평판 유도 결합형 $CH_4/H_2/Ar$ 플라즈마를 이용한 GaN 건식 식각에서 공정변수가 저항성 접촉 형성에 미치는 영향
(The Effects of Etch Process Parameters on the Ohmic Contact Formation in the Plasma Etching of GaN using Planar Inductively Coupled $CH_4/H_2/Ar$ Plasma)
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- 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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- 제49권8호
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- pp.438-444
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- 2000