Seo, Youngsik;Cho, Young-Sik;Huh, Young-Duk;Park, Heonyong
Molecules and Cells
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제39권3호
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pp.195-203
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2016
Copper is an essential element required for a variety of functions exerted by cuproproteins. An alteration of the copper level is associated with multiple pathological conditions including chronic ischemia, atherosclerosis and cancers. Therefore, copper homeostasis, maintained by a combination of two copper ions ($Cu^+$ and $Cu^{2+}$), is critical for health. However, less is known about which of the two copper ions is more toxic or functional in endothelial cells. Cubic-shaped $Cu_2O$ and CuO crystals were prepared to test the role of the two different ions, $Cu^+$ and $Cu^{2+}$, respectively. The $Cu_2O$ crystal was found to have an effect on cell death in endothelial cells whereas CuO had no effect. The $Cu_2O$ crystals appeared to induce p62 degradation, LC3 processing and an elevation of LC3 puncta, important processes for autophagy, but had no effect on apoptosis and necrosis. $Cu_2O$ crystals promote endothelial cell death via autophagy, elevate the level of reactive oxygen species such as superoxide and nitric oxide, and subsequently activate AMP-activated protein kinase (AMPK) through superoxide rather than nitric oxide. Consistently, the AMPK inhibitor Compound C was found to inhibit $Cu_2O$-induced AMPK activation, p62 degradation, and LC3 processing. This study provides insight on the pathophysiologic function of $Cu^+$ ions in the vascular system, where $Cu^+$ induces autophagy while $Cu^{2+}$ has no detected effect.
변전위법, 순환전압전류법, 대시간전류법 및 대시간전기량법을 이용하여 구리의 산화 용해반응에 미치는 $Cl^-$의 영향을 조사하였다. 아르곤 분위기의 NaCl 수용액에서 Cu의 산화 용해반응은 전반응식 $Cu+2Cl^{-}{\rightleftharpoons}{CuCl_2}^{-}+e^-$ 에 따라 일어나며, Cu 표면에 $Cl^-$가 흡착하는 과정에 잘 맞는 등온식은 Temkin 흡착등온식 임을 알 수 있었다.
Hasanzadeh, Mohammad.;Shadjou, Nasrin.;Saghatforoush, Lotfali.;Khalilzadeh, Balal.;Kazeman, Isa.
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제30권12호
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pp.2943-2948
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2009
Copper-dimethylglyoxime complex (CuDMG) modified Copper electrode (Cu/CuDMG) showed a catalytic activity towards cyclohexanol oxidation in NaOH solution. The modified electrode prepared by the dimethylglyoxime anodic deposition on Cu electrode in the solution contained 0.20 M $NH_4Cl\;+\;NH_4OH\;(pH\;9.50)\;and\;1\;{\times}\;10^{-4}$ M dimethylglyoxime. The modified electrode conditioned by potential recycling in a potential range of -900${\sim}$900 mV vs. Ag/AgCl by cyclic voltammetry in alkaline medium (1 M NaOH). The results show that the CuDMG film on the electrode behaves as an efficient catalyst for the electro-oxidation of cyclohexanol in alkaline medium via Cu (III) species formed on the electrode.
In order to prepare the uniform copper particles from copper chloride solution, the reduction behavior of copper particles from copper chloride and the effects of reduction agent and dispersing agent was investigated. In the case that 2.56 M of $C_6H_8O_6$ was used as a reduction agent, the highly dispersed Cu particles with sharp size distribution were generated from 0.96M of copper chloride solution, and the size of Cu particles was $6\~10\;{\mu}m$. To form $Cu(NH_3)_4Cl_2$ complex solution, $NH_4OH$ was added in the copper chloride solution before the reductive reaction of Cu ion. The generated Cu particles have a two kind of shape, spherical and rod-like. In the case that $N_2H_4{\cdot}H_2O$ was used as a reduction agent, the very fine spherical Cu particles with the size of $0.2\~0.5\;{\mu}m$ was obtained. Arabic gum as a dispersing agent was more effective than $Na_4P_2O_7{\cdot}10H_2O$.
Copper-indium diselenide, $CuInSe_2$, thin films have been fabricated by selenizing Cu/In stacked layers with different sputtered Cu/(Cu+ln) mole ratios at 450.deg. C for 1hr on alumina substrates. The selenium source was selenium vapor. Microstructure, crystallization, and composition of the selenized $CuInSe_2$ films were examined by using scanning electron microscope, X-ray diffraction, Auger electron spectroscopy, and secondary ion mass spectrometry. Electrical resistivity and hall effects were also measured to investigate the electrical properties. As the sputtered Cu/(Cu+In) mole ratio of In/Cu layer increased, the amounts of void and CuSe phase in the selenized films increased but the composition of $CuInSe_2$ phase was the same regardless of the sputtered mole ratio. Comparing the electrical properties of $CuInSe_2$ thin film before and after the chemical etching, it was seen that the electrical resistivity, carrier concentration, and carrier mobility of the selenized films were affected by the amount of CuSe phase which seemed to increase primarily the hole concentration of the selenized films.
Byeonghyeon, Kim;Jin Young, Jeong;Seol Hwa, Park;Hyunjung, Jung;Minji, Kim
Journal of Animal Science and Technology
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제64권5호
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pp.885-896
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2022
This experiment was conducted to investigate the effects of three different copper (Cu) sources (one inorganic and two organics) and levels (0, 50, and 100 mg/kg) on the growth performance, Cu digestibility, fecal mineral excretion, serum mineral concentration, jejunal morphology, and serum biochemical profile of growing pigs. A total of 42 male, growing pigs (31.08 ± 1.82 kg) were randomly assigned to seven treatments consisting of one negative control (0 mg/kg of added Cu level) and treatments with copper sulfate (CuSO4), Cu-amino acid complex (CuAA), and Cu-hydroxy-4-methylthio butanoate chelate complex (CuHMB) at 50 and 100 mg/kg each for 28 d. Pigs fed 50 or 100 mg/kg of Cu showed improved (p < 0.05) average daily gain and feed intake. Although Cu excretion decreased (p < 0.01) in pigs fed 100 mg/kg of organic Cu sources compared to those fed CuSO4, there was no difference between the Cu sources in pigs fed 50 mg/kg. However, the apparent total tract digestibility of Cu increased (p < 0.01) in pigs fed organic Cu sources compared with that in pigs fed CuSO4. The addition of CuHMB increased (p < 0.01) serum phosphorus and sulfur concentrations; however, there were no effects of source and level on jejunal morphology and serum biochemical profile. These results suggest that the inclusion (50 mg/kg) of organic Cu sources (CuAA and CuHMB) in the growing pig diet could be beneficial for growth performance and Cu availability and may reduce environmental pollution.
Copper chemical mechanical planarization (CMP) has become a key process in integrated circuit (IC) technology. The results of copper CMP depend not only on the mechanical abrasion, but also on the slurry chemistry. The slurry used for Cu CMP is known to have greater chemical reactivity than mechanical material removal. The Cu CMP slurry is composed of abrasive particles, an oxidizing agent, a complexing agent, and a corrosion inhibitor. Citric acid can be used as the complexing agent in Cu CMP slurries, and is widely used for post-CMP cleaning. Although many studies have investigated the effect of citric acid on Cu CMP, no studies have yet been conducted on the interfacial friction characteristics and step height reduction in CMP patterns. In this study, the effect of citric acid on the friction characteristics and step height reduction in a copper wafer with varying pattern densities during CMP are investigated. The prepared slurry consists of citric acid ($C_6H_8O_7$), hydrogen peroxide ($H_2O_2$), and colloidal silica. The friction force is found to depend on the concentration of citric acid in the copper CMP slurry. The step heights of the patterns decrease rapidly with decreasing citric acid concentration in the copper CMP slurry. The step height of the copper pattern decreases more slowly in high-density regions than in low-density regions.
Polarization behavior and corrosion inhibition of copper in acidic chloride solutions containing benzotriazole were studied. Pourbaix diagrams constructed for copper in NaCl solutions with different BTAH concentrations were used to understand the polarization behavior. Open circuit potential (OCP) depended not only on chloride concentration, but also on whether a CuBTA layer was formed on the copper surface. Only when the (pH, OCP) was located well in the CuBTA region of the Pourbaix diagram, a stable corrosion inhibiting CuBTA layer was formed, which was confirmed by X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and a long-term corrosion test. The OCP for the CuBTA layer decreased logarithmically with increasing [Cl-] activity in the solution. A minimum BTAH concentration required to form a CuBTA layer for a given NaCl concentration and pH were determined from the Pourbaix diagram. It was found that 320 ppm BTAH solution could be used to form a corrosion-inhibiting CuBTA layer inside the corrosion pit in the sprinkler copper tube, successfully reducing water leakage rate of copper tubes. These experimental results could be used to estimate water chemistry inside a corrosion pit.
$Cu-Al_20_3 $ composite powders were prepared by hydrogen reduction of $Cu^{2+}$ from ammoniacal copper sulfate solution on alumina core using autoclave. The copper reduction rate and the properties of copper layer were investigated using Scanning Electron Microscope(SEM), X-ray diffractometer, size and chemical analyzers. The reduction rate of $Cu^{2+}$ showed the maximum value when the molar ratio of [$NH_3$]/[$Cu^{2+}$] was 2. In order to prevent the agglomeration of Cu powder and ethane reduction rate, $Fe^{2+}$ and anthraquinone which act as catalysis were added in the solution. Catalysis was effectively chanced with the addition of two elemerts at a time. Optimum conditions obtained in this study were hydrogen reduction temperature of 205$^{\cire}C$, stirring speed of 500 rpm and hydrogen partial pressure of 300 psi. Obtained $Cu-Al_20_3 $ composite Powders were found to have the uniform and continuous copper coating layer of nodule shape with 3~5 $\mu$m thickness.
한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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pp.761-762
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2006
W-Cu alloy was very useful material for a heat sink, high electric contact and EDM electrode. Powder injection molding (PIM) is the optimum manufacturing technology to provide W-Cu components with low-cost and high-volume. We used various compositions of tungsten coated copper powders (W-Cu with 10 to 80 wt-% of copper) to manufacture W-Cu components by PIM. The optimum mixing, injection molding, debinding and sintering conditions to provide the high performance W-Cu components were investigated. The thermal and mechanical properties of W-Cu parts by PIM were measured. Finally, we can verify the high performance of W-Cu components by PIM with the tungsten coated copper.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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