ perovskite plays an important role in the resistive switching behavior. From I-V characteristics, a typical ON state resistance of $100-200\;{\Omega}$ and a typical OFF state resistance of $1-2\;k{\Omega}$, were observed. These transition metal-doped perovskite thin films can be used for memory device applications due to their high ON/OFF ratio, simple device structure, and non-volatility.
In this study, in order to improve densification of $La_{0.8}Ca_{0.2}Cr_{0.9}Co_{0.1}O_{3-\delta}$ (LCCC), which is known for one of the most proper candidate interconnector materials in the solid oxide fuel cells, $CaCrO_4$ was prepared via solid oxide synthesis route and added to the LCCC with different amount and particle sizes. As the amount of the $CaCrO_4$ increased, porosity of the sintered samples increased, and the pore size was proportional to the particle size of the $CaCrO_4$. This supports the fact that the $CaCrO_4$ phase forms liquid during sintering and permeate into the matrix leaving behind large pores. Then the liquid reacts with the matrix through the solid solution. However, when the samples were sintered with a slow ramp up rates, the porosity decreased. This is thought to be caused by the progressive solid solution of $CaCrO_4$ before the temperature reach to the melting temperature and forms a fluent amount of liquids. The sintering behavior of the LCCC with the addition of $CaCrO_4$ was analyzed through the transient liquid phase sintering on the basis of the microstructure observation and phase identification by x-ray diffraction.
Sputter-deposited Nb-Al-Cr alloys. $3-5{\mu}m$ thick, have been prepared on quartz substrates as oxidation-and sulfidation-resistant materials at high temperatures. The oxidation or the alloys in the $Ar-O_2$ atmosphere of an oxygen partial pressure of 20 kPa follows approximately the parabolic rate law, thus being diffusion controlled. Their oxidation rates are almost the same as or even lower than those ofthc typical chromia-forming alloys. The multi-lavered oxide scales are formed on the ternary alloys. The outermost layer is composed of $Cr_2O_3$, which is"mainly responsible for the high oxidation'resistance of these alloys. In contrast to sputter-deposited Cr-Nb binary alloys reported previously, the inner layer is not porous. TEM observation as well as EDX analysis indicates that the innermost layer is a mixture of $Al_2O_3$ and niobium oxide. The dispersion of $Al_2O_3$ in niobium oxide may be attributable to the prevention of the formation of the porous oxide layer. The sulfidation rates of the present ternary alloys arc higher than those of the sputter-deposited Nb-AI binary alloys, but still several orders of magnitude lower than those of conventional high temperature alloys. Two-layered sulfide scales are formed, consisting of an outer $Al_2S_3$ layer containing chromium and an inner layer composed of $NbS_2$ and a small amount of $Cr_2S_3$. The presence of $Cr_2S_3$ in the inner protective $NbS_2$ layer may be attributed to the increase in the sulfidation rates.
In order to photocatalytically treat organic matter (CODCr) and chromaticity effectively, chemical coagulation and sedimentation processes were employed as a pretreatment of the leachate produced from landfill in Jeju Island. This was performed using FeCl3·6H2O as a coagulant. For the treated leachate, UV/TiO2 and UV/TiO2/H2O2 systems were investigated, using 4 types of UV lamps, including an ozone lamp (24 W), TiO2 as a photocatalyst, and/or H2O2 as an initiator or inhibitor for photocatalytic degradation. In the chemical coagulation and sedimentation process using FeCl3·6H2O, optimum removal was achieved with an initial pH of 6, and a coagulant dosage of 2.0 g/L, culminating in the removal of 40% CODCr and 81% chromaticity. For the UV/TiO2 system utilizing an ozone lamp and 3 g/L of TiO2, the optimum condition was obtained at pH 5. However, the treated CODCr and chromaticity did not meet the emission standards (CODCr: 400 mg/L, chromaticity: 200 degrees) in a clean area. However, for a UV/TiO2/H2O2 system using 1.54 g/L of H2O2 in addition to the above optimum UV/TiO2 system, the results were 395 mg/L and 160 degrees, respectively, which were within the emission standard limits. The effect of the UV lamp on the removal of CODCr, and chromaticity of the leachate decreased in the order of ozone (24 W) lamp > 254 nm (24 W) lamp > ozone (14 W) lamp > 254 nm (14 W) lamp. Only CODCr and chromaticity treated with the ozone (24 W) lamp met the emission standards.
Kim, Dong Jun;La, Joung Hyun;Ki, Sung Min;Lee, Sang Yul
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.94-94
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2013
The Cr-Zr-N films have much improved mechanical properties and very smooth surface roughness. However, in spite of their outstanding properties, the Cr-Zr-N coatings revealed their mechanical properties deteriorated severely with increasing Zr content at $500^{\circ}C$ ecause of very rapid oxidation. Recently oxynitride films have been widely studied due to their excellent unique mechanical properties and oxidation resistance. In this work, CrZr-O-N films with various O contents were synthesized by unbalanced magnetron sputtering with Cr-Zr segment targets (Cr:Zr volume ratios is 1:1) and all films were prepared in a nitrogen rich mixture of N2 and O2. Characteristics such as crystalline structure, hardness and chemical composition as a function of the O content were investigated by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscope (FE-SEM), microhardness testing system and energy dispersive spectroscopy (EDS). Results showed that the thin films had dense and compact microstructure as O content in the films increases. The microstructure of the thin films consisted of mainly crystalline Cr (Zr)N phase and Cr2O3 phase. The maximum hardness and elastic modulus of the films was measured to be approximately 33.2 GPa and 280.6 GPa from the films with low content of O elements. Detailed experimental results will be presented.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.15
no.8
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pp.664-670
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2002
The electrical characteristics of $ZnO-Pr_6O_{11}-CoO-Cr_2O_3-Y_2O_3$(ZPCCY)-based varistors were investigated with $Y_2O_3$ content in the range of 0.0~4.0 mol%. As $Y_2O_3$ content is increased, the average grain size was markedly decreased in the range of 18.6~3.2 $\mu m$ and the density of the ceramic was decreased in the range of 5.53 ~3.74 $g/\textrm{cm}^3$. While, the varistor voltage was increased in the range of 39.4~748.1 V/mm and the nonlinear exponent was in the range of 4.5~51.2 with increasing $Y_2O_3$ content. The addition of $Y_2O_3$ greatly enhanced the nonlinear properties of varistors, compared with the varistor without $Y_2O_3$. In particular, the varistors with $Y_2O_3$content of 0.5 mol% exhibited the highest nonlinearity, in which the nonlinear exponent is 51.2 and the leakage current is 1.3 $\mu A$. The donor concentration and the density of interface states were decreased in the range of (4.19~0.14) $\times$10$^{18}$ /㎤ and (5.38~1.15)${\times}10^{18}/\textrm{cm}^3$, respectively, with increasing $Y_2O_3$ content.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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